Устройство, принцип работы и различие N-P-N и P-N-P транзисторов | Энергофиксик
Существуют два основных вида транзисторов: полевые и биполярные. Биполярные транзисторы, в свою очередь, также разделяются на тип с P-N-P и N-P-N переходом. В этом материале я вам расскажу об устройстве биполярных транзисторов и мы поговорим о принципе работы и в чем их основное различие. Итак, поехали.
Немного историиСогласно записям официальной истории дату 16.12.1947 года можно считать официальным днем рожденья одного из главных элементов всей электроники современности. Именно в этот день был представлен общественности первый транзистор, который был собран тремя учеными, а именно: Д. Бардин, У. Шокли и У. Браттейн.
yandex.ruПоявление биполярного транзистора позволило отказаться от использования электронных ламп. Вся современная электроника была бы невозможна без этого изделия. Вот такое важное открытие было совершено в середине 20-го столетия. Теперь от истории перейдем к нашим биполярным транзисторам.
Итак, биполярный транзистор схематически можно представить следующим образом:
Посмотрите внимательно на изображение, вам оно ничего не напоминает? Да, вы правы, если присмотреться и мысленно разделить зону N – перехода, то перед нами два соединенных между собой диода (запомните этот момент, в дальнейшем он нам понадобится).
Для определения какой проводимости перед нами диод, достаточно прочитать направление P-N перехода. На рисунке выше у нас проводимость типа P-N-P. Это означает, что перед нами транзистор прямой проводимости (так как принято считать, что ток проходит от плюса к минусу).
А вот у транзистора N-P-N типа проводимость обратная
Вы заметили, что в обоих вариантах исполнения присутствуют три вывода под названием:
Эмиттер (источник, генератор), База (основа) и Коллектор (сборщик, накопитель).
Схематическое обозначение транзисторовИз всего выше написанного вы уже наверняка поняли, что есть транзисторы обратной и прямой последовательности, а это значит, что и на схемах такие элементы должны иметь различия.
Давайте их рассмотрим.
Итак, обозначение транзистора прямой проводимости на схемах будет следующее:
А вот транзистор обратной проводимости обозначается уже так:
В старых советских мануалах транзисторы маркировались буквой «Т», а теперь обозначение сменили на «VT».
Как по схеме определить N-P-N или P-N-P транзистор перед вамиНа самом деле определить по схеме тип биполярного транзистора довольно просто, достаточно помнить следующее правило:
Как известно в N – полупроводнике имеется большое количество свободных электронов, а в полупроводнике P–типа расположены «дырки» — положительно заряженные частицы. А по общепринятой теории ток протекает от «плюса» к «минусу».
Если вы посмотрите на схему, то увидите, что эмиттер изображен со стрелкой, которая либо направлена к базе либо от нее. Так вот если транзистор N-P-N типа, то есть база выполнена из P– полупроводника, то ток течет от базы (стрелка эмиттера от базы). Если же база выполнена из N — полупроводника, то ток (стрелка) втекает в базу.
С обозначением и устройством вроде все понятно, а вот как он работает давайте разбираться:
Давайте представим биполярный транзистор в виде водяной трубы с задвижкой с пружинным механизмом.
Как видно из рисунка сверху беспрепятственному протеканию воды по трубе мешает задвижка с пружинным механизмом, если мы приложим небольшое усилие (откроем задвижку сжав пружину), то вода беспрепятственно потечет по трубе. Если же мы отпустим пружину, то она распрямится и вернет задвижку на место, тем самым перекрыв трубу и поток воды будет остановлен.
Теперь вообразите, что данная труба — это транзистор P-N-P типа, значит его выводы можно представить следующим образом:
Получается, чтобы ток протекал от эмиттера к коллектору (напоминаю, что направление тока совпадает с направлением стрелки на эмиттере) нужно сделать так, чтобы ток выходил из базы, или говоря по простому: подать на базу минус.
Давайте наглядно проверим работу такого транзистора.
Для этого возьмем КТ814Б и соберем простенькую схему с двумя источниками питания.
Для того, чтобы правильно подключить транзистор необходимо знать какой вывод является эмиттером, базой и коллектором. Для этого находим техническую документацию и определяем:
Лампочку я буду использовать самую обычную автомобильную, рассчитанную на 12 Вольт. Собранная схема будет выглядеть так:
Итак, чтобы наша схема заработала выставляем на источнике питания №2 12 Вольт. А на первом источнике питания начинаем очень плавно (с нуля) поднимать напряжение ровно до того момента, пока не загорится наша лампа.
Схема заработала при напряжении 0,66 Вольт на первом источнике.
То есть произошло «открытие» транзистора и через цепь эмиттер-коллектор начал проходить ток.
Иначе говоря, напряжение, которое открыло наш транзистор — это ни что иное как падение напряжения на P-N переходе база-эмиттер, которое как раз и находится в пределах от 0,5 до 0,7 В для кремниевых транзисторов.
А как дела обстоят с транзисторами, где используется N-P-N переход.
Принцип работы N-P-N транзистора
Если внимательно посмотреть на техническую документацию к транзистору КТ814Б, то можно найти запись о том, что комплиментарной парой к этому транзистору является КТ815Б, а он различается лишь тем что здесь используется N-P-N переход.
yandex.ruИ схема подключения будет выглядеть так:
Посмотрите внимательно на эту схему и схему включения КТ814Б, вы ничего не заметили? Все верно, единственное различие между этими двумя транзисторами заключено в том, что транзистор с P-N-P переходом открывается «минусом» (так как на базу подается отрицательный потенциал), а вот транзистор N-P-N открывается «плюсом».
Заключение
В этом материале мы с вами познакомились с устройством биполярных транзисторов, их устройстве и принципе работы, а также с тем как они обозначаются на схемах. Если статья оказалась вам интересна или полезна, то оцените ее лайком. Спасибо за ваше внимание!
Как работает транзистор npn, pnp (полевой n-канальный и p-канальный)
Нашу сильную зависимость от электроники в современном мире не описать.
Если сказать, что без электроники мы не проживем, это не сказать ничего. Она уже сродни самому неотъемлемому, самому нужному и востребованному. То количество мест и гаджетов, где мы с ней встречаемся, мы даже перечислять не будем, на это хватит фантазии и у вас. Мы же хотели рассказать об одном обязательной составляющей каждого электронного девайса, о транзисторе.
Именно на транзисторах строятся все аналоговые и цифровые схемы применяемые в современных устройствах. А значит, от его работы зависит то, как эти самые гаджеты будут работать и то, как впоследствии электроника будет работать на нас. Такая неоспоримая цепочка…
Какие бывают транзисторы
Мы не будем вводить вас в далекий экскурс с чего все начиналось, что электронные лампы были дедушками и бабушками современных транзисторов. Не будем рассказывать об электронной эмиссии. О том, что процесс в этих самых лампах схож с транзисторами. Не будем описывать и различия между ними. Мы сразу приступим к главному. Надеясь на то, что все мы пропустили хотя и останется темным пятном, но не станет обременяющим обстоятельством препятствующим пониманию того, как же все-таки работает транзистор.
