Обратный ток — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Cтраница 1
Обратные токи вызывают дополнительное локальное перемешивание в пленке. [1]
| Транзисторы малой мощности среднечастотные. [2] |
Обратные токи / j 50 з Р Отся: у транзисторов ГТ109Д, ГТ109Е — при / КБ 2 В; у ГТ108А — ГТ108Г; ГТ109А — ГТ109Г, ГТЮЭИ, МШИА, МП112 — МППЗА при УкБ 5 В; у МПШ-МПШБ — при УкБ В; у транзисюров остальных типов при Уцв КБ мака. [3]
Обратный ток при этом несколько увеличивается за счет роста генерационной составляющей ( § 1.10) тока у поверхности, и напряжение пробоя р — — перехода не изменяется. [4]
Обратный ток при этом остается достаточно большим, так как он определяется электронами, тун-нелирующими из р — в n — область. [5]
Условное обозначение диода. |
Обратный ток всегда на несколько порядков меньше, чем прямой. [7]
Обратный ток / Одр — ток, протекающий через диод при приложенном к нему обратном напряжении ( обычно обр. [8]
Обратные токи в этих диодах малы, поэтому в инженерных расчетах их полагают равными нулю; заметный ток появляется только при U Unop. Область напряжений 0 U Unop называется зоной умолчания. Иногда при анализе кремниевых интегральных схем ВАХ диода изображают в виде ступеньки ( рис. 1.3), то есть представляют диод в виде идеального ключа. [9]
Обратный ток
Обратный ток через переход / 3 и обратное напряжение на нем при этом возрастают. Однако обратное напряжение на катодном переходе намного меньше обратного напряжения на анодном переходе, и обратный ток через структуру остается при этом практически неизменным.
Поэтому значения обратного тока ( напряжения) / G для силовых тиристоров также ограничиваются определенным допустимым значением.
[11]
Обратный ток через электронно-дырочный переход определяется неосновными носителями заряда. Количество их зависит в основном от температуры полупроводника. [12]
| Структурные схемы германиевого ( а и кремниевого ( б вентилей и конструктивный разрез кремниевого вентиля ( в. [13] |
Обратный ток в кремниевых вентилях, на несколько порядков меньше, чем у германиевых. Это является одним из существенных преимуществ кремниевых вентилей. [14]
Обратные токи могут составлять всего несколько пикоампер. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5
Обратный ток — диод — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Cтраница 1
Типовая вольт-амперная характеристика диода.
[1] |
Обратный ток диода / 0, если утечки малы, почти не зависит от напряжения на р — / г-переходе, но в сильной степени зависит от температуры. При достижении напряжения пробоя обратный ток резко возрастает за счет лавинного, или Зенеровского, пробоя. Если прибор не рассчитан специально для работы в области пробоя ( как, например, стабилитрон и обращенный диод), то вслед за лавинным наступает и тепловой пробой, и диод гибнет. Заметим, что иногда тепловой пробой развивается раньше всех остальных. [2]
Обратный ток диода растет с увеличением обратного напряжения. Главными причинами различия обратных ветвей характеристики реального и идеального диодов являются ток т е р м о — генерации в объеме и на поверхности перехода и ток утечки по поверхности перехода. В германиевых диодах при комнатной температуре ток термогенерации мал и обратный ток близок к току насыщения. В кремниевых диодах при комнатной температуре ток термогенерации является основной составляющей обратного тока.
Обратный ток диода зависит от температуры корпуса еще сильнее и имеет положительный коэффициент. Так, при увеличении температуры на каждые 10 С обратный ток германиевых диодов увеличивается в 2 раза, а кремниевых — 2 5 раза. [4]
| Схема замещения фотодиода.| Семейство вольт-амперных характеристик фотодиода.| Относительная спектральная чувствительность г германиевых и кремниевых фотодиодов. [5] |
Обратный ток диода возрастает при освещении p — n — перехода. Этот эффект может использоваться для фотометрических измерений. С этой целью в корпусе фотодиода делается прозрачное окно. На рис. 10.5 показано схемное обозначение фотодиода, на рис. 10.6 приведена его схема замещения, а на рис. 10.7 представлено семейство характеристик. Для фотодиодов характерно наличие тока короткого замыкания, который пропорционален его освещенности, поэтому в отличие от фоторезисторов фотодиод может использоваться без дополнительного источника питания.
