Транзистор характеристика: Характеристики транзистора- основные параметры

Содержание

Характеристики транзистора- основные параметры

Характеристики транзистора – диаграмма, которая отображает взаимоотношения между электрическим током и напряжением транзистора в конкретной конфигурации. Учитывая, что схемы конфигураций транзисторов аналогичны по отношению к двухпортовым схемам, они могут быть проанализированы с использованием кривых для характеристик, которые могут быть следующих типов:

1. Характеристики входа: они описывают изменения в токе на входе с изменением значений напряжения на входе, удерживающим напряжение на выходе постоянным.

2. Характеристики выхода: это диаграмма, отображающая противостояние тока на выходе и напряжения на выходе при неизменном токе на входе.

3. Характеристики передачи тока: это кривая характеристик, показывающая изменение тока на выходе в соответствии с током на входе, при этом напряжение на выходе постоянное.

Транзистор, который включен по схеме с общей базой

При такой конфигурации базовый вывод транзистора будет общим между выводами входа и выхода, как показано на рисунке 1.

Данная конфигурация демонстрирует низкое полное сопротивление на входе, высокое полное сопротивление на выходе, высокий коэффициент усиления сопротивления и высокий коэффициент усиления напряжения.

Рисунок 1 Схема с общей базой

Характеристики входа

Рисунок 2 показывает характеристики входа схемы вышеописанной конфигурации, которые описывают изменение тока на эмиттере, IE с напряжением на базе-эмиттере, VBE удерживает напряжение на коллекторе-базе, VCB постоянно.


Выражение для сопротивления на входе выглядит следующим образом:

Характеристики выхода

Характеристики выхода для такой конфигурации (Рисунок 3) демонстрируют изменение тока на коллекторе, IC с VCB, где ток на эмиттере, IE является удерживаемой постоянной. Из показанного графика следует, что сопротивление на выходе может быть получено как:

Рисунок 3 Характеристики выхода

Характеристики передачи тока

Рисунок 4 демонстрирует характеристики передачи тока для вышеназванной конфигурации, которые объясняют изменение IC с IE, удерживающим VCB постоянным. Получившийся коэффициент усиления тока имеет значение меньше единицы и может быть математически выражен следующим образом:

Рисунок 4 Характеристики передачи тока

Транзистор, который включен по схеме с общим коллектором

Эта конфигурация транзистора имеет общий вывод коллектора между выводами входа и выхода (Рисунок 5) и также имеет отношение к конфигурации эмиттера. Это обеспечивает высокое полное сопротивление на входе, низкое полное сопротивление на выходе, коэффициент усиления напряжения меньше единицы и значительный коэффициент усиления тока.

Рисунок 5 Схема с общим коллектором

Характеристики входа

Рисунок 6 демонстрирует характеристики входа для этой конфигурации, которые описывают изменение в IB в соответствии с VCB, для обеспечения постоянного значения напряжения на коллекторе-эмиттере, VCE.

Рисунок 6 Характеристики входа

Характеристики выхода

Рисунок 7 показывает характеристики выхода для данной конфигурации, которые демонстрируют изменения в IE против изменений в VCE для постоянных значений IB.

Рисунок 7 Характеристики выхода

Характеристики передачи тока

Эти характеристики данной конфигурации (Рисунок 8) показывают изменение IE с IB, удерживающим VCE постоянным.

Транзистор, который включен по схеме с общим эмиттером

В данной конфигурации вывод эмиттера является общим между выводами входа и выхода, как показано на рисунке 9. Эта конфигурация обеспечивает среднее полное сопротивление на входе, среднее полное сопротивление на выходе, средний коэффициент усиления тока и коэффициент усиления напряжения.

Рисунок 9 Схема с общим эмиттером

Характеристики входа

Рисунок 10 показывает характеристики входа для данной конфигурации, которая объясняет изменение в IB в соответствии с VBE, где VCE является постоянной.

Рисунок 10 Характеристики входа

Исходя из рисунка, сопротивление на входе может быть представлено как:

Характеристики выхода

Характеристики выхода у такой конфигурации (Рисунок 11) также рассматриваются как характеристики коллектора.

Этот график показывает изменение в IC с изменениями в VCE, когда IB удерживается постоянной. Исходя из графика, можно получить сопротивление на выходе следующим образом:

D2499 транзистор характеристики, аналог, datasheet, цоколевка

Технические характеристики транзистора D2499 (2SD2499) говорят о том что он является мощным, высоковольтным, быстродействующим, кремниевым устройством NPN-структуры. Имеет внутри встроенный демпферный диод и резистор. Разработан известной японской компании Toshiba Semiconductor.

Благодаря хорошему быстродействию (0,3 мкс), данное изделие находит широкое применение в различных сферах радиоэлектронной промышленности, особенно популярно в цепях строчной развертки устаревших моделей цветных телевизоров и мониторов. Считается у радиолюбителей универсальным транзистором для ремонта приборов с электронно-лучевыми трубками (ЭЛТ).

Цоколевка

2SD2499 выпускается в полностью изолированном пластиковом корпусе ТО-3P без металлической подложки. Расположение выводов, если смотреть прямо на маркировку, будет такое: слева находится база (Б), посередине коллектор (К), справа эмиттер (Э). Обозначение на нем обычно нанесено в сокращенном виде, без двух первых символов – D2499.

Технические характеристики

На предельно допустимые характеристики 2SD2499 стоит обратить внимание в первую очередь. Их превышение, так же как и длительная эксплуатация на максимальных рабочих режимах, приводит к сокращению сроков полезного использования или порче изделия. Именно их производитель указывает в даташит в самом начале. Приведём наиболее важные из них.

Предельно допустимые

D2499 имеет следующие предельно допустимые значения параметров (при ТA =+25 ОС) :

Максимальное напряжение:

  • К-Б VCBO (Uкб max) до 1500 В;
  • К-Э VCEO (Uкэ max) до 600 В;
  • Э-Б VEBO (Uэб max) до 5 В;

Ток коллектора:

  • IC (Iк max) до 6 А;
  • I (Iк пик) до 12 А;
  • ток базы IВ (IБ max) до 3 А;
  • рассеиваемая мощность (при ТC= +25ОС) РСк max) до 50 Вт;
  • диапазон рабочих температур TSTG от -55 до 150ОС;
  • температура кристалла TJ до + 150ОС.

Любой строчный транзистор сильно греется при работе, поэтому установка на радиатор — обязательное условие его стабильного функционирования.

Электрические

После предельных значений в даташит на D2499 представлены номинальные параметры устройства «Электрические характеристики», при которых производитель гарантирует его стабильную работу. Для рассматриваемого изделия они указываются в отдельной таблице при температуры окружающей среды (ТA) до +25oС.

У отдельных производителей можно увидеть для максимальной температуры кристалла (ТC).