Итак, транзисторы бывают биполярные и полевые. Суть работы тех и других одинакова, разве что их кристаллы, вернее то как сращены разные типы кристаллов, различны.
В биполярных транзисторах это своеобразный гамбургер, если хотите пирог: p-n-p или n-p-n. То есть кристаллы с различной проводимостью напаяны последовательно друг за друга. Таким образуют они образуют своеобразный «бутерброд».
В полевых транзисторах есть также n кристалл и p кристалл, но они между спаяны не последовательно, а параллельно. При этом ток не проходит через разные типы проводимости кристаллов, а идет все время по одному типу. А запирается в этом случае проводимый кристалл с помощью электрического поля управляющего затвора. Отсюда и название полевой.
Еще транзисторы бывают низкочастотные, среднечастотные и высокочастотные. А также могут работать с различными токами, но это все нюансы…
Как работает транзистор (картинка с анимацией — видео)
Итак, теперь непосредственно о насущном.
Самое сложное, что нам придется вам объяснить, так это то, что как раз и скрыто от глаз человека. Ведь движение тока в проводнике, в различного рода проводимости кристаллах, не посмотришь и не увидишь. Именно поэтому необходимо иметь большую фантазию и очень наглядное пособие, чтобы довести до вас принцип работы транзистора.
Есть и еще одно «но». Человек всегда привык строить какие-то эквивалентные системы, если непосредственно изучаемая система не дает ему полного представления, а самое главное наглядного примера о том, как же все-таки все устроено. Так и в нашем случае, взгляните на картинку…
Работа транзистора представлена в виде канала с управляемой средой, даже здесь два канала. В качестве каналов выступают контакты транзистора, а управляемой средой является ток. Управляя запорным клапаном на базе или затворе (маленький канал) мы тем самым открываем и большой канал, между эмиттером и коллектором или стоком и истоком.
Именно этот большой канал и является нашей целью управления. Открывая маленький канал, мы открываем и большой! Вот главное правило работы транзистора. По-другому не бывает, по крайней мере, в нормальных режимах работы транзистора без пробоев. Управляющий клапан на базе, то есть малый канал открывается первым, тем самым провоцируя и открывание большого канала.
На нем видно как в зависимости от пропуска тока, через контакты транзистора будут происходить и коммутации вокруг его выводов.
Схема подключения транзисторов npn pnp (полевых транзистор)
Теперь о том же самом, но на примере подключения транзистора в схеме. На входе имеется сигнал достаточный для свечения лампы (светодиода) даже с учетом сопротивления транзистора. Но если подать на управляющий вывод (затвор) запирающий потенциал, то сопротивление увеличиться и лампа погаснет.
* — гиф анимация описывает работу полевого транзистора, когда есть поле, которое и управляет проводимостью в элементе.
На самом деле это лишь один из примеров подключения транзистора. Вариаций его подключений великое множество. Здесь главное донести суть работы радиоэлемента, а не саму схему подключения.
Последнее о чем хотелось сказать в статье о принципах работы транзистора, так это о том, что база должна всегда оставаться чуть «зажата», то есть ограничена сопротивлением.
Это позволяет разграничить управляющий малый ток и большой управляемый. Если же убрать сопротивление, то ток будет течь по пути с наименьшим сопротивлением, то есть весь или преимущественно через базу… В этом случае теряется весь смысл транзистора, так как он ничем ни будет управлять, а будет просто пропускать через себя ток. При этом «большой» ток пойдет через базу и может еще и вывести его из строя, что нам совсем не нужно!
Из особенностей надо отметить несколько разные сферы применяемости транзисторов. NPN, PNP транзисторы способны открываться как бы постепенно, и быстродействие у них ниже. То есть они более подходят для аналоговых схем, а вот полевые срабатывают быстрее. При этом свойства статичного поля может быть использовано даже без подачи какого-либо напряжения на него, если это поле создать за счет подкладки, находящейся в зоне управления тоннелем по которому протекает ток. В итоге получается уже не транзистор, а ячейка памяти. Такие ячейки активно используются в современных SSD дисках.
NPN транзистор. Устройство и принцип работы, схема подключения
Итак, транзистор, в котором один полупроводник p-типа размещен между двумя полупроводниками n-типа, известен как NPN-транзистор.
Транзистор NPN усиливает сигнал, поступающий на базу, и генерирует усиленный сигнал на коллекторе. В NPN-транзисторе направление движения электрона происходит от эмиттера к коллектора, из-за чего ток и протекает через транзистор. Устройства такого типа очень часто используют в электрических схемах, потому что их основными носителями заряда являются электроны, которые имеют высокую подвижность по сравнению с дырками (положительно заряженные носители).
Конструкция NPN транзистора
Транзистор NPN, по сути, это два диода, соединенных друг с другом. Диод на левой стороне называется диод на основе перехода «эмиттер-база», а диоды на правой стороне называют диод на основе коллекторного перехода. Имена были подобраны согласно названию переходов.
Транзистор NPN имеет три клеммы, а именно эмиттер, коллектор и базу.
Схема включения NPN транзистора
Принципиальная схема NPN-транзистора показана на рисунке ниже. Коллектор и база подключены в обратном смещении, а эмиттер и база подключены в прямом смещении. Коллектор и база, через которую ведется управление состоянием транзистора ВКЛ./ВЫКЛ., всегда подключены к положительному полюсу источника питания, а эмиттер подключен к отрицательному полюсу источника питания.
Как работает NPN транзистор
Принципиальная схема NPN-транзистора показана на рисунке ниже. Прямое смещение применяется через соединение эмиттер-база, а обратное смещение применяется через соединение коллектор-база. Напряжение прямого смещения V
Эмиттер NPN-транзистора сильно легирован. Когда прямое смещение прикладывается к эмиттеру, большинство носителей заряда движутся к базе. Это вызывает протекание тока эмиттера IE. Электроны входят в материал P-типа и соединяются с дырками.
База NPN-транзистора слегка легирована. Из-за чего только несколько электронов объединяются, а оставшиеся составляют ток базы I
Весь ток эмиттера входит в базу. Таким образом, можно сказать, что ток эмиттера является суммой токов коллектора и базы.
Как работает биполярный транзистор | Volt-info
Если рассматривать механические аналоги, то работа транзисторов напоминает принцип действия гидравлического усилителя руля в автомобиле. Но, сходство справедливо только при первом приближении, поскольку в транзисторах нет клапанов. В этой статье мы отдельно рассмотрим работу биполярного транзистора.