Обратный ток диода изме-ряется микроамперметром ИТ. Выходное сопротивление генератора постоянного напряжения должно быть достаточно малым, так как выходное напряжение ГН не должно меняться более чем на 1 % при изменении величины / обр от нуля до максимального ( для испытываемого диода) значения. Вольтметр включают до измерителя тока и его блока защиты БЗ. Поэтому падение напряжения на измерителе тока и токонесущих элементах схемы защиты не должно превышать 2 % от устанавливаемой величины обратного напряжения. Если генератор напряжения питается от сети, то пульсации на его выходе не должны превышать 1 % от выходного напряжения.
| Схема измерения параметров диода при постоянном напряжении.| Схема измерения параметров диодов при переменном напряжении. [8] |
Обратный ток диода измеряют при фиксированной величине обратного напряжения. Подводимое напряжение может быть как постоянным, так и переменным. [9]
Обратный ток диода — ток, протекающий через диод, к которому приложено постоянное напряжение, равное наибольшему обратному напряжению. При этом отрицательный полюс источника напряжения присоединен к положительному выводу диода. [10]
| Схемы для исследования процессов переключения. [11] |
Обратный ток диода измеряется с помощью осциллографа. Сигнал, пропорциональный току диода, снимается с небольшого сопротивления R и подается на вход вертикального усилителя осциллографа.
Замыкание и размыкание ключа / Ci позволяет исследовать процессы в диоде соответственно при малом и большом внешнем сопротивлении в цепи диода.
[12]
Обратный ток диода 1обр при температуре 50 не превышает 0 3 ма. [13]
Обратным током диода называется амплитудное значение тока, проходящего через диод в обратном направлении при приложении к диоду переменного напряжения, замеряемого пиковым прибором или осциллографом. [14]
Рассчитать обратный ток диода при 350 К, если при 300 К он равен 10 мкА, а Вд7500 К. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5
Защита от обратного тока с использованием диода
Мы обсуждали различные типы диодов в предыдущем посте. В этом посте мы узнаем о защите от обратного тока с помощью диода. Это основное, но важное применение диода.
Концепция: обратный ток Когда напряжение на выходе системы больше, чем на входе, ток течет от выхода к входу через цепь.
Этот ток известен как обратный ток. Это увеличивает рассеиваемую мощность в цепи. Это может привести к повреждению внутренней схемы, схемы источника питания, кабелей и разъемов. Простейшей защитой от обратного тока является диод, включенный последовательно с источником питания.
Рассмотрим приведенную выше схему. Когда батарея подключена с правильной полярностью, диод загорается, и схема работает нормально. Когда батарея подключена с обратной полярностью, прямого напряжения недостаточно для включения диода. В этом случае диод действует как разомкнутая цепь, которая разрывает цепь. Это приводит к защите нагрузки от обратного тока.
Обратный диод Внезапное изменение тока питания индуктивной нагрузки (например, реле, двигателя) вызывает скачки напряжения на ней. Эти (отрицательные) всплески напряжения приводят к обратной связи, которая может повредить близлежащие компоненты схемы.
Для защиты компонента от обратного хода используется диод. Этот диод дает сигналу отрицательного напряжения безопасный путь к разряду (т. е. импульсный сигнал проходит через катушку индуктивности и диод снова и снова, пока не станет равным нулю).
Рассмотрим схему с обычным диодом, реле 12 В и транзистором, действующим как переключатель. Уменьшение тока уменьшает магнитное поле, как только реле выключается. Это изменение магнитного поля индуцирует ток. Индукционный ток генерирует высокое напряжение на транзисторе при отсутствии диода на реле. Для защиты транзистора используется диод, называемый обратным диодом. Его еще называют обратноходовой или снабберный диод .
Диоды Ограничение защиты от обратного тока Использование диода последовательно с аккумулятором является простым и дешевым средством защиты от обратного тока. Но есть и обратная сторона этого. Тепло, выделяющееся в диоде при защите схемы от обратного тока, может быть достаточно сильным, чтобы диод перегорел.
Генерируемая мощность = В F x Ток
Для обычного диода 1N4007, имеющего В F = 1,1 В и при нагрузке с током 1,5 Ампер.
Генерируемая мощность = 1,1 x 1,5 = 1,65 Вт
Итак, мы имеем дело с 1,65 Вт тепла (потеря мощности) . При проектировании электроники мы должны ограничить рассеиваемую мощность до минимально возможного значения. Итак, давайте сделаем это более эффективно.