Аналоги

В случае ремонта для D2499 возможно потребуется аналог: BU4508DZ, BU508DXI, BUH515DX1, BUH515FP. Хорошей альтернативой считается: 2SC5250, 2SC5251, 2SC5252. В любом случае, перед заменой следует ознакомиться с техническими характеристиками этих транзисторов и только после этого принимать какое либо решение.

Проверка работоспособности

Вопрос о том, как проверить строчный транзистор d2499 мультиметром и определить его исправность встречается очень часто. На практике его тестируют стандартным способом, как обычный биполяник, но при этом есть свои нюансы. Рассмотрим их подробнее, они характерны для большинства подобных устройств.

Так как структура нашего строчника NPN, то для начала необходимо установить мультиметр в режим «прозвонки диодов». Отрицательный щуп (черный) ставим на вывод Б, а положительным (красным) соединяем с контактом К. На тестере, при этом, должно появится небольшое падение напряжения. При смене полярности будет отображаться цифра «1», КЗ быть не должно.

Далее надо проверить переход Б-Э. Ставим красный щуп на контакт Э, черный остаётся на Б. Так как между выводами Б и Э стоит резистор, то мультиметр будет пищать, сигнализируя прохождение тока. Необходимо проверить сопротивление на этом участке, оно должно быть в пределах от 40 до 50 Ом.

Между выводов К-Э установлен демпферный диод и это надо учитывать. В режиме «прозвонки диодов» на тестере отображается падение напряжения. Сопротивление между этими контактами транзистора замеряется на пределе до 200 мОм. У оригинального 2SD2499 оно составляет более 150 мОм. И чем выше это значение, тем лучше.

Пример проверки похожих строчных транзисторов можно посмотреть в видеоролике.

Производители

Транзистор 2SD2499 был разработан и впервые применён в своих телевизорах японской компанией Toshiba Semiconductor. В настоящее время его выпуск подхватили следующие китайские производители электроники: Inchange Semiconductor Company, Wing Shing Computer Components, Savantic, Tiger Electronic, Shenzhen SPTECH Microelectronics. В российских магазинах радиотоваров чаще всего встречаются оригинальные изделия от Toshiba.

Скачать datasheet D2499 можно кликнув по названию компании-производителя. На русском языке по ссылке.

Транзисторы КТ315,КТ3102,КТ817 — маркировка и цоколевка,основные параметры.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ3102.

КТ3102А — 2N4123
КТ3102А — 2N2483
КТ3102А — 2SC828
КТ3102А — BC546C
КТ3102А — B547B
КТ3102А — BC547C

Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

Транзисторы КТ817, — кремниевые, универсальные, мощные низкочастотные, структуры — n-p-n.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 0,7 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак — буква, означающая класс.

Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ817.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В — 20.
У транзистора КТ817Г — 15.

Граничная частота коэффициента передачи тока 3 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзистора КТ817А — 25в.
У транзисторовКТ817Б — 45в.
У транзистора КТ817В — 60в.
У транзистора КТ817Г — 80в.

Максимальный ток коллектора.3А. Рассеиваемая мощность коллектора 1 Вт, без теплоотвода, 25 Вт — с теплоотводом.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 1,5в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 0,6в.

Обратный ток коллектора у транзисторов КТ817А при напряжении коллектор-база 25в, транзисторов КТ817Б при напряжении коллектор-база 45в, транзисторов КТ817В при напряжении коллектор-база 60в, транзисторов КТ817Г при напряжении коллектор-база 100 в — 100мкА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на частоте 1МГц — не более — 60 пФ.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в — 115 пФ.

Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор — КТ816.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ817.

КТ817А — TIP31A
КТ817Б — TIP31B
КТ817В — TIP31C
КТ817Г — 2N5192.

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — сломанные телевизоры, магнитофоны, приемники и. т. д — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из него.
Проще всего обстоит дело с КТ315. В любой промышленной и бытовой аппаратуре и с середины 70-х годов двадцатого века и заканчивая началом 90-х его можно встретить практически повсеместно.
КТ3102 можно найти в предварительных каскадах усилителей магнитофонов — «Электроника», «Вега», «Маяк», «Вильма» и. т. д.
КТ817 — в стабилизаторах блоков питания тех же магнитофонов, иногда в оконечных каскадах усилителей звука (в магнитолах Вега РМ-238С,РМ338С и. т. п)

На главную страницу

Справочник по MOSFET транзисторам

20- 25 В

 

 

 

 

 

IRL3714ZSPBF

20V, 36A, 16 mOhm, 4.8 nC Qg, D2-Pak

IRL3715ZSPBF

20V, 50A, 11 mOhm, 7 nC Qg, D2-Pak

IRF3704ZSPBF

20V, 67A, 7.9 mOhm, 8.7 nC Qg, D2-Pak

IRF3711ZSPBF

20V, 92A, 6 mOhm, 16 nC Qg, D2-Pak

IRF1324SPBF

24V, 340A, 1. 65 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

IRF1324S-7PPBF

24V, 429A, 1 mOhm, 180 nC Qg, D2-Pak 7-pin

30 В

 

 

 

 