Устройство биполярного транзистора
Основой устройства биполярного транзистора является полупроводниковый материал.
Первые полупроводниковые кристаллы для транзисторов изготавливали из германия, сегодня чаще используется кремний и арсенид галлия. Сначала производят чистый полупроводниковый материал с хорошо упорядоченной кристаллической решеткой. Затем придают необходимую форму кристаллу и вводят в его состав специальную примесь (легируют материал), которая придаёт ему определённые свойства электрической проводимости. Если проводимость обуславливается движением избыточных электронов, она определяется как донорная (электронная) n-типа. Если проводимость полупроводника обусловлена последовательным замещением электронами вакантных мест, так называемых дырок, то такая проводимость называется акцепторной (дырочной) и обозначается проводимостью p-типа.
Рисунок 1.
Кристалл транзистора состоит из трёх частей (слоёв) с последовательным чередованием типа проводимости (n-p-n или p-n-p). Переходы одного слоя в другой образуют потенциальные барьеры. Переход от базы к эмиттеру называется эмиттерным (ЭП), к коллектору – коллекторным (КП).
На рисунке 1 структура транзистора показана симметричной, идеализированной. На практике при производстве размеры областей значительно ассиметричны, примерно как показано на рисунке 2. Площадь коллекторного перехода значительно превышает эмиттерный. Слой базы очень тонкий, порядка нескольких микрон.
Рисунок 2.
Принцип действия биполярного транзистора
Любой p-n переход транзистора работает аналогично диоду. При приложении к его полюсам разности потенциалов происходит его «смещение». Если приложенная разность потенциалов условно положительна, при этом p-n переход открывается, говорят, что переход смещён в прямом направлении. При приложении условно отрицательной разности потенциалов происходит обратное смещение перехода, при котором он запирается. Особенностью работы транзистора является то, что при положительном смещении хотя бы одного перехода, общая область, называемая базой, насыщается электронами, или электронными вакансиями (в зависимости от типа проводимости материала базы), что обуславливает значительное снижение потенциального барьера второго перехода и как следствие, его проводимость при обратном смещении.
Режимы работы
Все схемы включения транзистора можно разделить на два вида: нормальную и инверсную.
Рисунок 3.
Нормальная схема включения транзистора предполагает изменение электрической проводимости коллекторного перехода путём управления смещением эмиттерного перехода.
Инверсная схема, в противоположность нормальной, позволяет управлять проводимостью эмиттерного перехода посредством управления смещением коллекторного. Инверсная схема является симметричным аналогом нормальной, но в виду конструктивной асимметрии биполярного транзистора малоэффективна для применения, имеет более жёсткие ограничения по максимально допустимым параметрам и практически не используется.
При любой схеме включения транзистор может работать в трёх режимах: Режим отсечки, активный режим и режим насыщения.
Для описания работы направление электрического тока в данной статье условно принято за направление электронов, т.
е. от отрицательного полюса источника питания к положительному. Воспользуемся для этого схемой на рисунке 4.
Рисунок 4.
Режим отсечки
Для p-n перехода существует значение минимального напряжения прямого смещения, при котором электроны способны преодолеть потенциальный барьер этого перехода. То есть, при напряжении прямого смещения до этой пороговой величины через переход не может протекать ток. Для кремниевых транзисторов величина такого порога равна примерно 0,6 В. Таким образом, при нормальной схеме включения, когда прямое смещение эмиттерного перехода не превышает 0,6 В (для кремниевых транзисторов), ток через базу не протекает, она не насыщается электронами, и как следствие отсутствует эмиссия электронов базы в область коллектора, т.е. ток коллектора отсутствует (равен нулю).
Таким образом, для режима отсечки необходимым условием являются тождества:
UБЭ<0,6 В
или
IБ=0
Активный режим
В активном режиме эмиттерный переход смещается в прямом направлении до момента отпирания (начала протекания тока) напряжением больше 0,6 В (для кремниевых транзисторов), а коллекторный – в обратном.
Если база обладает проводимостью p-типа, происходит перенос (инжекция) электронов из эмиттера в базу, которые моментально распределяются в тонком слое базы и почти все достигают границы коллектора. Насыщение базы электронами приводит к значительному уменьшению размеров коллекторного перехода, через который электроны под действием отрицательного потенциала со стороны эмиттера и базы вытесняются в область коллектора, стекая через вывод коллектора, обуславливая тем самым ток коллектора. Очень тонкий слой базы ограничивает её максимальный ток, проходящий через очень малое сечение поперечного разреза в направлении вывода базы. Но эта малая толщина базы обуславливает её быстрое насыщение электронами. Площадь переходов имеет значительные размеры, что создаёт условия для протекания значительного тока эмиттер-коллектор, в десятки и сотни раз превышающий ток базы. Таким образом, пропуская через базу незначительные токи, мы можем создавать условия для прохождения через коллектор токов гораздо большей величины.
Чем больше ток базы, тем больше её насыщение, и тем больше ток коллектора. Такой режим позволяет плавно управлять (регулировать) проводимостью коллекторного перехода соответствующим изменением (регулированием) тока базы. Это свойство активного режима транзистора используется в схемах различных усилителей.
В активном режиме ток эмиттера транзистора складывается из тока базы и коллектора:
IЭ=IК+IБ
Ток коллектора можно выразить соотношением:
IК=αIЭ
где α – коэффициент передачи тока эмиттера
Из приведённых равенств можно получить следующее:
где β – коэффициент усиления тока базы.
Режим насыщения
Предел увеличения тока базы до момента, когда ток коллектора остаётся неизменным определяет точку максимального насыщения базы электронами.
Дальнейшее увеличение тока базы не будет изменять степень её насыщения, и ни как не будет влиять на ток коллектора, может привести к перегреву материала в области контакта базы и выходу транзистора из строя. В справочных данных на транзисторы могут быть указаны величины тока насыщения и максимально допустимого тока базы, либо напряжения насыщения эмиттер-база и максимально допустимого напряжения эмиттер-база. Эти пределы определяют режим насыщения транзистора при нормальных условиях его работы.
Режим отсечки и режим насыщения эффективны при работе транзисторов в качестве электронных ключей для коммутации сигнальных и силовых цепей.
Отличие в принципе работы транзисторов с различными структурами
Выше был рассмотрен случай работы транзистора n-p-n структуры. Транзисторы p-n-p структуры работают аналогично, но есть принципиальные отличия, которые следует знать. Полупроводниковый материал с акцепторной проводимостью p-типа обладает сравнительно низкой пропускной способностью электронов, так как основан на принципе перехода электрона от одного вакантного места (дырки) к другому.