Теперь рассмотрим диод Шоттки MBD101 с типичным В F = 0,5 В вместо обычного диода. Сейчас
Генерируемая мощность = 0,5 x 1,5 = 0,75 Вт
Чем выше прямое напряжение, тем больше выделяется тепла. Следовательно, диод Шоттки является разумным выбором для защиты от обратного тока. При выборе диода Шоттки следует позаботиться о его обратном токе утечки. Значение обратного тока утечки должно быть как можно меньше.
Следовательно, уменьшение прямого напряжения уменьшит рассеиваемую мощность, а с диодом Шоттки рассеиваемая мощность будет минимальной (например, 0,2 Вт или ниже).
Диод для защиты от обратного тока хорош, когда нет проблем с рассеиваемой мощностью. Очень скоро мы увидим другие эффективные методы защиты от обратного тока. Это для этого поста. Спасибо за чтение.
О Рошанкумар Бхамаре
Рошанкумар Бхамаре получил степень магистра в области электроники и телекоммуникаций. В настоящее время преподает в инженерном колледже. Он является пожизненным членом Индийского общества технического образования (ISTE). Он также является соавтором BINARYUPDATES.COM. Его текущие интересы включают инструменты автоматизации проектирования электроники (EDA), схемы на основе микроконтроллеров.
Назад Какие существуют типы диодов?
Далее Что такое конденсатор
Защита от обратного тока 101 | Видео TI.com
Электронная почта
Всем привет.
Меня зовут Зак, и сегодня мы подробно рассмотрим защиту от обратного тока. Мы начнем с рассмотрения причин и рисков, связанных с обратным током, а затем поговорим о доступных вариантах предотвращения обратного тока. А после мы более подробно рассмотрим каждое из ранее представленных решений на примере из портфолио Texas Instruments.
Итак, причины и риски обратного тока. Ток меняется на противоположный, когда вы подключаете аккумулятор к компоненту в обратном направлении или с неправильной полярностью. Он посылает ток в противоположном направлении, в котором он должен проходить по цепи, что может привести к внутреннему повреждению.
Другой причиной обратного тока являются случайные короткие замыкания. При возникновении любой из этих ситуаций могут быть повреждены некоторые внутренние компоненты, как показано на слайде, или сама батарея. Ни одна из этих ситуаций явно не является хорошей.
Итак, что можно сделать, чтобы предотвратить повреждение вашей системы обратным током? На высоком уровне поток обратного тока или обратное напряжение смещения должны быть очень низкими, чтобы предотвратить повреждение.
Это может быть обеспечено использованием диода или транзистора. Справа вы можете увидеть примеры этих устройств, включая варианты транзисторов PNP и NPN.
Начнем с диодов. Это самый простой и дешевый способ получить защиту от обратного тока. Поэтому, если у вас есть слаботочное приложение, которое нуждается в защите от обратного тока, диоды — это то, что вам нужно. Однако следует иметь в виду недостатки, в том числе прямое падение напряжения, вызванное диодом. Это приводит к сокращению срока службы батареи, ограничению VCC и отслеживанию энергопотребления схемой.
Лучший способ смягчить эти недостатки — использовать диод Шоттки из-за его меньшего прямого падения. Однако у диодов Шоттки есть две проблемы: они дороже и имеют большую утечку обратного тока. Это может быть не то, что вам нужно в ситуации с защитой от обратного тока.
Другой альтернативой является использование полевого транзистора. Это полезно, когда вам нужно поддерживать целостность энергоэффективности вашей системы и VCC, потому что полевые транзисторы имеют очень низкое прямое падение напряжения.
Они также могут работать с приложениями с более высокими токами. Однако полевые транзисторы сложнее и дороже, чем диоды.
Справа, на верхнем изображении, вы можете видеть, что nMOSFET установлен в цепь заземления. А на нижнем рисунке вы можете увидеть pMOSFET, установленный на пути питания схемы. Эти nMOSFET работают, ориентируя внутренний диод в направлении нормального протекания тока, поэтому при неправильной установке батареи напряжение затвора mMOSFET становится низким, что предотвращает его включение и предотвращает протекание обратного тока.
Однако при правильной установке батареи напряжение на затворе высокое, и этот канал замыкает землю. Для pMOSFET это почти то же самое, за исключением того, что напряжение на затворе противоположно. Он становится низким для цепи.
Давайте подведем итоги, взглянув на реальный пример защиты от обратного тока из портфеля выключателей нагрузки Texas Instruments. Это ТПС22964C, который представляет собой переключатель нагрузки с низким сопротивлением 3 ампера с защитой от обратного тока.