IRF3707ZSPBF

30V, 59A, 9.5 mOhm, 9.7 nC Qg, D2-Pak

IRF3709ZSPBF

30V, 87A, 6.3 mOhm, 17 nC Qg, D2-Pak

IRL8113SPBF

30V, 105A, 6 mOhm, 23 nC Qg, D2-Pak

IRL7833SPBF

30V, 150A, 3. 8 mOhm, 32 nC Qg, D2-Pak

IRF2903ZSPBF

30V, 260A, 2.4 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

40 В

IRF4104SPBF

40V, 120A, 5.5 mOhm, 68 nC Qg, D2-Pak

IRF1404ZSPBF

40V, 190A, 3.7 mOhm, 100 nC Qg, D2-Pak

IRF2804SPBF

40V, 270A, 2.0 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

IRFS3004PBF

40V, 340A, 1.75 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

IRF2804S-7PPBF

40V, 320A, 1. 6 mOhm, 170 nC Qg, D2-Pak 7-pin

IRFS3004-7PPBF

40V, 400A, 1.25 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak 7-pin

55 — 60 В

IRFS3806PBF

60V, 42A, 15.8 mOhm, 22 nC Qg, D2-Pak

IRFZ44ZSPBF

55V, 51A, 13.9 mOhm, 29 nC Qg, D2-Pak

IRF1018ESPBF

60V, 77A, 8.4 mOhm, 51 nC Qg, D2-Pak

IRF3205ZSPBF

55V, 110A, 6. 5 mOhm, 76 nC Qg, D2-Pak

IRFS3306PBF

60V, 160A, 4.2 mOhm, 85 nC Qg, D2-Pak

IRFS3206PBF

60V, 210A, 3 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak

IRFS3006PBF

60V, 270A, 2.5 mOhm, 200 nC Qg, D2-Pak

IRFS3006-7PPBF

60V, 293A, 2.1 mOhm, 200 nC Qg, D2-Pak 7-pin

75 — 80 В

IRFS3607PBF

75V, 80A, 9.0 mOhm, 51 nC Qg, D2-Pak

IRFS3307ZPBF

75V, 120A, 5.8 mOhm, 79 nC Qg, D2-Pak

IRFS3207ZPBF

75V, 170A, 4.1 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak

IRFS3107PBF

75V, 230A, 3.0 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

IRFS3107-7PPBF

75V, 260A, 2.6 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak 7-pin

100 В

IRF540ZSPBF

100V, 36A, 26.5 mOhm, 42 nC Qg, D2-Pak

IRF3710ZSPBF

100V, 59A, 18 mOhm, 82 nC Qg, D2-Pak

IRFS4610PBF

100V, 73A, 14 mOhm, 90 nC Qg, D2-Pak

IRFS4410ZPBF

100V, 97A, 9 mOhm, 83 nC Qg, D2-Pak

IRFS4310ZPBF

100V, 127A, 6 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak

IRFS4010PBF

100V, 180A, 4.7 mOhm, 143 nC Qg, D2-Pak

IRFS4010-7PPBF

100V, 190A, 4.0 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak  7-pin

150 В

IRFS4615PBF

150V, 33A, 42 mOhm, 26 nC Qg, D2-Pak

IRFS4321PBF

150V, 83A, 15 mOhm, 71 nC Qg, D2-Pak

IRFS4115PBF

150V, 99A, 12.1 mOhm, 77 nC Qg, D2-Pak

IRFS4115-7PPBF

150V, 105A, 11.8 mOhm, 78 nC Qg, D2-Pak  7-pin

200 В

IRFS4020PBF

200V, 18A, 100 mOhm, 18 nC Qg, D2-Pak

IRFS4620PBF

200V, 24A, 77.5 mOhm, 25 nC Qg, D2-Pak

IRFS4227PBF

200V, 62A, 26 mOhm, 70 nC Qg, D2-Pak

IRFS4127PBF

200V, 76A, 21 mOhm, 110 nC, D2-Pak

250 В

IRFS4229PBF

250V, 45A, 48 mOhm, 72 nC Qg, D2-Pak

Транзистор — Википедия. Что такое Транзистор

Дискретные транзисторы в различном конструктивном оформлении

Транзи́стор (англ. transistor), полупроводнико́вый трио́д — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами[1], способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

Транзисторами также называются дискретные электронные приборы, которые, выполняя функцию одиночного транзистора, имеют в своем составе много элементов, конструктивно являясь интегральной схемой, например составной транзистор или многие транзисторы большой мощности[2].

Транзисторы по структуре, принципу действия и параметрам делятся на два класса — биполярные и полевые (униполярные). В биполярном транзисторе используются полупроводники с обоими типами проводимости, он работает за счет взаимодействия двух, близко расположенных на кристалле, p-n переходов и управляется изменением тока через база-эмиттерный переход, при этом вывод эмиттера всегда является общим для управляющего и выходного токов. В полевом транзисторе используется полупроводник только одного типа проводимости, расположенный в виде тонкого канала, на который воздействует электрическое поле изолированного от канала затвора[3], управление осуществляется изменением напряжения между затвором и истоком. Полевой транзистор, в отличие от биполярного, управляется напряжением, а не током. В настоящее время в аналоговой технике доминируют биполярные транзисторы (БТ) (международный термин — BJT, bipolar junction transistor). В цифровой технике, в составе микросхем (логика, память, процессоры, компьютеры, цифровая связь и т. п.), напротив, биполярные транзисторы почти полностью вытеснены полевыми. В 1990-е годы был разработан новый тип гибридных биполярно-полевых транзисторов — IGBT которые сейчас широко применяются в силовой электронике.

В 1956 году за изобретение биполярного транзистора Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн получили Нобелевскую премию по физике.

К 1980-м годам транзисторы, благодаря своей миниатюрности, экономичности, устойчивости к механическим воздействиям и невысокой стоимости практически полностью вытеснили электронные лампы из малосигнальной электроники. Благодаря своей способности работать при низких напряжениях и значительных токах, транзисторы позволили уменьшить потребность в электромагнитных реле и механических переключателях в оборудовании, а благодаря способности к миниатюризации и интеграции позволили создать интегральные схемы, заложив основы микроэлектроники. С 1990-х в связи с появлением новых мощных транзисторов, стали активно вытесняться электронными устройствами трансформаторы, электромеханические и тиристорные ключи в силовой электротехнике, начал активно развиваться Частотно-регулируемый привод и инверторные преобразователи напряжения.

На принципиальных схемах транзистор обычно обозначается «VT» или «Q» с добавленим позиционного индекса, например, VT12. До 1970-х гг. в русскоязычной литературе и документации также применялись обозначения «Т», «ПП» (полупроводниковый прибор) или «ПТ» (полупроводниковый триод).

История

Изобретение транзистора, являющееся одним из важнейших достижений XX века[4], стало следствием длительного развития полупроводниковой электроники, которое началось в 1833 году, когда Майкл Фарадей провёл первые эксперименты с полупроводниковым материалом — сульфидом серебра.

В 1874 году немецкий физик Карл Фердинанд Браун впервые обнаружил явление односторонней проводимости контакта металл—полупроводник.

В 1906 году инженер Гринлиф Виттер Пиккард изобретает точечный полупроводниковый диод-детектор.

В 1910 году английский физик Уильям Икклз (англ.)русск. обнаружил у некоторых полупроводниковых диодов способность генерировать электрические колебания, а инженер Олег Лосев в 1922 году самостоятельно разработал диоды, обладающие при некоторых напряжениях смещения отрицательным дифференциальным сопротивлением, с помощью которых впервые успешно использовал усилительные и генераторные свойства полупроводников (Кристадинный эффект), в детекторных и гетеродинных радиоприёмниках собственной конструкции.

Особенностью этого периода развития было то, что физика полупроводников была ещё плохо изучена, все достижения являлись следствием экспериментов, учёные затруднялись объяснить, что происходит внутри кристалла, часто выдвигая ошибочные гипотезы.

В то же время на рубеже 1920—1930 годов в радиотехнике началась эпоха бурного индустриального развития электронных ламп, физика которых была изучена, и в этом направлении работала основная масса учёных-радиотехников, в то время как хрупкие и капризные полупроводниковые детекторы открытой конструкции, в которых нужно было при помощи металлической иглы вручную искать на кристалле «активные точки», стали уделом кустарей-одиночек и радиолюбителей, строивших на них простейшие радиоприемники. Потенциальных перспектив полупроводников никто не видел.