Когда все вакансии замещены электронами, то их движение возможно только по мере появления вакансий со стороны направления движения. При значительной протяжённости участка такого материала он будет обладать значительным электрическим сопротивлением, что приводит к большим проблемам при его использовании в качестве наиболее массивных коллекторе и эмиттере биполярных транзисторов p-n-p типа, чем при использовании в очень тонком слое базы транзисторов n-p-n типа. Полупроводниковый материал с донорной проводимостью n-типа обладает электрическими свойствами проводящих металлов, что делает его более выгодным для использования в качестве эмиттера и коллектора, как в транзисторах n-p-n типа.
Эта отличительная особенность различных структур биполярных транзисторов приводит к большим затруднениям при производстве пар компонент с различными структурами и аналогичными друг другу электрическими характеристиками. Если обратить внимание на справочные данные характеристик пар транзисторов, можно заметить, что при достижении одинаковых характеристик двух транзисторов различных типов, например КТ315А и КТ361А, несмотря на их одинаковую мощность коллектора (150 мВт) и примерно одинаковый коэффициент усиления по току (20-90), у них отличаются максимально допустимые токи коллектора, напряжения эмиттер-база и пр.
P.S. Данное описание принципа действия транзистора было интерпретировано с позиции Русской Теории, поэтому здесь нет описания действия электрических полей на вымышленные положительные и отрицательные заряды. Русская Физика даёт возможность пользоваться более простыми, понятными механическими моделями, наиболее приближенными к действительности, чем абстракции в виде электрических и магнитных полей, положительных и электрических зарядов, которые вероломно подсовывает нам традиционная школа. По этой причине не рекомендую без предварительного анализа и осмысления пользоваться изложенной теорией при подготовке к сдаче контрольных, курсовых и иных видов работ, Ваши преподаватели могут просто не принять инакомыслие, даже конкурентоспособное и вполне состоятельное с точки зрения здравого смысла и логики. Кроме того, с моей стороны это первая попытка описания работы полупроводникового прибора с позиции Русской Физики, может уточняться и дополняться в дальнейшем.
Как работает транзистор?
- Подробности
- Категория: Начинающим
- Опубликовано 29.
11.2013 14:41 - Автор: Admin
- Просмотров: 35205
11.2013 14:41Транзисторы – это радиоэлектронные компоненты из полупроводникового материала, которые предназначены для преобразований, усилений и генерации электрических колебаний.
Но всё же, как работает транзистор? Говоря простым языком с помощью транзистора можно управлять током. Транзисторами называются любые устройства, которое способно имитировать главные его свойства, а именно – изменять сигнал между двумя разными типами состояний при изменениях сигнала на управляющем электроде.
Транзисторы бывают двух типов:
- полевые;
- биполярные.
Материалами изготовления служат германий и кремний, но при добавлении примесей способность проводить ток возрастает. Нужно рассмотреть оба типа транзисторов, для того чтобы понять как работает транзистор? На рисунке представлены три области p-n-p или n-p-n из которых состоит любой биполярный транзистор.
Структура транзистора
В биполярных транзисторах носители зарядов двигаются от эмиттера к коллектору. База отделяется от коллектора и эмиттера p-n переходами. Протекает ток через транзистор лишь при инжектировании носителей заряда через p-n переход из эмиттера в базу. Находясь в базе, они начинают становиться неосновными носителями заряда и достаточно легко проникают через p-n переходы. Управление током между коллектором и эмиттером осуществляется за счет изменения напряжения между базой и эмиттером.
Конструкция транзистора
Как работает транзистор в цепи электрического тока?
Основной принцип работы транзистора заключается в управлении электрическим током с помощью незначительного тока являющегося своего рода управляющим током. В полевых транзисторах носители зарядов движутся к коллектору от эмиттера через базу. Существует канал, в легированном проводнике находясь в промежутке между нелегированной подложкой и затвором.
В подложке отсутствует заряд, и она не проводит ток. Перед затвором есть область обеднения с отсутствием носителей заряда.
Таким образом, вся ширина канала ограничивается пространством между областью обеднения и пространством между подложкой. Напряжение, прикладываемое к затвору, уменьшает или увеличивает область обеднения, и тем самым ширину самого канала, контролируя при этом ток.
Многие начинающие радиолюбители не так представляют себе принцип работы транзистора. Они думают, что транзистор способен усилить мощность источника питания, но это далеко не так. Важно понимать, что транзистор управляет большим током коллектора с помощью маленького тока протекающего через базу. Здесь речь идет скорее всего об управлении чем об усилении.
Схема подключение транзистора
Схема состоит из двух электрических цепей :
- цепь эмиттера;
- цепь коллектора;
В цепи эмиттера протекает незначительный ток, который управляет током коллектора.
На выходе мы получаем «копию» тока эммитера но усиленного в несколько раз.
Интересное видео о принципе действия транзистора
- < Назад
- Вперёд >
Добавить комментарий
Принцип работы биполярного транзистора
В свое время транзисторы пришли на смену электронным лампах. Это произошло благодаря тому, что они имеют меньшие габариты, высокую надежность и менее затратную стоимость производства. Сейчас, биполярные транзисторы являются основными элементами во всех усилительных схемах.
Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый элемент, имеющий трехслойную структуру, которая образует два электронно-дырочных перехода. Поэтому транзистор можно представить в виде двух встречно включенных диода. В зависимости от того, что будет являться основными носителями заряда, различают p-n-p и n-p-n транзисторы.
База – слой полупроводника, который является основой конструкции транзистора.
Эмиттером называется слой полупроводника, функция которого инжектирование носителей заряда в слой базы.
Коллектором называется слой полупроводника, функция которого собирать носители заряда прошедшие через базовый слой.
Как правило, эмиттер содержит намного большее количество основных зарядов, чем база. Это основное условие работы транзистора, потому что в этом случае, при прямом смещении эмиттерного перехода, ток будет обуславливаться основными носителями эмиттера. Эмиттер сможет осуществлять свою главную функцию – впрыск носителей в слой базы. Обратный ток эмиттера обычно стараются сделать как можно меньше. Увеличение основных носителей эмиттера достигается с помощью высокой концентрации примеси.
Базу делают как можно более тонкой. Это связано с временем жизни зарядов.
Носители зарядов должны пересекать базу и как можно меньше рекомбинировать с основными носителями базы, для того чтобы достигнуть коллектора.
Для того чтобы коллектор мог наиболее полнее собирать носители прошедшие через базу его стараются сделать шире.
Принцип работы транзистора
Рассмотрим на примере p-n-p транзистора.
В отсутствие внешних напряжений, между слоями устанавливается разность потенциалов. На переходах устанавливаются потенциальные барьеры. Причем, если количество дырок в эмиттере и коллекторе одинаковое, тогда и потенциальные барьеры будут одинаковой ширины.
Для того чтобы транзистор работал правильно, эмиттерный переход должен быть смещен в прямом направлении, а коллекторный в обратном. Это будет соответствовать активному режиму работы транзистора. Для того чтобы осуществить такое подключение, необходимы два источника. Источник с напряжением Uэ подключается положительным полюсом к эмиттеру, а отрицательным к базе.
Источник с напряжением Uк подключается отрицательным полюсом к коллектору, а положительным к базе. Причем Uэ < Uк.
Под действием напряжения Uэ, эмиттерный переход смещается в прямом направлении. Как известно, при прямом смещении электронно-дырочного перехода, внешнее поле направлено противоположно полю перехода и поэтому уменьшает его. Через переход начинают проходить основные носители, в эмиттере это дырки 1-5, а в базе электроны 7-8. А так как количество дырок в эмиттере больше, чем электронов в базе, то эмиттерный ток обусловлен в основном ими.
Эмиттерный ток представляет собой сумму дырочной составляющей эмиттерного тока и электронной составляющей базы.
Так как полезной является только дырочная составляющая, то электронную стараются сделать как можно меньше. Качественной характеристикой эмиттерного перехода является коэффициент инжекции.
Коэффициент инжекции стараются приблизить к 1.
Дырки 1-5 перешедшие в базу скапливаются на границе эмиттерного перехода. Таким образом, создается высокая концентрация дырок возле эмиттерного и низкая концентрация возле коллекторного перехода, в следствии чего начинается диффузионное движение дырок от эмиттерного к коллекторному переходу. Но вблизи коллекторного перехода концентрация дырок остается равной нулю, потому что как только дырки достигают перехода, они ускоряются его внутренним полем и экстрагируются (втягиваются) в коллектор. Электроны же, отталкиваются этим полем.
Пока дырки пересекают базовый слой они рекомбинируют с электронами находящимися там, например, как дырка 5 и электрон 6. А так как дырки поступают постоянно, они создают избыточный положительный заряд, поэтому, должны поступать и электроны, которые втягиваются через вывод базы и образуют базовый ток Iбр. Это важное условие работы транзистора – концентрация дырок в базе должна быть приблизительно равна концентрации электронов. Другими словами должна обеспечиваться электронейтральность базы.
Количество дырок дошедших до коллектора, меньше количество дырок вышедших из эмиттера на величину рекомбинировавших дырок в базе. То есть, ток коллектора отличается от тока эмиттера на величину тока базы.
Отсюда появляется коэффициент переноса носителей, который также стараются приблизить к 1.
Коллекторный ток транзистора состоит из дырочной составляющей Iкр и обратного тока коллектора.
Обратный ток коллектора возникает в результате обратного смещения коллекторного перехода, поэтому он состоит из неосновных носителей дырки 9 и электрона 10. Именно потому, что обратный ток образован неосновными носителями, он зависит только от процесса термогенерации, то есть от температуры. Поэтому его часто называют тепловым током.
От величины теплового тока зависит качество транзистора, чем он меньше, тем транзистор качественнее.
Коллекторный ток связан с эмиттерным коэффициентом передачи тока.
Токи в транзисторе можно представить следующим образом
Основное соотношение для токов транзистора
Ток коллектора можно выразить как
Из вышесказанного можно сделать вывод, что изменяя ток в цепи база – эмиттер, мы можем управлять выходным током коллектора. Причем незначительное изменение тока базы, вызывает значительное изменение тока коллектора.
Принцип работы и схема биполярного транзистора.
На нашем сайте вышел обновленный курс по электронике! Мы рады предложить Вам новые статьи по этой теме:
Всем доброго времени суток! Мы продолжаем изучать основы электроники и сегодня пришло время разобраться как работает транзистор и что это вообще за зверь такой. Сразу отметим, что они делятся на два больших класса – биполярные и полевые, так вот в этой статье речь пойдет исключительно о биполярных транзисторах.
Полевые пока немного подождут, но и до них мы доберемся 🙂
Итак, приступаем!
Биполярный транзистор является одним из самых важных и основных активных компонентов. Основная цель работы биполярного транзистора заключается в увеличении сигнала по мощности. Естественно, мощность не может появиться просто из воздуха, законы физики никто не отменял, поэтому в транзисторе увеличение мощности входного сигнала достигается за счет внешнего источника питания. Еще раз повторюсь и уточню, что усиление заключается именно в увеличении мощности, в отличие от трансформатора, который может усиливать по напряжению, но при этом происходит ослабление тока, и мощность на выходе равна мощности на входе.
Двигаемся дальше. Биполярники бывают двух типов – n-p-n и p-n-p. Какого бы типа не был биполярный транзистор, он имеет три вывода (электрода), которые называются:
- коллектор
- эмиттер
- база
Схема биполярного транзистора.
Мы будем все обсуждать на примере n-p-n БТ, но в принципе для p-n-p все правила и законы точно такие же, но надо учитывать, что полярности напряжений должны быть изменены на противоположные.
Переходы база-эмиттер и база-коллектор представляют собой не что иное, как диоды (вот, кстати, статья о диодах), и в обычном рабочем режиме диод база-эмиттер открыт, а диод база-коллектор закрыт. Давайте посмотрим на визуальное представление схемы биполярного транзистора в виде комбинации диодов. Но тут необходимо уточнить, что в реальности биполярный транзистор не эквивалентен двум диодам. Представление транзистора в виде пары диодов используется только для облегчения понимания принципа его работы.
Теперь давайте на основе диодной модели, составим основные правила работы биполярного транзистора. Как уже упоминалось, диод база-эмиттер должен быть открыт, а, следовательно, напряжение на базе должно превышать напряжение на эмиттере на значение прямого напряжения диода (0.6 – 0.8 В). Таким образом:
U_б = U_э + 0.6\medspaceВ
Кстати, совсем забыл уточнить. Когда мы говорим «напряжение на коллекторе/эмиттере/базе», то подразумевается напряжение на соответствующем электроде, взятое по отношению к потенциалу земли(!).
Ну и, соответственно, если мы говорим о напряжении U_{бэ}, например, то имеется в виду напряжение между базой и эмиттером, то же самое относится к U_{бк} и U_{кэ} .
Возвращаемся обратно к работе биполярного транзистора!
С диодом база-эмиттер разобрались, теперь диод коллектор-база. Он должен быть смещен в обратном направлении для нормальной работы транзистора, поэтому потенциал коллектора должен быть более положительным, чем потенциал базы (для p-n-p полярности должны быть противоположными). Таким образом, если выполнены эти условия, то биполярный транзистор находится в режиме нормальной работы, при котором ток коллектора:
I_k = h_{21э}\medspace I_b
Величина h_{21э} – это коэффициент усиления по току. Вот мы и пришли к основному принципу работы транзистора, а именно: большой ток коллектора управляется небольшим значением тока базы.