Создание биполярного и полевого транзисторов произошло разными путями.

Полевой транзистор

Первый шаг в создании полевого транзистора сделал австро-венгерский физик Юлий Эдгар Лилиенфельд, который предложил метод управления током в образце путём подачи на него поперечного электрического поля, которое, воздействуя на носители заряда, будет управлять проводимостью. Патенты были получены в Канаде (22 октября 1925 года) и Германии (1928 год)[5][6].

В 1934 году немецкий физик Оскар Хайл (англ.)русск. в Великобритании также запатентовал «бесконтактное реле», основанное на аналогичном принципе. Однако несмотря на то, что полевые транзисторы основаны на простом электростатическом эффекте поля и по протекающим в них физическим процессам проще биполярных, создать работоспособный образец полевого транзистора долго не удавалось.

Разработчики не могли обойти неизвестные на тот момент явления в поверхностном слое полупроводника, которые не позволяли управлять электрическим полем внутри кристалла у транзисторов такого типа (МДП-транзистор — металл, диэлектрик, полупроводник). Работоспособный полевой транзистор был создан уже после открытия биполярного транзистора. В 1952 году Уильям Шокли теоретически описал модель полевого транзистора другого типа, модуляция тока в котором, в отличие от ранее предложенных МДП[7] структур, осуществлялась изменением толщины проводящего канала за счёт расширения или сужения обеднённой области, прилегающего к каналу р-n-перехода. Это происходило при подаче на переход управляющего напряжения запирающей полярности затворного диода. Транзистор получил название «полевой транзистор с управляющим р-n-переходом» (мешающие работе поверхностные явления устранялись, так как проводящий канал находился внутри кристалла).

Первый полевой МДП-транзистор, запатентованный ещё в 1920-е годы и сейчас составляющий основу компьютерной индустрии, впервые был создан в 1960 году после работ американцев Канга и Аталлы, предложивших в качестве слоя затворного диэлектрика формировать на поверхности кремниевого кристалла с помощью окисления поверхности кремния тончайший слой диоксида кремния, изолирующий металлический затвор от проводящего канала, такая структура получила название МОП-структура (Металл-Окисел-Полупроводник).

В 90-х годах XX века МОП-технология стала доминировать над биполярной[8]

Биполярный транзистор

Копия первого в мире работающего транзистора

В отличие от полевого, первый биполярный транзистор создавался экспериментально, а его физический принцип действия был объяснён уже позднее.

В 1929—1933 гг., в ЛФТИ, Олег Лосев под руководством А. Ф. Иоффе провёл ряд экспериментов с полупроводниковым устройством, конструктивно повторяющим точечный транзистор на кристалле карборунда (SiC), однако достаточного коэффициента усиления получить тогда не удалось. Изучая явления электролюминесценции в полупроводниках, Лосев исследовал около 90 различных материалов, особенно выделяя кремний, и в 1939 году он вновь упоминает о работах над трёхэлектродными системами в своих записях, но начавшаяся война и гибель инженера в блокадном Ленинграде зимой 1942 года привели к тому, что некоторые его работы оказались утеряны и сейчас неизвестно, насколько далеко он продвинулся в создании транзистора. В начале 1930-х годов точечные трёхэлектродные усилители изготовили также радиолюбители Ларри Кайзер из Канады и Роберт Адамс из Новой Зеландии, однако их работы не были запатентованы и не подвергались научному анализу[4].

Успеха добилось опытно-конструкторское подразделение Bell Telephone Laboratories фирмы American Telephone and Telegraph, с 1936 года в нём, под руководством Джозефа Бекера, работала группа ученых специально нацеленная на создание твердотельных усилителей. До 1941 года изготовить полупроводниковый усилительный прибор не удалось (предпринимались попытки создания прототипа полевого транзистора). После войны, в 1945 году, исследования возобновились под руководством физика-теоретика Уильяма Шокли, после ещё 2 лет неудач, 16 декабря 1947 года, исследователь

SMD ТРАНЗИСТОРЫ

   Привет друзья и читатели сайта «РАДИОСХЕМЫ», продолжаем вместе с вами знакомиться с современными SMD радиодеталями. Сегодняшний обзор — обзор SMD транзисторов, которые вы наверно уже видели в современных различных электронных устройствах.

   Транзисторы в SMD корпусе, очень удобны, особенно где каждый миллиметр платы важен. Представьте, как бы изменился мобильный телефон (плата которого полностью из SMD деталей), если бы там использовали обычные выводные DIP детали.

   Выше фото SMD транзистора на фоне обычного, в TO 92.

   Это фото различных СМД транзисторов, справа — обычный в TO92. Как правило, цоколёвка всех таких транзисторов одинакова — это тоже огромный плюс.

   Название различных корпусов, DIP и SMD. Фото можно увеличить.

   Как сделаны планарные транзисторы, вы можете увидеть ниже.

   У планарных, как и у обычных транзисторов, есть множество видов, составные (Дарлингтон), полевые, биполярные и IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором).

   Обратите внимание, на платах и схемах транзисторы маркируются «Q» и «VT» (так должно быть, хотя некоторые производители брезгуют этим), зачем я это пишу? Часто в один и тот-же корпус, изготовитель может впихнуть всё, что ему хочется — от диода и до линейного стабилизатора напряжения (78хх), даже различных датчиков. Ещё существует внутренняя маркеровка завода, к примеру детали фирмы Epcos. На такие детали очень трудно найти даташит, а иногда его вовсе нет в интернете.

Пайка

   Паять такие транзисторы не трудно, особенно ускоряет и делает более легким, процесс пайки различных SMD деталек — микроскоп, пинцет (просто незаменимые вещи) различные флюсы и паяльные жиры с BGA-пастой. Сначала лудим контактные площадки нашего транзистора и платы (не перегрейте). 

   Затем позиционируем наш транзистор, я делаю это пинцетом.

   Припаиваем любую из ножек. Отпускаем пинцет, и позиционируем нашу детальку как можно ровнее, для отличного вида, так сказать 🙂

   Припаиваем оставшиеся «ножки» радиоэлемента.

   И вот наш транзистор крепко и хорошо припаян к плате. В следующих статьях, буду писать об этом всём подробнее (флюсы, пинцеты, пайка и т.д). А по поводу обозначений и цоколёвок разных типов транзисторов — на форуме есть несколько очень полезных ссылок. Статью написал BIOS.

   Форум по планарным деталям

Характеристики транзистора — характеристики входа, выхода и тока

Конфигурация транзистора

Любой тип транзисторной схемы может быть разработан с использованием трех упомянутых выше характеристик транзистора. Конфигурация транзисторов основана на выводах транзисторов. Существует три типа конфигурации схемы транзистора, это:

Каждая конфигурация схемы имеет свою характеристическую кривую.Исходя из требований схемы, выбирается соответствующая конфигурация транзистора.