С устройством БТ разобрались, уделили внимание схеме биполярного транзистора, давайте теперь рассмотрим парочку схем посложнее!
Схема ключа на биполярном транзисторе.
Вот такая вот несложная, но безумно полезная схема! Будем разбираться, как она работает.
Пусть нагрузка у нас потребляет ток 100 мА при 12 В. Если на входе у нас ничего нету, то потенциал базы равен потенциалу эмиттера и равен нулю. При таком раскладе у нас диод база-эмиттер закрыт и, следовательно, тока на выходе тоже нет. Транзистор тут находится в режиме отсечки (это значит, что оба перехода – база-коллектор и база-эмиттер – закрыты).
Подаем на вход положительное напряжение (ну, например, с ножки контроллера) и сразу же начинается движуха 🙂 Напряжение на базе составит около 0.6 В (диод база-эмиттер открыт) и в схеме начинает протекать ток базы. И к чему же это приведет? А вот к чему. Так как диод база-эмиттер открыт, а диод база-коллектор закрыт, то БТ находится в режиме усиления, а значит, через нагрузку потечет коллекторный ток. Соответственно, на нагрузке появится напряжение.
А это в свою очередь приведет к тому, что напряжение на коллекторе будет уменьшаться (смотрите сами, напряжение коллектора + напряжение на нагрузке в сумме должны составлять 12 В, если увеличивается одно из этих значений, второе уменьшается, чистая математика 🙂 ).
В итоге, когда ток коллектора увеличится до 100 мА, падение напряжения на нагрузке составит около 12 В (таковы параметры нагрузки у нас), и соответственно напряжение на коллекторе станет меньше, чем на базе. А это значит, что диод база-коллектор откроется и биполярный транзистор перейдет в режим насыщения (оба диода открыты), и дальнейшего роста тока не будет происходить.
Короче, пока на входе ничего нет – режим отсечки, подаем сигнал, транзистор, очень быстро минуя режим усиления, переходит в режим насыщения. В этом и заключается принцип работы биполярного транзистора в качестве ключа.
Есть тут, кстати, еще одна важная фишка. Пусть, к примеру, резистор в цепи базы имеет сопротивление 1 КОм. Пусть на базу подается 10 В. Тогда на этом резисторе будет напряжение 9.4 В (10 В минус прямое напряжение диода база-эмиттер). Рассчитаем ток базы – делим 9.4 В на 1 КОм и получаем 9.4 мА. Пусть коэффициент усиления транзистора равен 50.
Находим коллекторный ток: 9.4 мА * 50 = 470 мА. Вот такой получили расчет. Вроде бы все верно, но на самом деле все совсем не так и таким образом рассчитывать нельзя! Давайте разбираться, в чем тут ошибка.
Вспоминаем, что при значении тока коллектора 100 мА напряжение на нем становится мало относительно базы и биполярный транзистор насыщается. А значит дальнейшего роста тока быть не может! Таким образом, рассчитанные 470 мА на нагрузке мы не увидим, просто образуется так называемый избыток тока базы.
Итак, сегодня мы обсудили суть работы биполярного транзистора и его схему. Хотел я еще рассказать в этой статье про эмиттерный повторитель, но как то получилось объемно, а про повторитель надо поговорить обстоятельно и обширно, так что через пару дней в новой статье обязательно вернемся к биполярникам. До скорой встречи, следите за новостями 🙂
Как работают транзисторы — простое объяснение
Принцип работы транзисторов, вероятно, сложнее всего понять новичку.
По крайней мере, для меня.
Проблема в том, что почти все пытаются объяснить, что транзистор — это «… полупроводниковый прибор». И вместо того, чтобы просто рассказать вам, что он делает, они объясняют, что «… он состоит из материалов с примесью n и p».
Не знаю, как вы, но это утверждение мне не сильно помогло!
Позвольте мне просто рассказать вам, как работают транзисторы.Я даже сделал для вас видео, чтобы было понятнее.
Транзистор похож на электронный переключатель. Он может включать и выключать ток. Вы можете представить себе простой способ — рассматривать транзистор как реле без каких-либо движущихся частей. Транзистор похож на реле в том смысле, что вы можете использовать его для включения и выключения чего-либо.
БЕСПЛАТНО Бонус: Загрузите основные электронные компоненты [PDF] — мини-книгу с примерами, которая научит вас, как работают основные компоненты электроники.
Посмотрите видеообъяснение, которое я сделал для транзистора:
youtube.com/embed/MVAqfj9RTPA» frameborder=»0″ allowfullscreen=»allowfullscreen»/>
Существуют разные типы транзисторов. Очень распространенным является «транзистор с биполярным переходом» или «BJT». А обычно это выглядит так:
Имеет три контакта: база (b), коллектор (c) и эмиттер (e). И он доступен в двух версиях: NPN и PNP. Схематический символ NPN выглядит так:
Как работают транзисторы
Транзистор работает из-за чего-то, называемого полупроводниковым материалом.Ток, протекающий от базы к эмиттеру, «открывает» ток от коллектора к эмиттеру.
В стандартном транзисторе NPN необходимо приложить напряжение около 0,7 В между базой и эмиттером, чтобы ток протекал от базы к эмиттеру. Поэтому, когда вы подаете 0,7 В от базы к эмиттеру, вы включаете транзистор и позволяете току течь от коллектора к эмиттеру.
Давайте посмотрим на пример:
В приведенном выше примере вы можете увидеть, как работают транзисторы.
Батарея 9В подключается к светодиоду и резистору. Но подключается через транзистор. Это означает, что в этой части схемы не будет протекать ток, пока транзистор не включится.
Для включения транзистора необходимо подать 0,7 В от базы к эмиттеру транзистора. Представьте, что у вас есть небольшая батарея на 0,7 В. (В практической схеме вы должны использовать резисторы, чтобы получить правильное напряжение от любого источника напряжения)
Когда вы подключаете батарею 0,7 В от базы к эмиттеру, транзистор включается.Это позволяет току течь от коллектора к эмиттеру. И тем самым включив светодиод!
Подробнее о транзисторе
В этой статье я рассказал о транзисторе NPN, который включается, когда на базе есть напряжение. Также существует транзистор под названием PNP, который работает противоположным образом. Ознакомьтесь с моей статьей PNP-транзистор — как это работает? Узнать больше.
Транзистор — это еще и то, что заставляет работать усилители. Вместо того, чтобы иметь только два состояния (включено или выключено), он также может быть где угодно между «полностью включен» и «полностью выключен».
Небольшой «управляющий ток» затем может контролировать, насколько большая часть большего «основного тока» будет проходить через него. Таким образом, транзистор может усилить сигнал.
Если вы хотите узнать больше об использовании транзистора в качестве усилителя, на сайте electronics-lab.com есть несколько хороших руководств по трем базовым настройкам усилителя BJT.
Мы используем транзисторы почти во всей электронике, и это, наверное, самый важный компонент в электронике.
Вы понимаете, как работают транзисторы? Оставляйте свои комментарии и вопросы ниже! Затем посмотрите электрическую схему LDR и посмотрите, сможете ли вы ее понять.
Вернуться от принципов работы транзисторов к электронным компонентам в Интернете
Что такое транзистор NPN? — Определение, строительство и работа
Определение: Транзистор, в котором один материал p-типа помещен между двумя материалами n-типа, известен как NPN-транзистор .
NPN-транзистор усиливает слабый сигнал , поступающий на базу, и производит сильные сигналы усиления на конце коллектора. В NPN-транзисторе направление движения электрона — от эмиттера к области коллектора , благодаря чему в транзисторе образуется ток.Такой тип транзисторов чаще всего используется в схеме, потому что их основными носителями заряда являются электроны, которые имеют большую подвижность по сравнению с дырками.
Конструкция NPN-транзистора
NPN-транзистор имеет два диода, соединенных спина к спине. Диод на левой стороне называется диодом эмиттер-база, а диоды на левой стороне — диодом коллектор-база. Эти имена даны согласно названиям терминалов.
NPN-транзистор имеет три вывода: эмиттер, коллектор и базу.Средняя часть NPN-транзистора слегка легирована, и это наиболее важный фактор работы транзистора. Эмиттер умеренно легирован, а коллектор сильно легирован.
СхемаNPN транзистора
Принципиальная схема транзистора NPN показана на рисунке ниже.
Коллектор и база соединены с обратным смещением, в то время как эмиттер и база соединены с прямым смещением. Коллектор всегда подключен к положительному источнику питания, а база — к отрицательному источнику питания для управления состояниями ВКЛ / ВЫКЛ транзистора.
Работа NPN транзистора
Принципиальная схема транзистора NPN показана на рисунке ниже. Прямое смещение применяется к переходу эмиттер-база, а обратное смещение применяется к переходу коллектор-база. Напряжение прямого смещения V EB мало по сравнению с напряжением обратного смещения V CB .
Эмиттер NPN-транзистора сильно легирован. Когда к эмиттеру прикладывается прямое смещение, основные носители заряда движутся к базе.Это вызывает ток эмиттера I E . Электроны входят в материал P-типа и соединяются с дырками.
База NPN-транзистора слегка легирована. Из-за чего только несколько электронов объединяются, а оставшиеся составляют базовый ток I B .
Этот базовый ток входит в область коллектора. Обратный потенциал смещения области коллектора прикладывает высокую силу притяжения к электронам, достигающим коллекторного перехода. Таким образом притягивают или собирают электроны на коллекторе.
В базу вводится весь ток эмиттера. Таким образом, мы можем сказать, что ток эмиттера складывается из тока коллектора или базы.
ТранзисторNPN: что это такое? (Символ и принцип работы)
Что такое транзистор NPN
Транзистор NPN является наиболее часто используемым транзистором с биполярным переходом и создается путем размещения полупроводника P-типа между двумя полупроводниками N-типа. Транзистор NPN имеет три вывода — коллектор, эмиттер и базу.Транзистор NPN ведет себя как два диода с PN-переходом, соединенных спина к спине.
Эти встречные диоды с PN переходом известны как переход коллектор-база и переход база-эмиттер.
Что касается трех выводов транзистора NPN, эмиттер — это область, используемая для подачи носителей заряда в коллектор через базовую область.
Область коллектора собирает больше всего носителей заряда, испускаемых эмиттером. Область Base запускает и контролирует количество тока, протекающего через эмиттер к коллектору.
Эквивалентная схема NPN-транзистора показана на рисунке ниже.
Эквивалентная схема NPN-транзистораНапомним, полупроводник N-типа — это полупроводник, в котором доступно большое количество свободных электронов, и он действует как основной носитель заряда. Под действием разности потенциалов электроны получают достаточную энергию и переходят из валентной зоны в зону проводимости. Из-за движения электронов ток будет течь через полупроводник N-типа.
И наоборот, в полупроводниках P-типа электроны недоступны, и дырка действует как основной носитель заряда. Из-за движения дырок ток будет течь через полупроводник P-типа.
Конструкция NPN-транзистора
Как обсуждалось выше, NPN-транзистор имеет два перехода и три вывода. Конструкция транзистора NPN показана на рисунке ниже.
Конструкция NPN-транзистора Слои эмиттера и коллектора шире по сравнению с базой.
Излучатель сильно легирован. Следовательно, он может инжектировать в базу большое количество носителей заряда.
Основание слегка легировано и очень тонкое по сравнению с двумя другими областями. Больше всего переносчиков заряда он передает на коллектор, который излучается эмиттером.
Коллектор умеренно легирован и собирает носители заряда из базового слоя.
Обозначение транзистора NPN
Обозначение транзистора NPN показано на рисунке ниже. Стрелка показывает условное направление тока коллектора (I C ), тока базы (I B ) и тока эмиттера (I E ).
Обозначение транзистора NPNКак работает транзистор NPN
Переход база-эмиттер подключен в состоянии прямого смещения напряжением питания V EE . А переход коллектор-база подключен в состоянии обратного смещения напряжением питания V CC .
В состоянии прямого смещения отрицательная клемма источника питания (V EE ) подключена к полупроводнику N-типа (эмиттер).
Точно так же в состоянии обратного смещения положительный вывод источника питания (V CC ) подключен к полупроводнику N-типа (коллектор).
Область истощения области эмиттер-база тоньше по сравнению с областью истощения перехода коллектор-база (обратите внимание, что область истощения — это область, где нет подвижных носителей заряда, и она ведет себя как барьер. который противодействует течению тока).
В эмиттере N-типа основной носитель заряда — электроны. Следовательно, электроны начинают течь от эмиттера N-типа к базе P-типа. И из-за электронов ток начнет течь по переходу эмиттер-база.Этот ток известен как ток эмиттера I E .
Эти электроны движутся дальше к базе. База — полупроводник P-типа. Следовательно, в нем есть дыры. Но основная область очень тонкая и слегка легированная. Итак, у него есть несколько дырок для рекомбинации с электронами. Следовательно, большая часть электронов пройдет базовую область, и лишь немногие из них рекомбинируют с дырками.
Из-за рекомбинации ток будет течь по цепи, и этот ток известен как базовый ток I B .Базовый ток очень мал по сравнению с током эмиттера. Обычно это 2-5% от общего тока эмиттера.
Большая часть электронов проходит через обедненную область перехода коллектор-база и проходит через коллекторную область. Ток, протекающий через оставшиеся электроны, известен как ток коллектора I C . Ток коллектора велик по сравнению с током базы.