Несколько вещей необходимо учитывать при использовании правильного транзистора для схемы. Это максимальное номинальное напряжение между эмиттером и коллектором (UCEmax), максимальная мощность для построения цепи и максимальный ток коллектора (ICEmax). Электрическая цепь не должна превышать эти максимальные значения для правильной работы. При превышении допустимого значения может произойти необратимое повреждение цепи. Также важно поддерживать правильное усиление тока и частоту.

Конфигурация с общим эмиттером

В такой конфигурации эмиттер используется как общая клемма для входа и выхода. Он работает как схема инвертирующего усилителя. В этом случае вход применяется в области база-эмиттер, а выход получается между выводами коллектора и эмиттера.

В этом случае

VBE — это входное напряжение,

IB — входной ток,

VCE — выходное напряжение, а

IC — выходной ток.

Конфигурация с общим эмиттером обычно основана на транзисторных усилителях. В этом случае ток эмиттера эквивалентен сумме тока базы и тока коллектора.

Следовательно,

IE = IC + IB

(изображение будет скоро загружено)

Это уравнение является уравнением транзистора для конфигурации CE. Отношение тока коллектора к току эмиттера дает коэффициент усиления по току альфа в конфигурации с общей базой. Точно так же отношение тока коллектора к току базы дает коэффициент усиления по току бета в конфигурации с общим эмиттером.

Соотношение между двумя коэффициентами усиления по току:

Коэффициент усиления по току (α) = IC / IE

Коэффициент усиления по току (β) = IC / IB

Ток коллектора IC = αIE = βIB

В этой конфигурации используется один из трех схемы конфигурации. Он имеет средние входные и выходные значения импеданса. Он также имеет средний коэффициент усиления по току и напряжению. Выходной сигнал этой конфигурации имеет фазовый сдвиг 180 °, что означает, что вход и выход обратно пропорциональны друг другу.

(изображение будет загружено в ближайшее время)

Входные и выходные характеристики конфигурации с общим эмиттером

  1. Входные характеристики транзистора

Входная характеристика транзистора получается между входным током IB и входным напряжением VB посредством имеющий постоянное выходное напряжение VCE. Поддерживая постоянное выходное напряжение VCE и изменяя входное напряжение VBE в разных точках, мы можем проверить значения входного тока в каждой из точек.Теперь, используя значения, полученные из разных точек, строят график, отображая значения IB и VBE при постоянном VCE.

Rin = VBE / IB (при постоянном VCE)

Это необходимое уравнение для расчета входного сопротивления Rin.

(изображение будет скоро загружено)

  1. Выходные характеристики

Выходная характеристика общего эмиттера получается между выходным напряжением VCE и выходным током IC при постоянном входном токе IB.Сохраняя постоянный базовый ток IB и изменяя значение выходного напряжения VCE в разных точках, мы можем рассчитать значение IC коллектора для каждой точки. Теперь, если мы построим график между IC и VCE, мы получим выходные характеристики общей конфигурации эмиттера.

Rout = VCE / IC (при постоянном IB)

Это уравнение для расчета выходного сопротивления.

(изображение будет загружено в ближайшее время)

Типы конфигураций транзисторов — характеристики с таблицей сравнения

Транзисторы являются основным оборудованием, необходимым для создания устройств.Следовательно, разработка этих транзисторов была заменой электронных ламп. Базовый транзистор может быть образован комбинацией полупроводника p-типа и полупроводника n-типа. Эта комбинация находится между одним p-типом и двумя n-типами. Другая комбинация состоит из двух p-типов и одного n-типа. Поэтому образуются транзисторы N-P-N и P-N-P.

Эти транзисторы можно классифицировать на основе проводимости, по которой очевиден несущий поток. Если проводимость обусловлена ​​как основными, так и неосновными носителями заряда, транзистор классифицируется как биполярный.Если проводимость возникает только у большинства, она называется униполярной. Таким образом формируются биполярные переходные транзисторы (BJT) и полевые транзисторы (FET).

Схема транзистора

Транзистор спроектирован таким образом, что они состоят из трех выводов, обычно известных как эмиттер, база и коллектор. Основная причина разработки таких конфигураций заключается в том, что для обеспечения входных и выходных соединений схемы требуется четыре клеммы.Следовательно, это можно сделать возможным, сделав один общий вывод, который может быть базой, эмиттером или коллектором.

Эта конструкция предназначена для использования этой схемы в различных приложениях. Разработанные конфигурации, основанные на его требованиях, используются в электронных модулях.

Различные конфигурации транзисторов

Возможны три конфигурации этих транзисторов, известные как общая база, общий эмиттер и общий коллектор.Каждая конфигурация имеет свое значение с точки зрения усиления.

  1. В конфигурации с общей базой нет усиления по току, но есть усиление по напряжению.
  2. В общем коллекторе есть усиление по току, но не будет усиления по напряжению.
  3. Общий эмиттер — это конфигурация, в которой присутствует усиление как по току, так и по напряжению.

Таким образом, наиболее широко используются конфигурации с общим эмиттером.

1) Общая базовая конфигурация

Как следует из названия, конфигурация является общей клеммной базой, она остается общей для соединений входной и выходной цепи.Напряжение подается на стыке эмиттера и базы. Здесь эмиттер и база называются входной стороной, а коллектор — выходной стороной схемы подключения.

Значение тока, протекающего от клеммной базы к эмиттеру, должно быть более высоким. Это указывает на то, что значение тока на коллекторе меньше, чем значение тока, протекающего через эмиттер. Характеристики входа основаны на напряжении, приложенном к клеммам база и эмиттер, и току на клеммах эмиттера.Выходная характеристика для этой конфигурации основана на параметрах напряжения, приложенного на выводах базы и коллектора, и тока, генерируемого на выводе коллектора.

Общая базовая конфигурация

Значение текущего усиления в этом случае либо равно, либо считается меньшим, чем значение единицы. Генерируемые входные и выходные сигналы останутся синфазными. Такая конфигурация имеет наибольшее значение импеданса, а не выхода.Характеристики выходных сигналов демонстрируют сходство с диодом, работающим в прямом смещении.

Входные характеристики

Входные характеристики для этого типа конфигурации измеряются по изменению значения напряжения на выводах эмиттера и базы в разных точках, поддерживая постоянное значение напряжения на коллекторе и базе. . Отсюда измеряется входное значение тока эмиттера. На основании чего строится график.

Общие базовые входные характеристики

Выходные характеристики

График построен между напряжением на выходе и током путем сохранения входного значения тока на постоянном уровне, что дает выходные характеристики для этой конфигурации.

Характеристики выхода с общей базой

2) Конфигурация с общим коллектором

Это конфигурация, в которой клемма коллектора является общей для входных и выходных соединений схемы.При этом напряжение на выводе эмиттера следует за напряжением на выводе базы. Следовательно, эта схема называется схемой, следующей за эмиттером. Такая схема полезна в приложениях в качестве буфера.

Конфигурация общего коллектора

Входное значение импеданса высокое. Следовательно, они применимы во время согласования методов импеданса. Рассмотренные входные сигналы прикладываются между выводами коллектора и базы. Выход должен быть взят или считаться между выводами коллектора и эмиттера.

Сгенерированные входной и выходной сигналы остаются синфазными. Входными параметрами являются напряжение между клеммной базой и коллектором и ток на клеммной базе. Выходными параметрами являются ток коллектора и напряжение на выводах эмиттера и коллектора.

Входные характеристики

Характеристики этого типа конфигурации сильно отличаются по сравнению с другими конфигурациями. Здесь напряжение на коллекторе и выводе базы определяется уровнем напряжения на эмиттере и коллекторе.

Характеристики входа общего коллектора

Поддерживая постоянные значения напряжения на коллекторе и эмиттере, строят график между параметрами тока базы и значением напряжения на клеммах коллектора и базы.

Выходные характеристики

Поскольку известно, что конфигурация коллектора соответствует конфигурации эмиттера, работа выхода аналогична работе конфигурации эмиттера. В этой конфигурации, если к клемме базы не приложено напряжение, в схеме не будет очевидного протекания тока.

Выходные характеристики общего коллектора

График построен между током эмиттера и напряжением на выводах коллектора и эмиттера при поддержании постоянного значения тока базы.

3) Конфигурация с общим эмиттером

Это наиболее широко используемая конфигурация, поскольку усиление как по напряжению, так и по токам увеличивает значение усиления мощности. В этом случае напряжение входа прикладывается между выводами эмиттера и базы.Выходной сигнал берется через выводы эмиттера и коллектора. Отсюда эта схема инвертирующего типа.

Конфигурация с общим эмиттером

Параметры входа для этого типа конфигурации — это напряжение на базе и эмиттере, а также ток на клемме базы. Параметры, на основе которых характеризуются выходные сигналы, — это напряжение на выводах коллектора и эмиттера, а также ток на выводе коллектора.

Это наиболее широко используемые конфигурации по сравнению с другими конфигурациями в схеме усилителя.Значение тока на оконечном эмиттере представляет собой сумму отдельных токов на базе и коллекторе. Импеданс на входе и выходе имеет минимальное значение. Это делает конфигурацию более эффективной.

Коэффициент усиления между отношением тока на выводе коллектора и выводе эмиттера измеряется в единицах альфа. Коэффициент усиления для отношения между токами клеммы коллектора и базы измеряется в единицах бета. Сгенерированный выходной сигнал имеет сдвиг по фазе примерно на 180 градусов, что означает, что входные и выходные сигналы обратно пропорциональны фазам.

Входные характеристики

График построен между током на базе и значением напряжения на выводах базы и эмиттера.

Общие входные характеристики эмиттера

Выходные характеристики

График построен между значениями тока коллектора и значением напряжения на выводах коллектора и эмиттера.

Выходные характеристики общего эмиттера

Таблица сравнения конфигураций транзисторов

В основном биполярный переходный транзистор (BJT) состоит из выводов эмиттера, базы и коллектора.Для этих клемм были разработаны эти конфигурации, основанные на том, чтобы сделать одну клемму общей, чтобы она могла действовать совместно как для входных, так и для выходных цепей.

84 84

Конфигурации транзисторов

Общая база

Общий коллектор

8

9084 9007 9007 9007 9007

1. Значение коэффициента усиления по току составляет

Низкое значение

Высокое

Среднее значение

2. Значение коэффициента усиления по напряжению14 составляет

902

Высокий

Низкий

Средний

3. Значение усиления мощности составляет

Низкое

Низкое

Низкое

Высокая

4. Значение фазового соотношения между сигналами входа и выхода составляет

Нулевая степень

Нулевая степень

Степень

5. Сопротивление на входе

Низкое

Высокое

9

6 Среднее

4

9

6. Сопротивление на выходе

Высокое

Низкое

Среднее

Выше существует три конфигурации терминальных транзисторов на основе трех в этом. Эти конфигурации имеют определенное сходство, а также определенные различия с точки зрения конструкции, учета входных и выходных параметров. Значения также различаются при учете усиления мощности, напряжения и тока.Чаще всего используется конфигурация с обычным излучателем.

Он состоит из усиления как напряжения, так и тока. Следовательно, это увеличивает общий прирост мощности. В общей базовой конфигурации транзистора обычно используются однокаскадные схемы усилителя. Следовательно, конфигурация базы, которая является общей, имеет самые высокие характеристики частот. Эти транзисторы могут быть использованы в усилителях радиочастот. Можете ли вы сказать, по какой причине общий коллектор известен как эмиттер-последователь?

Вопросы и ответы с множественным выбором по транзисторам

Вопросы и ответы с множественным выбором по транзисторам

В дополнение к чтению вопросов и ответов на моем сайте, я бы посоветовал вам также проверить следующее на Amazon:

1 кв.Транзистор имеет …………………

  1. одно pn переход
  2. два pn перехода
  3. трехпозиционный переходник
  4. четыре pn перехода

Ответ: 2

2 кв. Количество обедненных слоев в транзисторе …………

  1. четыре
  2. три
  3. одна
  4. два

Ответ: 4

3 кв. База транзистора ………… .. легированная

  1. сильно
  2. умеренно
  3. слегка
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 3

4 квартал.Элемент с наибольшим размером в транзисторе ……………… ..

  1. коллектор
  2. база
  3. излучатель
  4. коллектор-цоколь

Ответ: 1

Q5. В pnp-транзисторе носители тока ………….

  1. акцепторные ионы
  2. донорных ионов
  3. свободных электронов
  4. отверстий

Ответ: 4

Q6. Коллектор транзистора ………….легированный

  1. сильно
  2. умеренно
  3. слегка
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 2

Q7. Транзистор — это …………… управляемое устройство

  1. текущий
  2. напряжение
  3. и напряжение, и ток
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 1

Q8. В npn-транзисторе ……………. являются миноритарными перевозчиками

  1. свободных электронов
  2. отверстий
  3. донорных ионов
  4. акцепторных ионов

Ответ: 2

Q9.Эмиттер транзистора ………………… легирован

  1. слегка
  2. сильно
  3. умеренно
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 2

Q10. В транзисторе базовый ток составляет примерно ………… .. эмиттерного тока

  1. 25%
  2. 20%
  3. 35%
  4. 5%

Ответ: 4

Q11. На переходах база-эмиттер транзистора обнаруживается ……………

  1. обратное смещение
  2. широкий обедненный слой
  3. низкое сопротивление
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 3

Q12.Входное сопротивление транзистора ………….