Схема транзистора NPN
Схема транзистора NPN показана на рисунке ниже.
Цепь транзистора NPNИсточники напряжения подключены к транзистору NPN, как показано на рисунке выше. Коллектор соединен с плюсовой клеммой напряжения питания V CC с сопротивлением нагрузки R L . Сопротивление нагрузки также используется для уменьшения максимального тока, протекающего через устройство.
Клемма базы подключается к положительной клемме напряжения питания базы V B с сопротивлением базы R B .
Базовое сопротивление используется для ограничения максимального базового тока.
Когда транзистор включен, через устройство между коллектором и выводами эмиттера протекает большой ток коллектора. Но для этого небольшое количество базового тока должно течь через базовый вывод транзистора.
Согласно KCL, эмиттерный ток складывается с током базы и током коллектора.
Режим работы транзистора
Транзистор работает в различных режимах или областях в зависимости от смещения переходов.Имеет три режима работы.
- Режим отсечки
- Режим насыщения
- Активный режим
Режим отсечки
В режиме катушки оба перехода имеют обратное смещение. В этом режиме транзистор ведет себя как разомкнутая цепь. И это не позволит току течь через устройство.
Режим насыщения
В режиме насыщения транзистора оба перехода соединены прямым смещением. Транзистор ведет себя как замкнутая цепь, и ток течет от коллектора к эмиттеру, когда напряжение база-эмиттер высокое.
Активный режим
В этом режиме транзистора соединение база-эмиттер имеет прямое смещение, а соединение коллектор-база — обратное. В этом режиме транзистор работает как усилитель тока.
Ток протекает между эмиттером и коллектором, и величина тока пропорциональна базовому току.
Режим работы транзистораПереключатель транзистора NPN
Транзистор работает как включенный в режиме насыщения и выключенный в режиме отсечки.
Когда оба перехода соединены в состоянии прямого смещения и на вход подается достаточное напряжение. В этом состоянии напряжение коллектор-эмиттер близко к нулю, и транзистор работает в режиме короткого замыкания.
В этом состоянии ток начнет течь между коллектором и эмиттером. Значение тока, протекающего в этой цепи, равно
Режим насыщения транзистора Когда оба перехода соединены с обратным смещением, транзистор ведет себя как разомкнутая цепь или выключатель.В этом состоянии входное напряжение или базовое напряжение равно нулю.
Следовательно, все напряжение Vcc появляется на коллекторе. Но из-за обратного смещения области коллектор-эмиттер ток не может протекать через устройство. Следовательно, он ведет себя как выключатель.
Принципиальная схема транзистора в области отсечки показана на рисунке ниже.
Режим отсечки транзистораРаспиновка NPN-транзистора
Транзистор имеет три вывода; коллектор (C), эмиттер (E) и база (B).В большинстве конфигураций средний вывод предназначен для базы.
Для идентификации выводов эмиттера и коллектора есть точка на поверхности транзистора SMD. Вывод, который находится точно под этой точкой, является коллектором, а оставшийся вывод — выводом эмиттера.
Если точка отсутствует, все булавки будут размещены с неравномерным пространством. Здесь средний штифт — основание. Ближайший штифт среднего штифта — эмиттер, а оставшийся штифт — коллектор.
NPN и PNP-транзистор
Основные различия при сравнении NPN-транзисторов и PNP-транзисторов суммированы в таблице ниже:
Переключение и усиление — это две области применения транзисторов и транзисторов, поскольку коммутатор является основой для многих цифровых схем.
Этот тип коммутационного приложения используется для управления двигателями, ламповыми нагрузками, соленоидами и т. Д.
Коллекторный ток V cc / R c протекает через транзистор.
И соответствующий базовый ток, по которому протекает ток коллектора, равен 56.8 мкА. Итак, ясно, что когда ток базы увеличивается выше 56,8 мкА, транзистор переходит в режим насыщения.
Таким образом, выход на коллекторе становится примерно нулевым.
Тогда ток, необходимый для насыщения транзистора, равен
Мы можем получить частоту переключения от управляющего устройства или микросхемы, например микроконтроллера.
Затвор — это кран, который контролирует поток воды, коллектор — это источник воды, а эмиттер — это отверстие крана, из которого выходит вода. Работа в качестве переключателя позволяет транзистору управлять током, проходящим через него, и он может пропускать ток через него (Вкл.) Или нет (Выкл.).
Ранние тексты IC цитировали боковой pnp-транзистор как устройство с очень низким коэффициентом усиления, но это неверно для современных процессов с хорошо отожженными поверхностными оксидами. Такой pnp, созданный на основе процесса типа операционного усилителя с эпи-материалом 5 Ом, теперь может иметь пиковый бета-коэффициент в диапазоне 50-200, и этот пик обычно возникает при токе коллектора около 10 мкА для небольшого устройства. При более низких токах бета уменьшается, но, как правило, ее можно использовать даже в диапазоне пикоампер. При высоких токах инжекция высокого уровня резко снижает коэффициент усиления по току, что делает боковой pnp крайне непригодным в качестве силового устройства, если он не сделан неоправданно большим.Кроме того, низкий F t (и высокий избыток фазы) ограничивают этот транзистор низкочастотными приложениями. Подложка pnp, конечно, имеет свой коллектор, неизменно подключенный к отрицательному источнику питания (или, точнее, подложку p-типа, которая почти всегда должна быть отрицательным источником питания), но нашла применение в качестве повторителя выходного эмиттера благодаря своей улучшенной F t и мощность грузоподъемности.
Эти улучшения, однако, не являются существенными, и такой выходной каскад быстро выходит из строя при токах, значительно превышающих несколько десятков миллиампер, или на частотах выше нескольких мегагерц.
Хотя это действительно усложняет изготовление npn-устройства, здесь можно получить больше свободы из-за неотъемлемого преимущества в производительности.
От 5 до 8 ГГц или около того. Из-за задействованной малой геометрии боковые pnp-транзисторы часто могут быть удивительно быстрыми, F t 80 МГц не редкость.
Рисунок, выходной разъем датчика PNP — № 4). При срабатывании датчика у нас будет +24 В на разъеме №2. 4. Этот сигнал +24 В может быть подключен непосредственно к ПЛК или для любых других функций, таких как срабатывание реле, срабатывание сигнализации. Обычно ограничение тока в датчиках приближения составляет до 200 мА, поэтому на всех схемах показано, что выход подключается через резистор, на самом деле этот резистор встроен в ваш ПЛК, это может быть катушка вашего реле или индикаторная лампа. .Если мы подключим выход непосредственно к GND (минусовой провод), мы получим короткое замыкание, что означает, что ток будет расти и достигнет максимального тока источника питания. Таким образом, если у нас есть, например, источник питания 5A, короткое замыкание превысит предел тока датчика, и он будет поврежден.