  1. высокая
  2. низкий
  3. очень высокий
  4. почти ноль

Ответ: 2

Q13. Большинство основных носителей от эмитента ……………… ..

  1. объединить в базу
  2. рекомбинировать в эмиттере
  3. пройти через базовую область в коллектор
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 3

Q14.Текущий I B — это …………

  1. электронный ток
  2. ток дырки
  3. ионный ток донора
  4. акцепторный ионный ток

Ответ: 1

Q15. В транзисторе ……………… ..

I C = I E + I B

I B = I C + I E

I E = I C — I B

I E = I C + I B

Ответ: 4

Q16.Значение α транзистора составляет ……….

  • более 1
  • менее 1
  • 1
  • ничего из вышеперечисленного

Ответ: 2

Q17. I C = αI E + ………….

  1. I B
  2. I Генеральный директор
  3. I CBO
  4. βI B

Ответ: 3

Q18. Выходное сопротивление транзистора ……………..

  1. высокая
  2. ноль
  3. низкий
  4. очень низкий

Ответ: 1

Q19. В тансисторе I C = 100 мА и I E = 100,2 мА. Значение β составляет …………

  1. 100
  2. 50
  3. около 1
  4. 200

Ответ: 4

Q20. В транзисторе, если β = 100 и ток коллектора 10 мА, то I E будет …………

  1. 100 мА
  2. 100.1 мА
  3. 110 мА
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 2

Q21. Отношение между β и α составляет ………… ..

  1. β = 1 / (1 — α)
  2. β = (1 — α) / α
  3. β = α / (1 — α)
  4. β = α / (1 + α)

Ответ: 3

Q22. Значение β для транзистора обычно составляет ……………… ..

  1. 1
  2. менее 1
  3. от 20 до 500
  4. выше 500

Ответ: 3

Q23.Чаще всего используется схема транзисторов ……………

  1. Эмиттер общий
  2. общая база
  3. коллектор общий
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 1

Q24. Входное сопротивление транзистора, подключенного в …………… .. схеме, является самым высоким

  1. эмиттер общий
  2. коллектор общий
  3. общая база
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 2

Q25.Выходное сопротивление транзистора, подключенного к ……………. расположение высшее

  1. эмиттер общий
  2. коллектор общий
  3. общая база
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 3

Q26. Разность фаз между входным и выходным напряжениями в схеме с общей базой составляет …………….

  1. 180 или
  2. 90 или
  3. 270 или
  4. 0 или

Ответ: 4

Q27.Коэффициент усиления в транзисторе, включенном в ……………. расположение высшее

  1. эмиттер общий
  2. общая база
  3. коллектор общий
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 1

Q28. Разность фаз между входным и выходным напряжениями транзистора, подключенного по схеме с общим эмиттером, составляет ………………

  1. 0 или
  2. 180 или
  3. 90 или
  4. 270 или

Ответ: 2

Q29.Коэффициент усиления по напряжению в транзисторе, включенном в ………………. расположение высшее

  1. общая база
  2. коллектор общий
  3. общий эмиттер
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 3

Q30. При повышении температуры транзистора сопротивление база-эмиттер ……………

  1. убавления
  2. увеличивается
  3. остается прежним
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 1

Q31.Коэффициент усиления по напряжению транзистора, включенного в общий коллектор, составляет ……… ..

  1. равно 1
  2. более 10
  3. более 100
  4. менее 1

Ответ: 4

Q32. Разность фаз между входным и выходным напряжениями транзистора, подключенного в общий коллектор, составляет ………………

  1. 180 или
  2. 0 или
  3. 90 или
  4. 270 или

Ответ: 2

В33.I C = β I B + ……… ..

  1. I CBO
  2. Я С
  3. I Генеральный директор
  4. αI E

Ответ: 3

Q34. I C = [α / (1 — α)] I B + ………….

  1. I Генеральный директор
  2. I CBO
  3. Я С
  4. (1 — α) I В

Ответ: 1

Q35.I C = [α / (1 — α)] I B + […… .. / (1 — α)]

  1. I CBO
  2. I Генеральный директор
  3. Я С
  4. I E

Ответ: 1

Q36. Транзистор BC 147 означает, что он сделан из ………… ..

  1. германий
  2. кремний
  3. углерод
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 2

Q37.I Генеральный директор = (………) I CBO

  1. β
  2. 1 + α
  3. 1 + β
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 3

Q38. Транзистор подключен в режиме CB. Если он не подключен в режиме CE с одинаковыми напряжениями смещения, значения I E , I B и I C будут ………… ..

  1. осталось прежним
  2. прибавка
  3. уменьшение
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 1

Q39.Если значение α равно 0,9, то значение β равно ……… ..

  1. 9
  2. 0,9
  3. 900
  4. 90

Ответ: 4

Q40. В транзисторе сигнал передается по …………… цепи

  1. высокое сопротивление к низкому сопротивлению
  2. низкая устойчивость к высокой устойчивости
  3. высокая устойчивость к высокой стойкости
  4. от низкого сопротивления до низкого сопротивления

Ответ: 2

Q41.Стрелка в символе транзистора указывает направление ………….

  1. Ток электронов в эмиттере
  2. Ток электронов в коллекторе
  3. дырка тока в эмиттере
  4. ионный ток донора

Ответ: 3

Q42. Ток утечки в схеме CE составляет ……………. что в схеме CB

  1. более
  2. менее
  3. то же, что
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 1

Q43.Радиатор обычно используется с транзистором …………

  1. увеличить прямой ток
  2. уменьшить прямой ток
  3. компенсировать чрезмерное легирование
  4. предотвратить чрезмерное повышение температуры

Ответ: 4

Q44. Наиболее часто используемый полупроводник при производстве транзисторов — это ………….

  1. германий
  2. кремний
  3. углерод
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 2

Q45.Переход коллектор-база в транзисторе имеет …………… ..

  1. постоянное смещение вперед
  2. всегда обратное смещение
  3. низкое сопротивление
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 2

Q46. Когда транзисторы используются в цифровых схемах, они обычно работают в ………….

  1. активная область
  2. область разбивки
  3. области насыщения и отсечки
  4. линейная область

Ответ: 3

Q47.На линии нагрузки постоянного тока показаны три разные точки Q. Верхняя точка Q представляет ………….

  1. минимальное усиление по току
  2. промежуточный коэффициент усиления по току
  3. максимальное усиление тока
  4. точка отсечки

Ответ: 3

Q48. Транзистор имеет токи 250 и ток базы I B 20 А. Коллекторный ток I C равен …………….

  1. 500 мкА
  2. 5 мА
  3. 50 мА
  4. 5 А

Ответ: 2

Q49.Коэффициент текущей ликвидности I C / I E обычно меньше единицы и называется …………

  1. бета
  2. тета
  3. альфа
  4. омега

Ответ: 3

Q50. С положительным датчиком на базе NPN показание омметра между другими выводами транзистора должно быть ……

  1. открыто
  2. бесконечный
  3. низкое сопротивление
  4. высокое сопротивление

Ответ: 3

Q51.В конфигурации CE эмиттерный резистор используется для ……

  1. стабилизация
  2. обход сигнала переменного тока
  3. коллектор смещения
  4. выше прирост

Ответ: 1

Q52. Смещение делителя напряжения обеспечивает ……….

  1. нестабильная точка Q
  2. стабильная точка Q
  3. точка Q, которая легко изменяется при изменении коэффициента усиления транзистора по току
  4. точка Q, которая стабильна и легко изменяется при изменении коэффициента усиления транзистора по току.

Ответ: 2

В53.Для правильной работы переход база-эмиттер транзистора должен иметь прямое смещение, а к какому переходу приложено обратное смещение?

  1. коллектор-эмиттер
  2. цоколь-коллектор
  3. база-эмиттер
  4. коллектор-база

Ответ: 4

Q54. Концы линии нагрузки, нанесенной на семейство кривых, определяют ……

  1. насыщенность и отсечка
  2. рабочая точка
  3. кривая мощности
  4. коэффициент усиления

Ответ: 1

Q55.Если V CC = +18 В, резистор делителя напряжения R 1 равен 4,7 кОм, а R 2 равен 1500, то напряжение смещения базы равно ……….

  1. 8,7 В
  2. 4,35 В
  3. 2,9 В
  4. 0,7 В

Ответ: 2

Q56. Какой тип усиления используется в конфигурации C-B?

  1. напряжение
  2. текущий
  3. сопротивление
  4. мощность

Ответ: 1

Q57.Точка Q на линии нагрузки может использоваться для определения …………

  1. В С
  2. В CC
  3. В В
  4. Я С

Ответ: 3

Q58. Транзистор может использоваться как переключающее устройство или как ………….

  1. постоянный резистор
  2. тюнинговое устройство
  3. выпрямитель
  4. переменный резистор

Ответ: 4

Q59.Если входной сигнал находится в диапазоне 20–40 А (микроампер), а выходной сигнал находится в диапазоне 0,5–1,5 мА (миллиампер), что такое бета переменного тока?

  1. 0,05
  2. 20
  3. 50
  4. 500

Ответ: 3

Q60. Коэффициент текущей ликвидности Беты составляет …… ..

  1. I C / I B
  2. I C / I E
  3. I B / I E
  4. I E / I B

Ответ: 1

Q61.Характеристическая кривая коллектора — это график, показывающий ……… ..

  1. ток эмиттера (I E ) в зависимости от напряжения коллектор-эмиттер (V CE ) при постоянном напряжении смещения базы (V BB )
  2. ток коллектора (I C ) в зависимости от напряжения коллектор-эмиттер (В CE ) при постоянном напряжении смещения базы (В BB )
  3. ток коллектора (I C ) в зависимости от напряжения коллектор-эмиттер (В C ) при постоянном напряжении смещения базы (В BB )
  4. ток коллектора (I C ) в зависимости от напряжения коллектор-эмиттер (V CC ) при постоянном напряжении смещения базы (V BB )

Ответ: 2

Q62.В маломощных корпусах транзисторов клеммой базы обычно является ……….

  1. конец язычка
  2. средний
  3. правый конец
  4. крепление на шпильке

Ответ: 2

Q63. Когда кремниевый диод смещен в прямом направлении, V BE для конфигурации CE составляет …… ..

  1. делитель напряжения смещения
  2. 0,4 В
  3. 0,7 В
  4. Напряжение эмиттера

Ответ: 3

Q64.Каков коэффициент усиления по току для конфигурации с общей базой, где I E = 4,2 мА и I C = 4,0 мА?

  1. 16,8
  2. 1,05
  3. 0,2
  4. 0,95

Ответ: 4

Q65. В схеме PNP наиболее положительное напряжение, вероятно, составляет …………

  1. земля
  2. В С
  3. В BE
  4. В CC

Ответ: 1

Q66.Если сигнал 2 мВ дает выходное напряжение 2 В, каков коэффициент усиления по напряжению?

  1. 0,001
  2. 0,004
  3. 100
  4. 1000

Ответ: 4

Q67. Большая часть электронов в базе NPN-транзистора течет …………

  1. из основного провода
  2. в коллектор
  3. в эмиттер
  4. в базовую поставку

Ответ: 2

Q68.В транзисторе ток коллектора регулируется ……… ..

  1. Напряжение коллектора
  2. базовый ток
  3. Сопротивление коллектора
  4. все вышеперечисленное

Ответ: 2

Q69. Суммарный ток эмиттера …………

  1. I E — I C
  2. Я С + Я Е
  3. I B + I C
  4. I B — I C

Ответ: 3

Q70.Часто общий коллектор является последней ступенью перед нагрузкой; основная функция (и) этого этапа — ………….

  1. обеспечивает усиление напряжения
  2. обеспечивает инверсию фазы
  3. обеспечивают высокочастотный тракт для улучшения частотной характеристики
  4. защищает усилители напряжения от низкоомной нагрузки и обеспечивает согласование импеданса для передачи максимальной мощности

Ответ: 4

В71. Для правильной работы CC-конфигурации соединение коллектор-база должно иметь обратное смещение, а прямое смещение должно применяться к …………… переходу.

  1. коллектор-эмиттер
  2. база-эмиттер
  3. коллектор-база
  4. катод-анод

Ответ: 1

В72. Соотношение входа / выхода усилителей с общим коллектором и с общей базой составляет ……… ..

  1. 270 градусов
  2. 180 градусов
  3. 90 градусов
  4. 0 градусов

Ответ: 4

Q73. Если транзистор работает в середине линии нагрузки постоянного тока, уменьшение коэффициента усиления по току сместит точку Q ………….

  1. от линии нагрузки
  2. никуда
  3. вверх
  4. вниз

Ответ: 4

Q74. Какой больший коэффициент усиления обеспечивает конфигурация CE?

  1. напряжение
  2. текущий
  3. сопротивление
  4. мощность

Ответ: 4

Q75. Каков ток коллектора для конфигурации CE с бета-коэффициентом 100 и базовым током 30 А?

  1. 30 А
  2. 0.3 А
  3. 3 мА
  4. 3 MA

Ответ: 3

Ознакомьтесь с полным ресурсом по Basic Electronics Вопросы и ответы. Это самый полный банк вопросов во всем Интернете, содержащий сотни вопросов и ответов по главам по базовой электронике.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *