Сток исток затвор g d s: Обозначение полевого транзистора. — Лазерная резка металла от "ТМК" Ярославль (Тутаев)

Содержание

Разработка моста для режима жестких переключений на нитрид-галлиевых транзисторах Transphorm

16 июня 2017

Компания Transform произвела настоящую революцию в схемотехнике силовых преобразовательных устройств, представив на рынке мощные каскодные GaN-транзисторы на кремниевой подложке. Это позволило начать применение мостовых схем с жесткой коммутацией, в которых уменьшено и сопротивление в открытом состоянии, и емкость затвора, а КПД достигает 99%.

Согласно аналитическим прогнозам, мировой доход от продаж силовых полупроводниковых приборов (п/п), изготовленных по технологиям SiC (карбид кремния) и GaN (нитрид галлия), вырастет к 2025 году до 3,7 млрд. долларов США по сравнению с 210 млн. в 2015 году. Ожидается, что основными областями применения новых технологий будут электротранспорт, в том числе гибридные автомобили, а также источники питания и преобразователи напряжения (инверторы), работающие с фотоэлектрическими батареями. Возрастающий интерес к новым технологиям производства силовых п/п обусловлен требованиями увеличения КПД и удельной мощности силовых преобразователей. Например, использование GaN-транзисторов производства компании Transphorm в инверторе мощностью 4,5 кВт позволило уменьшить габариты устройства на 40% (рисунок 1) и повысить КПД с 96,5% до 98% по сравнению с инвертором на кремниевых МОП-транзисторах.

Рис. 1. Инверторы мощностью 4,5 кВт, изготовленные с использованием кремниевых и GaN-транзисторов

Показателем качества, характеризующим различные технологии изготовления высоковольтных ключей для силовой преобразовательной техники, является комбинация максимального напряжения (напряжения пробоя) и удельного сопротивления ключа в открытом состоянии. Из диаграмм на рисунке 2 видно, что технология изготовления кремниевых МОП-транзисторов (Si) практически достигла своего предела в области создания высоковольтных ключей. Карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN) относятся к п/п-материалам с большой шириной запрещенной зоны, благодаря чему они способны работать при напряженности электрического поля на порядок большей, чем у кремния (таблица 1). Применительно к силовой преобразовательной технике это означает, что транзисторные ключи, изготовленные по технологиям GaN и SiC, в сравнении с кремниевыми МОП-транзисторами обеспечивают меньшее сопротивление ключа в открытом состоянии и, соответственно, меньшие потери при одинаковом рабочем напряжении. Преимущества кремниевых МОП-транзисторов, в частности – их меньшая стоимость, сохраняются в низковольтных применениях. Что же касается высоковольтных силовых ключей, то здесь основными конкурентами являются SiC- и GaN-транзисторы. Однако, как видно из таблицы 1, нитрид-галлиевая технология обеспечивает более высокую подвижность носителей, вследствие чего для GaN-транзисторов при одинаковом с SiC-транзисторами рабочем напряжении имеется возможность получить меньшее сопротивление ключа в открытом состоянии и, соответственно, меньшие потери мощности. Кроме того, по сравнению с SiC-транзисторами, GaN-транзисторы, изготовленные на подложке из кремния (GaN-on-Si), используют менее сложный технологический процесс, что в перспективе позволит снизить стоимость высоковольтных ключей.

Рис. 2. Показатели качества различных технологий изготовления высоковольтных транзисторов

Таблица 1. Сравнительные характеристики различных технологий производства силовых подупроводниковых ключей

Наименование параметра	Технология производства силовых п/п-ключей
Наименование параметра	Si	4H-SiC	GaN
Максимальная напряженность электрического поля, 106 В/см	3	30	30
Подвижность носителей заряда, см2/В•с	1500	700	2000
Коэффициент теплопроводности, Вт/см•К	1,5	4,5	1,5

Особенности применения GaN-транзисторов в мостовых схемах

Широкому применению GaN-транзисторов до недавнего времени препятствовали технологические трудности получения нитрид-галлиевых структур, а также инверсная логика управления – поскольку базовая структура GaN-транзистора является нормально открытым ключом. Силовые высоковольтные ключи производства компании Transphorm представляют собой каскодную структуру, состоящую из нормально-закрытого низковольтного МОП-транзистора и высоковольтного GaN-транзистора с высокой подвижностью электронов (рисунок 3). Благодаря этому для управления GaN-транзисторами Transphorm могут использоваться такие же драйверы затвора, как и для обычных транзисторов с изолированным затвором.

Рис. 3. Каскодный GaN-транзистор производства компании Transphorm: а) внутренняя структура; б) эквивалентная схема в виде нормально-закрытого ключа

Работа GaN-транзисторов в мостовой схеме без антипараллельных диодов

Особенность мощных кремниевых МОП-транзисторов – наличие в их структуре паразитного p-n-перехода, который при работе транзистора в мостовой схеме способен проводить ток в паузах между импульсами коммутации, то есть выполнять функции антипараллельного диода. Однако при прохождении тока через внутренний диод МОП-транзистора в его p-n-переходе происходит накопление неосновных носителей заряда, в результате чего при коммутации МОП-транзистора в цепи «сток-исток» образуются импульсы обратного тока восстановления диода. Эта проблема особенно актуальна в высоковольтных мостовых схемах, где паразитный внутренний диод МОП-транзистора при прямом прохождении тока накапливает значительный заряд, что приводит к большой амплитуде импульсов обратного тока и длительному времени рассасывания неосновных носителей в p-n-переходе внутреннего диода. В традиционных мостовых схемах, выполненных на транзисторах с изолированным затвором, параллельно внутреннему диоду устанавливают внешний быстродействующий антипараллельный диод (рисунок 4а), что увеличивает габариты печатной платы и стоимость изделия.

Рис. 4. Полумостовая схема: а) на обычных транзисторах с изолированным затвором; б) на и каскодных GaN-транзисторах Transp

В гибридных каскодных ключах производства компании Transphorm нитрид-галлиевый транзистор выполнен на основе чистого беспримесного полупроводникового материала, вследствие чего в нем отсутствует паразитный p-n-переход и в канале может протекать в обоих направлениях ток, состоящий только из основных носителей. При работе в мостовой схеме ток в паузе между импульсами коммутации протекает через паразитный диод внутреннего МОП-транзистора, однако инжектируемый в него заряд имеет малую величину благодаря низкому рабочему напряжению МОП-транзистора. Вследствие этого нитрид-галиевые транзисторы Transphorm с высокой подвижностью электронов (HEMT) представляют собой практически идеальные ключевые элементы для мостовых схем благодаря способности коммутировать ток в паузах между импульсами без использования дополнительных антипараллельных диодов (рисунок 4б).

На рисунке 5 показано протекание тока в каскодном GaN-транзисторе в трех режимах работы:

При напряжении «сток-исток» VDS > 0 и напряжении на затворе больше порогового VGS > VTH транзистор открыт в прямом направлении (рисунок 5а). Падение напряжения «сток-исток» в прямом направлении протекания тока определяется формулой 1:

, (1)

где RDS(on),Si и RDS(on),GaN – сопротивление в открытом состоянии МОП- и GaN-транзисторов соответственно.

Протекание тока в обратном направлении происходит при напряжении VDS < 0, при этом возможны два режима работы в зависимости от напряжения «затвор-исток». При напряжении VGS < VTH (рисунок 5б) МОП-транзистор закрыт и ток протекает через внутренний диод МОП-транзистора и нормально-открытый GaN-транзистор. Падение напряжения «исток-сток» в обратном направлении определяется формулой 2:

, (2)

где V_SD-Si – падение напряжения на внутреннем диоде МОП-транзистора, I_F – ток истока.

Падение напряжения «исток-сток» в обратном включении можно уменьшить, подав на затвор МОП-транзистора отпирающее напряжение VGS > VTH (рисунок 5в), при этом падение напряжения «исток-сток» будет определяться формулой 3:

(3)

В качестве примера: при обратном токе IF = 5 А уменьшение падения напряжения «исток-сток» в режиме работы в) по сравнению с режимом работы б) составит примерно 0,8 В. При использовании режима работы в) необходимо обеспечить задержку между выключением одного транзистора полумоста и включением другого («мертвое» время) для предотвращения сквозных токов.

Рис. 5. Протекание тока при трех режимах работы каскодного GaN-транзистора

Современные техпроцессы изготовления кремниевых МОП-транзисторов позволяют сформировать в полупроводниковой структуре p-n-переход, который может выполнять функции антипараллельного диода благодаря пониженному значению заряда обратного восстановления QRR. Однако даже у специальных серий МОП-транзисторов с быстрым внутренним диодом величина Qrr превышает этот же параметр GaN-транзисторов в 20 и более раз при одинаковых сопротивлениях канала в открытом состоянии (рисунок 6).

Рис. 6. Процесс обратного восстановления: а) кремниевого МОП -транзистора, б) каскодного GaN-транзистора производства компании Transphorm (закрашенные области на графиках показывают величину заряда обратного восстановления диода)

Особенности топологии печатных плат

Выходные цепи

Рис. 7. Эквивалентная схема выходных цепей полевых транзисторов с учетом паразитных элементов печатной платы

Паразитные индуктивности цепей затвора и стока значительно влияют на перенапряжения, переходные колебательные процессы и, в целом, на устойчивость работы мостовых схем. Несмотря на малые величины зарядов восстановления каскодных GaN-транзисторов, они все же не равны нулю, и при перезаряде емкостей в цепи стока протекают токи с большой скоростью изменения. Для уменьшения амплитуды переходных колебательных процессов необходимо минимизировать паразитные индуктивности, обозначенные на рисунке 7 как LS1, LD1, LS2 и LD2, используя для этого низкоимпедансные силовые и земляные проводники (полигоны) и размещая фильтрующие конденсаторы как можно ближе к транзисторам. Влияние паразитной индуктивности LOUT при этом незначительно, так как она включена последовательно с индуктивностью нагрузки и в первом приближении просто добавляет к ней некоторую величину. Необходимо также минимизировать длину проводника между истоком верхнего ключа (Q1) и стоком нижнего ключа (Q2), что достигается размещением обоих транзисторов на общем радиаторе «спина к спине», как показано на рисунке 8а. Для уменьшения паразитной индуктивности сток Q1 подключен непосредственно к плюсовой шине питания, а исток Q2 – к шине земли (рисунок 8а). Полигоны земли и питания находятся на внутренних слоях печатной платы и на рисунке не показаны. Выходная цепь коммутации образована широким проводником, соединяющим исток Q1 со стоком Q2. Необходимо обратить внимание на то, что GaN-транзисторы HEMT производства Transphorm в корпусе TO220 имеют конфигурацию выводов G-S-D, в отличие от традиционной для МОП-транзисторов конфигурации G-D-S. Расположение вывода истока в средней части корпуса уменьшает паразитную связь между входными и выходными цепями. Высоковольтные фильтрующие конденсаторы SMD размещены на нижней стороне печатной платы (рисунок 8б), что позволяет уменьшить паразитную индуктивность проводников.

Паразитная емкость выходной цепи коммутации, обозначенная на рисунке 7 как COUT, увеличивает коммутационные потери, поэтому необходимо стремиться к уменьшению общей площади проводников, образующих выходную цепь коммутации, не допуская при этом значительного увеличения индуктивности цепи. Типичная 4-слойная плата с расстоянием 0,3 мм между внешним слоем и внутренним земляным полигоном добавляет распределенную емкость примерно 15 пФ/см2, следовательно, при частоте коммутации 100 кГц каждый см² площади проводника добавит P = 1/2•C•V2•fs = 120 мВт коммутационных потерь.

Рис. 8. Пример разводки печатной платы: а) силовые шины, б) размещение фильтрующих конденсаторов

Существенным моментом при разработке печатных плат является использование отдельных земляных полигонов для силовых и сигнальных цепей – они должны соединяться между собой только в одной точке.

Цепи управления

Рис. 9. Эквивалентная схема цепи управления, включающая в себя паразитные индуктивности выводов транзистора и внешних цепей

Для входных цепей, соединяющих выход драйвера и затвор МОП-транзистора, также необходимо минимизировать паразитные индуктивности, особенно индуктивность в цепи истока (LS2 на рисунке 9), которая является общей для силовой цепи и цепи управления. При изменении тока стока dID/dt на его паразитной индуктивности формируется напряжение, которое добавляется последовательно с выходным напряжением драйвера в цепи управления. Вследствие этого для цепи истока необходимо использовать низкоимпедансные проводники печатной платы. Основная проблема состоит в том, что последовательно с индуктивностью проводников включена паразитная индуктивность вывода истока корпуса TO220 (рисунок 6), которую невозможно уменьшить, однако, как будет показано далее, можно оценить ее влияние для минимизации обусловленных ею негативных эффектов.

Рис. 10. Осциллограммы напряжений «сток-исток» Vds и «затвор-исток» Vgs транзистора нижнего плеча (Q2) повышающего преобразователя 200…400 В

В начальном интервале переходного процесса включения транзистора ток стока увеличивается с нуля до величины тока нагрузки (0 < ID < ILOAD), при этом скорость изменения dID/dt определяется током затвора. Поскольку напряжение VDS в этом интервале времени практически не меняется, в токе ID отсутствует составляющая, разряда выходной емкости. На индуктивности истока формируется напряжение V = LdI/dt, которое вычитается из напряжения на затворе. При меньшем значении тока затвора IG переходный процесс dI/dt становится более медленным, вследствие чего уменьшаются напряжение на паразитной индуктивности истока и амплитуды связанных с этой индуктивностью паразитных резонансов. Установка резистора в цепи затвора (ZG на рисунке 10) позволяет уменьшать IG, однако вследствие малой величины емкости обратной связи CRSS каскодной схемы не может обеспечить ограничение скорости изменения напряжения выходной цепи d(VDS)/dt. Обычный способ ограничения разряда CRSS с помощью резистора в цепи затвора малоэффективен, поскольку основная выходная емкость CDS не разряжается через резистор затвора. Более предпочтительным является выбор драйвера затвора с меньшим выходным током для ограничения IG и dI/dt. В процессе включения каскодного GaN-транзистора при достижении током стока величины тока нагрузки (ID > ILOAD), происходит быстрый переходный процесс со скоростью dV/dt порядка 100 В/нс. Емкостной ток COSS, обусловленный изменением напряжения d(VDS)/dt, протекает через паразитную индуктивность истока, вызывая колебательный процесс. Пульсации напряжения на паразитной индуктивности через входную емкость транзистора CISS воздействуют на входную цепь и влияют на изменение тока в ней. Установка небольшой ферритовой бусины SMD в качестве ZG разрывает паразитную емкостную связь и препятствует возникновению колебательных процессов тока затвора, не ухудшая существенно форму импульсов напряжения на затворе. В качестве примера на рисунке 10 показаны осциллограммы напряжений «сток-исток» и «затвор-исток» с ферритовой бусиной, имеющей импеданс 120 Ом на частоте 100 МГц, а на рисунке 11 – результаты моделирования тока затвора с ферритовой бусиной и без нее. Как видно из рисунка 11, ферритовая бусина эффективно подавляет высокочастотные пульсации тока затвора и, что критически важно, изменение напряжения VGS в этом случае полностью определяется током через емкость CGS.

Рис. 11. Результаты моделирования тока затвора: а) с ферритовой бусиной; б) без нее

Особенности переключения каскодного GaN-транзистора

Рис. 12. Паразитные емкости транзистора QL нижнего плеча полумоста в выключенном состоянии, QH находится в ключевом режиме

На рисунке 12 показана эквивалентная схема полумоста в интервале времени, когда происходит коммутация транзистора верхнего плеча, транзистор нижнего плеча закрыт, при этом через него протекает замыкающий ток в паузах между импульсами коммутации. При включении транзистора QH в выходной цепи коммутации (S) появляется напряжение с высокой скоростью изменения dV/dt, которое создает ток IGD, заряжающий емкость CGD транзистора QL. Часть этого тока будет заряжать емкость CGS, увеличивая напряжение на затворе. При достаточно большом отношении CGD/CGS увеличение напряжения VGS может привести к включению нижнего транзистора QL. Однако в каскодных GaN-транзисторах это отношение чрезвычайно мало, например, для TPh4006 CGD = 4,5 пФ, а величина CGS составляет 720 пФ при VGS = 0, и более 2000 пФ во включенном состоянии.

Рис. 13. Осциллограммы выключения нижнего транзистора QL. Сверху – вниз: напряжение «сток-исток» с масштабирующим коэффициентом 1:100, ток в индуктивности, внешнее напряжение «затвор-исток»

Рис. 14. Схема управления затвором каскодного GaN-транзистора с отрицательным напряжением
смещения

Более существенной проблемой, чем емкостная связь через CGD каскодной пары, является емкость CGD_Si низковольтного кремниевого МОП-транзистора. Напряжение «сток-исток» кремниевого МОП-транзистора VDS_Si (рисунок 12) при высокой скорости dV/dt может возрасти до величины -VTH GaN-транзистора. В этом случае отношение CGD_Si/CGS будет иметь значительное влияние. Осциллограммы на рисунке 13 показывают, что при изменении VDS_Si напряжение VGS быстро приближается к пороговому уровню, однако, так как повышение VDS_Si происходит при закрытом GaN-транзисторе, ток стока кремниевого МОП-транзистора, обусловленный увеличением VGS, должен сначала разрядить затвор GaN-транзистора до того, как через транзистор начнет протекать внешний ток. Поэтому мгновенное включение кремниевого полевого транзистора не обязательно приведет к появлению внешнего тока стока. Для повышения помехоустойчивости транзистора можно использовать схему управления затвором, создающую небольшое отрицательное напряжение смещения, например такую, как показано на рисунке 14. Однако в оценочных платах производства компании Transphorm отрицательное смещение затвора не используется, при этом в процессе работы не наблюдается экстремально больших коммутационных потерь, обусловленных ложным включением нижнего транзистора полумостовой схемы.

Охлаждение

Радиатор следует подключать к цепи заземления переменного тока. В оценочной плате, фрагмент которой показан на рисунке 8, радиатор электрически соединен с полигоном земли (отрицательным полюсом источника питания), при этом оба транзистора изолированы от радиатора. Для транзистора нижнего плеча емкость между пластиной корпуса TO220 и радиатором не критична, поскольку пластина соединена с истоком, поэтому транзистор может быть установлен непосредственно на радиатор. Однако при этом возможно протекание тока нагрузки через радиатор. Если надежное соединение между пластиной корпуса транзистора и радиатором невозможно или нежелательно – необходимо использовать изолирующую прокладку. Для транзистора верхнего плеча емкость между пластиной TO220 и радиатором будет увеличивать коммутационные потери, поэтому необходимо использовать изолирующую прокладку увеличенной толщины и/или с низкой диэлектрической проницаемостью. Данную паразитную емкость можно исключить при использовании в верхнем плече транзистора Transphorm с подключением к пластине корпуса вывода стока, например, TPh4006PD. Однако поскольку структура внутреннего соединения «сток-пластина» отличается от структуры соединения «исток-пластина», паразитные резонансные емкости, возникающие в полумостовой схеме, будут иметь более сложный характер.

Особенности управления верхним плечом моста

Вследствие высоких скоростей изменения напряжения драйвер затвора верхнего плеча должен обладать хорошей устойчивостью к синфазным помехам. Для уменьшения dI/dt целесообразно выбирать драйвер затвора с меньшим выходным током: например, хороший результат показывают драйверы с выходным током 0,5 А.

Типовая бутстрепная схема питания (схема с плавающим питанием) верхнего плеча моста содержит элементы R4, D1, C12 и C13. Емкость перехода D1 непосредственно влияет на коммутационные потери, поэтому в качестве D1 должен использоваться быстрый диод с малой емкостью перехода. Резистор R4 предназначен для ограничения тока заряда конденсатора, его величина составляет 10…15 Ом. Если для питания драйвера верхнего плеча используется изолированный DC/DC-преобразователь, его проходная емкость играет ту же роль, что и емкость перехода D1 в бутстрепной схеме. Индуктивность, включенная последовательно с этой емкостью, создаст дополнительную резонансную цепь, которая будет возбуждаться при каждом импульсе коммутации, что требует тщательной разводки этого узла на печатной плате. При использовании плавающего источника питания может оказаться полезной установка синфазного помехоподавляющего дросселя.

Преимущества решений на GaN транзисторах

Рис. 15. Зависимость тока стока ID от напряжения «сток-исток» VDS в закрытом состоянии кремниевого МОП -транзистора (CoolMOS ) и каскодного GaN-транзистора (GaN-on-Si HEMT) при температуре 175°C

В таблице 2 приведено сравнение основных параметров каскодного GaN-транзистора Transphorm и современного МОП-транзистора (Superjunction MOSFET) при использовании в качестве высоковольтных ключей в мостовой схеме. GaN-транзистор TPh4006PS имеет значительно меньший заряд «затвор-исток» QGD, что обеспечивает более быструю коммутацию и, соответственно, значительно меньшие коммутационные потери по сравнению с кремниевым МОП-транзистором. При этом полный заряд затвора QG GaN-транзистора также значительно меньше, что позволяет использовать для его управления драйверы затвора с меньшим выходным током.

Графики на рисунке 15 характеризуют способность 600-вольтовых транзисторных ключей работать при высоких температурах корпуса транзистора, характерных для современной преобразовательной техники. При температуре 175°C ток стока ID кремниевого МОП-транзистора (CoolMOS) быстро растет при приближении напряжения «сток-исток» VDS в закрытом состоянии к максимальному значению 600 В, в то время как ток стока каскодного GaN-транзистора (GaN-on-Si HEMT) растет сравнительно медленно до напряжения примерно в 1 кВ, значительно превышающего рабочее напряжение.

Таблица 2. Сравнительные характеристики каскодного CaN-транзистора TPh4006PS и МОП-транзистора серии Superjunction MOSFET

Параметр	Обозначение	Наименование
Параметр	Обозначение	Superjunction MOSFET	TPh4006PS
Максимальное напряжение «сток-исток» при температуре 25°C, В	VDS (25°C)	600	600
Сопротивление канала при температуре 25°C, Ом	RDS(on) (25°C)	0,14…0,16	0,15…0,18
Полный заряд затвора, нКл	QG	75	6,2
Заряд «затвор-сток», нКл	QGD	38	2,2
Эффективная выходная емкость, определяемая по энергии, накопленной при изменении VDS от 0 до 480 В, пФ	Co(er)	66	56
Эффективная выходная емкость, определяемая по времени заряда при изменении VDS от 0 до 480 В, пФ	Co(tr)	314	110
Заряд обратного восстановления внутреннего диода, нКл	QRR	82001	542
Время обратного восстановления внутреннего диода, нс	tRR	4601	302
Примечания: 1 – VDS = 400 В, IDS = 11,3 А, di/dt = 100 А/мкс; 2 – VDS = 480 В, IDS = 9 А, di/dt = 450 А/мкс.

Типовые решения Transphorm

Одним из типовых решений Transphorm является двухтактный безмостовой корректор коэффициента мощности (ККМ), выполненный по схеме повышающего преобразователя напряжения (рисунок 16) со следующими характеристиками:

диапазон входного переменного напряжения 85…265 В;
выходное постоянное напряжение 387 ±5 В;
максимальная мощность нагрузки 4400 Вт;
частота коммутации 66 кГц.

Рис. 16. Двухтактный безмостовой ККМ с коммутатором сетевого напряжения: а) на диодах; б) на МОП-транзисторах

Рис. 17. Сигналы управления затворами S_D1 и S_D2

ККМ работает в режиме непрерывных токов дросселя (CCM), что оказалось возможным благодаря низким коммутационным потерям и малому времени обратного восстановления, свойственным каскодным GaN-транзисторам. ККМ содержит «быстрое» плечо на каскодных GaN-транзисторах Q1 и Q2, работающее на частоте коммутации, и «медленное» плечо, коммутирующее полуволны сетевого напряжения посредством диодов D1, D2 или МОП-транзисторов SD1, SD2. При положительной полуволне напряжения сети через открытый D1 (SD1) входная линия переменного тока подключена к выходной общей шине питания. При этом Q1 выполняет функцию активного ключа повышающего преобразователя, а Q2 – синхронного выпрямителя. При отрицательной полуволне напряжения сети через открытый D2 (SD2) входная линия переменного тока подключена к выходной плюсовой шине питания, соответственно, функции Q1 и Q2 меняются местами.

Рис. 18. Графики зависимости КПД и потерь мощности от мощности нагрузки двухтактного безмостового ККМ на GaN-транзисторах при напряжении сети 85 В (бордовый), 115 В (зеленый), 180 В (красный) и 230 В (синий)

Замена диодов, коммутирующих сетевое напряжение, МОП-транзисторами позволяет снизить потери за счет меньшего падения напряжения в открытом состоянии, однако сигналы управления МОП-транзисторами должны подаваться с некоторой паузой относительно момента сигнала полярности сетевого напряжения (рисунок 17). Это обусловлено скачкообразным изменением коэффициентов заполнения импульсов коммутации Q1 и Q2 (от 0 до 100% одного ключа и от 100% до 0 – другого) при переходе сетевого напряжения через ноль. Из-за большого времени восстановления внутренних диодов SD1 и SD2 напряжение VD (рисунок 16б) не может быстро измениться от 0 до VDC или от VDC до 0, вследствие чего в этой цепи возникает бросок тока. Для мягкого переключения с одной полуволны на другую в управление затворами SD1 и SD2 вводятся паузы, составляющие несколько периодов коммутации, в течение которых оба ключа SD1 и SD2 закрыты и работают их внутренние диоды. Кроме того, поскольку ККМ работает в режиме непрерывных токов, сравнительно большая индуктивность входного дросселя ограничивает амплитуду бросков тока. Результаты измерения КПД двухтактного безмостового ККМ (рисунок 18) показывают максимальное значение 99% при напряжении сети 230 В и мощности нагрузки 1500 Вт.

Рис. 19. Структурная схема инвертора (преобразователя постоянного напряжения в переменное) мощностью 4,5 кВт

Рис. 20. Зависимость КПД инвертора от мощности нагрузки

Другим примером типовых решений Transphorm является инвертор (рисунок 19) со следующими характеристиками:

входное напряжение питания 400 В;
выходное однофазное переменное напряжение 240 В, 50/60 Гц;
частота коммутации 50 кГц.

Максимальный КПД инвертора составляет 99% при мощности нагрузки 1…2 кВт (рисунок 20).

Заключение

В силовой преобразовательной технике некоторые перспективные топологии, основные на использовании мостовых схем с жесткой коммутацией, длительное время не получали развития из-за отсутствия подходящей элементной базы. Это обусловлено тем, что к силовым ключам, особенно в высоковольтных применениях, предъявлялись требования, считавшиеся ранее несовместимыми – малое сопротивление ключа в открытом состоянии для снижения потерь проводимости и малое время переключения для снижения коммутационных потерь. Для наиболее массовых п/п-ключей – кремниевых МОП-транзисторов – ограничивающим фактором является малая ширина запрещенной зоны кремния, вследствие чего высоковольтные ключи на основе МОП-транзисторов имеют либо большое сопротивление канала в открытом состоянии, либо большую емкость затвора. Таким образом, кремниевая технология производства высоковольтных ключей практически исчерпала возможности по снижению одновременно и кондуктивных, и коммутационных потерь.

Компания Transphorm, анонсировав революционную технологию производства нитрид-галлиевых транзисторов на подложке из кремния, смогла решить большую часть проблем, связанных с производством высоковольтных ключей. Большая ширина запрещенной зоны у нитрида галлия позволяет создавать высоковольтные ключи с малым сопротивлением в открытом состоянии, а каскодная схема, состоящая из высоковольтного GaN-транзистора и низковольтного МОП-транзистора, позволила значительно уменьшить емкость затвора и время обратного восстановления внутреннего диода. Преимущества каскодных GaN-транзисторов производства компании Transphorm наглядно демонстрирует корректор коэффициента мощности на основе полумостовой схемы с жесткой коммутацией, обеспечивающий КПД 99% при мощности нагрузки 1,5 кВт. Фактически, технология производства каскодных GaN-транзисторов компании Transphorm открывает новые направления в схемотехнике силовых преобразовательных устройств – сетевых источников питания, инверторов и драйверов электродвигателей.

Таблица 1. Сравнительные характеристики различных технологий производства силовых п/п-ключей

Наименование параметра	Технология производства силовых п/п ключей
Наименование параметра	Si	4H-SiC	GaN
Максимальная напряженность электрического поля, 106 В/см	3	30	30
Подвижность носителей заряда, см2/В•с	1500	700	2000
Коэффициент теплопроводности, Вт/см•К	1,5	4,5	1,5

Таблица 2. Сравнительные характеристики каскодного CaN-транзистора TPh4006PSи МОП-транзистора серии Superjunction MOSFET

Параметр	Обозначение	Наименование
Параметр	Обозначение	Superjunction MOSFET	TPh4006PS
Максимальное напряжение «сток-исток» при температуре 25°C, В	VDS (25°C)	600	600
Сопротивление канала при температуре 25°C, Ом	RDS(on) (25°C)	0,14…0,16	0,15…0,18
Полный заряд затвора, нКл	QG	75	6,2
Заряд «затвор-сток», нКл	QGD	38	2,2
Эффективная выходная емкость, определяемая по энергии, накопленной при изменении VDS от 0 до 480 В, пФ	Co(er)	66	56
Эффективная выходная емкость, определяемая по времени заряда при изменении VDS от 0 до 480 В, пФ	Co(tr)	314	110
Заряд обратного восстановления внутреннего диода, нКл	QRR	82001	542
Время обратного восстановления внутреннего диода, нс	tRR	4601	302
Примечания: 1 – VDS = 400 В, IDS = 11,3 А, di/dt = 100 А/мкс; 2 – VDS = 480 В, IDS = 9 А, di/dt = 450 А/мкс.

•••

Наши информационные каналы

Характеристики полевых транзисторов. OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей

Характеристики полевых транзисторов

Демонстрационная версия OrCAD имеет компоненты J2N3819 и J2N4393 в качестве моделей для полевых n-канальных транзисторов (JFET). Чтобы получить семейство выходных характеристик, создайте новый проект с именем Jfetch. Используем простую схему (рис. 15.22). Номинальные значения для V_GS и V_DD показаны на рисунке. Определите опции моделирования в Simulation Profile, используя имя jfetchs. Внутренний цикл вариации использует значения источника напряжения V_DD от 0 до 12 В с шагом в 0,2 В. Внешний цикл определяется изменением напряжения V_GS от 0 до 4 В с шагом в 1 В.

Рис. 15.22. Схема смещения для n-канального полевого транзистора

Выполните моделирование и получите в Probe график ID(J1). Вы должны получить семейство кривых с параметром VGS, приведенных на рис. 15.23. Кривые показывают, что наибольшие токи соответствуют V_GS=0. Ниже расположена кривая с параметром V_GS=–1 В и так далее. Напряжением отсечки является V_GS=–3 В.

Рис. 15.23. Ток стока в n-канальном полевом транзисторе

Выходной файл включает параметры модели J2N3S19: пороговое напряжение (отсечки) VTO=-3 В, коэффициент передачи BETA и другие. Они отражены на рис. 15.24. В приложении D приведены все параметры модели для J (JFET).

**** 10/03/99 11:45:33 *********** Evaluation PSpice (Nov 1998) **************

** circuit file for profile: jfetchs

*Libraries:

* Local Libraries :

* From [PSPICE NETLIST] section of pspiceev.ini file:

.lib nom.lib

*Analysis directives:

.DC LIN V VDD 0V 12V 0.2V

+ LIN V_VGS 0V 4V 1V

.PROBE

*Netlist File:

.INC «jfetch-SCHEMATIC1.net»

*Alias File:

**** INCLUDING jfetch-SCHEMATIC1.net ****

* source JFETCH

J_J1 2 1 0 J2N3819

V_VDD 2 0 12V

V_VGS 0 1 1V

**** RESUMING jfetch-SCHEMATIC1-jfetchs.sim.cir

**** .INC «jfetch-SCHEMATIC1.als»

**** INCLUDING jfetch-SCHEMATIC1.als ****

.ALIASES

J_J1 J1(d=2 g=1 s=0 )

V_VDD VDD(+=2 -=0 )

V_VGS VGS(+=0 -=1 )

_ _(1=1)

_ _(2=2)

.ENDALIASES

.END

**** Junction FET MODEL PARAMETERS

J2N3819

NJF

VTO -3

BETA 1.304000E-03

LAMBDA 2.250000E-03

IS 33.570000E-15

ISR 322.400000E-15

ALPHA 311.700000E-06

VK 243.6

RD 1

RS 1

CGD 1.600000E-12

CGS 2.414000E-12

M .3622

VTOTC -2.500000E-03

BETATCE -.5

KF 9.882000E-18

Рис. 15.24. Выходной файл для n-канального полевого транзистора

Хотя предыдущие выпуски программного обеспечения от MicroSim использовали для создания рисунков программу Schematics вместо Capture, автоматически формируя команду .ОР в схемном файле, используемая в книге версия Capture этого не делает. Следовательно, значения параметров смещения не выводятся в выходном файле. Чтобы получить эти значения, отредактируете параметры настройки моделирования и запросите анализ параметров смещения путем проверки с опцией .OP. Выходной файл при таком запуске показан на рис. 15.25. Информация, дублирующая информацию предыдущего выходного файла, из него удалена. Убедитесь, что выходной файл соответствует графику, показывая V_DD=12 В, V_GS=–1 В, I_DD=5,328 мА.

**** 10/03/99 12:27:36 *********** Evaluation PSpice (Nov 1998) **************

** circuit file for profile: jfetchs

*Libraries:

* Local Libraries :

* From [PSPICE NETLIST] section of pspiceev.ini file:

.lib nom.lib

*Analysis directives:

.OP

.PROBE

*Netlist File:

.INC «jfetch-SCHEMATIC1.net»

*Alias File:

**** INCLUDING jfetch-SCHEMATIC1.net ****

* source JFETCH

J_J1 2 10 J2N3819

V_VDD 2 0 12V

V_VGS 0 1 1V

**** RESUMING jfetch-SCHEMATIC1-jfetchs.sim.cir ****

.INC «jfetch-SCHEMATIC1.als»

**** INCLUDING jfetch-SCHEMATIC1.als ****

.ALIASES

J_J1 J1(d=2 g=1 s=0 )

V_VDD VDD(+=2 -=0)

V_VGS VGS(+=0 -=1 )

_ _(1=1)

_ _(2=2)

.ENDALIASES

**** RESUMING jfetch-SCHEMATIC1-jfetchs.sim.cir ****

.END

**** SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATURE = 27.000 DEG С

NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE

( 1) -1.0000 ( 2) 12.0000

VOLTAGE SOURCE CURRENTS

NAME CURRENT

V_VDD -5.328E-03

V_VGS -1.321E-12

TOTAL POWER DISSIPATION 6.39E-02 WATTS

**** JFETS

NAME J_J1

MODEL J2N3819

ID 5.33E-03

VGS -1.00E+00

VDS 1.20E+01

GM 5.34E-03

GDS 1.17E-05

CGS 1.83E-12

CGD 6.15E-13

Рис. 15.25. Выходной файл, использующий опцию .OР

Данный текст является ознакомительным фрагментом.

Продолжение на ЛитРес

Очень прерывистый сбой питания МОП-транзистора

Я работаю на очень пятнистый отказ двигателя (я не дизайнер). У нас есть намотанная арматура, которая переключается с помощью силовых полевых МОП-транзисторов. Они приводятся в действие FET драйвером типа тотема. Следовательно, когда драйвер выключен, затвор силового полевого транзистора плавает. Да, я знаю. Плохой дизайнерский выбор. Я просто убираю беспорядок.

На стороне статора двигателя имеется цепь симистора и привода, управляемая микропроцессором. Когда вы подключаете двигатель, приводная линия остается на плаву, поскольку микропорт переключается до завершения загрузки. Так как эта линия порта входит в логический элемент И и находится в плавающем состоянии, вы получите около 5 циклов переменного тока с достаточной амплитудой для срабатывания вентиля и этого триака. Это помещает примерно 3-5 полупериодов линии на статор, с пиками до 100А в зависимости от полного сопротивления источника. Ага. Еще одна ошибка дизайна — его надо было снести.

Проблема — это случается не часто, и не происходит сбой питания MOSFET. Из сотен двигателей у нас было три отказа с короткими замыканиями на полевых транзисторах и затвором на источник. Вопрос — Я пытаюсь решить, является ли эта серия пиков тока (которые вызывают напряжение на якоре — и отношение витков составляет 1: 1) вероятным подозрением, учитывая плохо спроектированную схему силового полевого МОП-транзистора. МОП-транзисторы расположены прямо через обмотку якоря. Когда двигатель выходит из строя, он не выходит из строя во время работы. Похоже, что он потерпит неудачу, как только вы подключите его. Все мои доказательства косвенные — я до сих пор не смог вызвать неудачу. Но огромный всплеск на плагине, редкость неудачи и трудность дублирования, похоже, указывают на это. Если я иду по неверному пути, мне нужно знать и знать почему. Кажется, что это может повредить FET, но я

В данный момент я запускаю несколько двигателей, используя ПЛК, чтобы следить за ними. План состоит в том, чтобы выполнить цикл до отказа, применить исправления проекта и запустить снова. Если я не получу вспышку гения.

Buz90 datasheet на русском

Главная

О сайте

Теория

Практика

Контакты

Высказывания:
Hи одно прошедшее проверку подразделение не готово к бою.

Основные параметры BUZ90A полевого транзистора n-канального.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального BUZ90A. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Структура (технология): MOSFET

Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Tj max, °C	Fr (Ton/of)	Ciss tip	Rds
75W	600V	600V	±20V	4A	150°C	30/150nS	1050pF	2

Производитель: SIEMENS
Сфера применения: SIPMOS Power V-MOS
Популярность: 6452
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора BUZ90A

Общий вид транзистора BUZ90A.	Цоколевка транзистора BUZ90A.

Обозначение контактов:
Международное: G — затвор, D — сток, S — исток.
Российское: З — затвор, С — сток, И — исток.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора BUZ90A.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

BUZ90 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: BUZ90

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Выходная емкость (Cd): 1050 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

BUZ90 Datasheet (PDF)

1.1. buz90a.pdf Size:175K _siemens

BUZ 90 A SIPMOS � Power Transistor � N channel � Enhancement mode � Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS >1.2. buz90.pdf Size:176K _siemens

BUZ 90 SIPMOS � Power Transistor � N channel � Enhancement mode � Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS >

BUZ900DP MAGNA BUZ901DP TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N�CHANNEL POWER MOSFET 20.0 5.0 3.3 Dia. POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 3 � HIGH SPEED SWITCHING 2.0 1.0 � N�CHANNEL POWER MOSFET 2.0 � SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED 3.4 � HIGH VOLTAGE (160V & 200V) � HIGH ENERGY RATING 0.6 1.2 � ENHANCEMENT MODE 2.8 � INTEGRAL PROTECTION DIODE 5.45 5.45 � P�

BUZ900D MAGNA BUZ901D TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • N–CHANNEL POWER MOSFET • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (160V & 200V) R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • HIGH ENERGY RATING • ENHANC

BUZ900P MAGNA BUZ901P TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N–CHANNEL POWER MOSFET 4.69 (0.185) 15.49 (0.610) 5.31 (0.209) 16.26 (0.640) 1.49 (0.059) 2.49 (0.098) POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS 3.55 (0.140) 3.81 (0.150) FEATURES 1 2 3 • HIGH SPEED SWITCHING 1.65 (0.065) 2.13 (0.084) 0.40 (0.016) • N–CHANNEL POWER MOSFET 0.79 (0.031) 2.87 (0.113) 3.1

BUZ907D MAGNA BUZ908D TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (220V & 250V) • HIGH ENERGY RATING R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • ENHANCEMENT MODE • INTEGRAL PROT

BUZ900 www.DataSheet4U.com MAGNA BUZ901 TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • N–CHANNEL POWER MOSFET • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (160V & 200V) R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • HIGH ENERGY

BUZ907P MAGNA BUZ908P TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P–CHANNEL 4.69 (0.185) 15.49 (0.610) POWER MOSFET 5.31 (0.209) 16.26 (0.640) 1.49 (0.059) 2.49 (0.098) POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS 3.55 (0.140) 3.81 (0.150) FEATURES 1 2 3 • HIGH SPEED SWITCHING 1.65 (0.065) 2.13 (0.084) 0.40 (0.016) • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED 0.79 (0.031) 2.87 (0.113) 3.12 (0

BUZ905X4S MAGNA BUZ906X4S TEC NEW PRODUCT UNDER DEVELOPMENT MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P–CHANNEL POWER MOSFET 11.8 (0.463) 12.2 (0.480) 31.5 (1.240) 31.7 (1.248) POWER MOSFETS FOR 8.9 (0.350) 7.8 (0.307) 4.1 (0.161 ) 8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378) Hex Nut M 4 4.3 (0.169 ) (4 places) AUDIO APPLICATIONS 4.8 (0.187) H = 4.9 (0.193) 1 2 (4 places) R 4.0 (0.

BUZ902 MAGNA BUZ903 TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (220V & 250V) • HIGH ENERGY RATING R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • ENHANCEMENT MODE • INTEGRAL PROTEC

BUZ902D MAGNA BUZ903D TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (220V & 250V) • HIGH ENERGY RATING R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • ENHANCEMENT MODE • INTEGRAL PROT

BUZ905DP MAGNA BUZ906DP TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P–CHANNEL POWER MOSFET 20.0 5.0 3.3 Dia. POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 3 • HIGH SPEED SWITCHING 2.0 1.0 • P–CHANNEL POWER MOSFET 2.0 • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED 3.4 • HIGH VOLTAGE (160V & 200V) • HIGH ENERGY RATING 0.6 1.2 • ENHANCEMENT MODE 2.8 • INTEGRAL PROTECTION D

BUZ905D MAGNA BUZ906D TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • P–CHANNEL POWER MOSFET • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (160V & 200V) R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • HIGH ENERGY RATING • ENHANC

BUZ907DP MAGNA BUZ908DP TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P–CHANNEL POWER MOSFET 20.0 5.0 3.3 Dia. POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 3 • HIGH SPEED SWITCHING 2.0 1.0 2.0 • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED 3.4 • HIGH VOLTAGE (220V & 250V) • HIGH ENERGY RATING 0.6 1.2 • ENHANCEMENT MODE 2.8 • INTEGRAL PROTECTION DIODES 5.45 5.45 • COMPLI

BUZ907 MAGNA BUZ908 TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P�CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 � 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. � 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 � HIGH SPEED SWITCHING � SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED � HIGH VOLTAGE (220V & 250V) � HIGH ENERGY RATING R 4.0 � 0.1 R 4.4 � 0.2 � ENHANCEMENT MODE � INTEGRAL PROTECTION DIODES � COMPLI

BUZ905P MAGNA BUZ906P TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P–CHANNEL POWER MOSFET 4.69 (0.185) 15.49 (0.610) 5.31 (0.209) 16.26 (0.640) 1.49 (0.059) 2.49 (0.098) POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS 3.55 (0.140) 3.81 (0.150) FEATURES 1 2 3 • HIGH SPEED SWITCHING 1.65 (0.065) 2.13 (0.084) 0.40 (0.016) • P–CHANNEL POWER MOSFET 0.79 (0.031) 2.87 (0.113) 3.1

BUZ902DP MAGNA BUZ903DP TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N–CHANNEL POWER MOSFET 20.0 5.0 3.3 Dia. POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 3 • HIGH SPEED SWITCHING 2.0 1.0 2.0 • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED 3.4 • HIGH VOLTAGE (220V & 250V) • HIGH ENERGY RATING 0.6 1.2 • ENHANCEMENT MODE 2.8 • INTEGRAL PROTECTION DIODES 5.45 5.45 • COMPLI

BUZ902P MAGNA BUZ903P TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N�CHANNEL 4.69 (0.185) 15.49 (0.610) POWER MOSFET 5.31 (0.209) 16.26 (0.640) 1.49 (0.059) 2.49 (0.098) POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS 3.55 (0.140) 3.81 (0.150) FEATURES 1 2 3 � HIGH SPEED SWITCHING 1.65 (0.065) 2.13 (0.084) 0.40 (0.016) � SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED 0.79 (0.031) 2.87 (0.113) 3.12 (0.123) �

BUZ900X4S MAGNA BUZ901X4S TEC NEW PRODUCT UNDER DEVELOPMENT MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N–CHANNEL POWER MOSFET 11.8 (0.463) 12.2 (0.480) 31.5 (1.240) 31.7 (1.248) POWER MOSFETS FOR 8.9 (0.350) 7.8 (0.307) 4.1 (0.161 ) 8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378) Hex Nut M 4 4.3 (0.169 ) (4 places) AUDIO APPLICATIONS 4.8 (0.187) H = 4.9 (0.193) 1 2 (4 places) R 4.0 (0.

1.20. buz905-06.pdf Size:40K _magnatec

BUZ905 MAGNA BUZ906 TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm P–CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 ± 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. ± 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 • HIGH SPEED SWITCHING • P–CHANNEL POWER MOSFET • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (160V & 200V) R 4.0 ± 0.1 R 4.4 ± 0.2 • HIGH ENERGY RATING • ENHANCEM

BUZ90 (Siemens Semiconductor Group)
Power Transistor
No Preview Available !

Click to Download PDF File for PC

BUZ90 (Siemens Semiconductor Group)
Power Transistor
No Preview Available !

МАЛОСИГНАЛЬНАЯ МОДЕЛЬ ТРАНЗИСТОРА С ВЫСОКОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ ЭЛЕКТРОНОВ

Емцев П. А., Сундучков И. К., Сундучков К. С., Шелковников Б. Н.

Национальный технический университет Украины «Киевский политехнический институт» e-mail: [email protected], тел. +380 (050) 6893012

Аннотация – Представлена малосигнальная модель транзистора с высокой подвижностью электронов ATF- 36077 в корпусированном и бескорпусном вариантах. Приведена методика определения параметров модели. Показано, что путем использования кристалла транзистора без корпуса возможно увеличить верхнюю частоту усилителя на этом транзисторе более чем в два раза.

I. Введение

Процесс разработки любого устройства СВЧ начинается с моделирования его работы, и это не удивительно – предварительные моделирование и оптимизация позволяют существенно сократить время, необходимое для отладки устройства. В то же время, ни одна из систем автоматизированного проектирования устройств СВЧ не обладает исчерпывающей библиотекой активных компонентов. Основной причиной этой ситуации является тот факт, что процесс моделирования активных компонентов является трудоемким, требует наличия дорогостоящего оборудования (обычно – векторного анализатора цепей и измерителя характеристик по постоянному току) и не всегда успешным. Поэтому стоимость создания библиотек компонентов может быть соизмерима или даже превышать стоимость создания самого программного обеспечения. В сложившейся ситуации процесс проектирования часто начинается с моделирования активных компонентов, которые предполагается использовать в устройстве. Если в наличии имеется упомянутое выше измерительное оборудование, то появляется возможность построения любой необходимой модели. Но такая возможность имеется далеко не всегда, поэтому единственным выходом является использование данных производителя. Такой подход имеет еще одно достоинство: данные, приводимые в документации, обычно являются измеренными высококвалифицированными специалистами на прецизионном измерительном оборудовании, что практически гарантирует отсутствие ошибок в измерениях. В связи с этим моделирование лучше начинать с обработки данных производителя.

Транзистор с высокой подвижностью электронов ATF-36077 является малошумящим прибором с высоким коэффициентом усиления. В документации приводятся следующие данные: параметры рассеяния и шумовые параметры в диапазоне 1-18 ГГц в рабочем режиме при одном значении смещения и параметры рассеяния в диапазоне 11-13 ГГц для случая напряжения на затворе ниже напряжения отсечки. Эти данные уже можно использовать в процессе проектирования, однако, применение малосигнальной модели открывает несравнимо большие возможности.

II. Основная часть

Эквивалентная схема модели (рисунок 1) представляет собой несколько модифицированную эквивалентною схему классической малосигнальной модели.

Рисунок 1. Эквивалентная схема малосигнальной модели

Figure 1. Small signal model circuit diagram

Обозначения на схеме следующие:

Элементы внутренней части прибора:

Rg – сопротивление затвора;

Rgs (Ri)— сопротивление затвор – исток;

Rd – сопротивление стока;

Rs – сопротивление истока;

Gds – проводимость канала сток – исток;

Cgs – емкость затвор – исток;

Cgd – емкость затвор – сток;

Cds – емкость сток – исток.

Паразитные элементы:

Cgl- емкость вывода затвора;

Lgl – индуктивность вывода затвора;

Cgm – емкость металлизации области затвора;

Lgm – индуктивность металлизации области затвора;

Cdl- емкость вывода стока;

Ldl – индуктивность вывода стока;

Ldm – индуктивность металлизации области стока; Cdm – емкость металлизации области стока;

Ls – индуктивность вывода истока.

Методика определения параметров в целом похожа на описанную в [1]. Сначала определяются входная (состоящая из Cgs, Cgl и Cgm), выходная (состоящая из Cds, Cdl и Cdm) и проходная (Cgd) емкости. Результаты машинного расчета этих емкостей в диапазоне 5-12 ГГц сведены в таблицу 1.

Таблица 1. Результаты расчета емкостей

Сех, пф	0.07-0.47
Свых, пф	0.05-0.21
Спрох = Cgd, пф	0.007-0.060

Значения емкостей сильно отличаются для различных частот, что можно объяснить воздействием неучтенных индуктивностей. Это не должно пугать, так как цель на данном этапе – найти стартовые значения для начала оптимизации. Затем можно определить значения емкостей и индуктивностей металлизации путем электромагнитного моделирования в пакете Sonnet или аналогичном.. Значения элементов gm и Gds с успехом определяются из результатов измерений по постоянному току. Стартовые значения индуктивностей выводов Lgl и Ldl можно найти из рассмотрения конструкции корпуса, полагая, что на 1мм длины приходится 1 нГн индуктивности [2]. Необходимо учитывать, что пайка выполняется на некотором расстоянии от корпуса, впрочем, часто весьма близком – около 0.5 – 1 мм. Индуктивность выводов истока Ls, которых два и которые гораздо шире, можно принять равной десятой части от индуктивностей выводов затвора или стока.

Определение значений сопротивлений Rg, Ri, Rs, Rd – задача, не имеющая стандартного решения. В данном случае использовались значения, типичные для маломощных арсенидгаллиевых транзисторов с высокой подвижностью электронов.

После нахождения всех стартовых значений осуществлялась оптимизация с целью получения минимального отклонения между данными измерений и моделирования. Результирующие кривые представлены на рисунке 2.

ствие представляется возможным путем удаления корпуса, то есть в бескорпусном варианте. Для этого необходимо исключить элементы, описывающие корпус и выводы – Cgl, Lgl, Ls, Ldl, Cdl. Таким образом, модель позволит предсказать параметры транзистора без корпуса, то есть получить информацию, производителем не афишируемую. В этом проявляется одно из главных преимуществ использования модели пред использованием непосредственно матриц рассеяния. S-параметры транзистора без корпуса показаны на рис. 3. Там же приводится коэффициент усиления, который можно получить от простейшего усилительного каскада на этом транзисторе при сопротивлениях источника и нагрузки, равных 50 Ом.

Рисунок 3. Результаты моделирования транзистора ATF-36077 в бескорпусном варианте.

Figure 3. Modeling results for unpackaged ATF-36077 transistor

Рисунок 2. Результаты измерений и моделирования

S – параметров транзистора ATF-36077.

Figure 2. ATF-36077 transistor S-parameter measurement and simulation results

Соответствие результатов измерений и моделирования хорошее во всем диапазоне частот, поэтому можно предположить, что номиналы элементов и параметры модели определены корректно. Их значения сведены в таблицу 2.

Таблица 2. Номиналы элементов эквивалентной схемы и параметры после оптимизации

Наименование	Единица измер.	Значение
Cgl	пФ	0.144
Lgl	пГ	464
Cgm	пФ	0.05
Lgm	пГ	100
Rg	Ом	1
Ri	Ом	3
Cgs	пФ	0.21
Rs	Ом	3
Ls	пГ	44.4
Cgd	пФ	0.0243
gm	А/В	0.0857
tau	псек	6.1
Rds	Ом	146
Cds	пФ	0.168
Rd	Ом	3
Ldm	пГ	100
Cdm	пФ	50
Ldl	пГ	312
Cdl	пФ	0.1

III. Заключение

Транзистор ATF-36077 может быть использован и на частотах выше 18 ГГц. Так как быстродействие прибора в значительной степени ограничено паразитными элементами корпуса, повысить быстродей

Очевидно, что усиление остается достаточно высоким вплоть до частоты 40 ГГц, то есть транзистор можно использовать на значительно более высоких частотах, чем рекомендовано изготовителем.

Результаты моделирования были опробованы путем измерения параметров усилителя, топология которого представлена на рисунке 4.

Рисунок 4. Топология усилителя на ATF-36077.

Figure 4. ATF-36077 amplifier layout

Результаты измерений, электрического и электромагнитного моделирования представлены на рисунке 5. Недостаточное совпадение результатов измерений и моделирования вызвано тем, что характеристики усилителя оказываются намного более чувствительными к топологии, чем к параметрам модели транзистора.

Совпадение получается хорошим на краях диапазона, где нет влияния спада в усилении, определяемого геометрией связанных линий на выходе усилителя (рисунок 4).

III. Список литературы

Figure 5. ATF-36077 amplifier measurement and simulation results

[1] Емцев П. А. Моделирование транзистора с высокой подвижностью электронов. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003., №6.

[2] Э. Ред. Справочное пособие по высокочастотной схемотехнике. М.: Мир, 1990.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR SMALL SIGNAL MODEL

Yemtsev P. A., Sunduchkov I. K., Sunduchkov K. S., Shelkovnikov B. N.

National Technical University of Ukraine “KPI” e-mail: [email protected]

Abstract – ATF-36077 high electron mobility transistor small signal model is represented for booth packaged and unpackaged cases. Model parameter extraction procedure is presented. It is shown, that using the transistor withowt package gives a possibility to expand amplifier frequency range more than twice.

I. Introduction

The process of microwave equipment development often starts with simulation. This development sequence allows to reduce the costs and time spent for elaboration. Unfortunately, active component libraries of microwave simulators are often not complete. In this case development process starts with active device modeling. The modeling procedure is quite complicated and thus the cost of large active component library is comparable or even exceeds the cost of simulator. Becides, modeling procedure requires very expensive equipment which is not always available. In this situation the best way is to use the vendor data. Usually, for microwave transistor S-parameters in whole frequency range are specified. But, as it will be shown in this work, using the transistor model opens wider possibilities for developers.

Частота, ГГц

Рисунок 5. Результаты измерений и моделирования усилителя на ATF-36077.

Investigated ATF-36077 HEMT from Hewlett-Packard is low noise device with high gain. It is quite promising for low noise amplifier in 1-18 GHz frequency range applications. S-parameters for this frequency range are represented in mentor datasheet, and this allows to build up small-signal model. The model could be useful for LNA development and investigation of transistor applicability outside frequency range recommended by vendor.

II. Main part

The circuit diagram of transistor model (figure 1) is slightly modified microwave FET small-signal model. It consists of part representing the package elements (Lgl, Cgl, Ldl, Cdl, Ls), part which represents the metalization placed on GaAs substrate (Lgm, Cgm, Ldm, Cdm) and intrinsic part which represents transistor itself. Transistor parameter extraction procedure is based on semi-analytical approach. It includes initial parameter evaluation and final optimization in order get the best fit between measured and simulated S-parameters. Simple evaluation based on empirical solutions is made to get initial parameters for elements, which represent the package. The parasitics representing pad metalization are found by electromagnetic simulation in Sonnet. To find intrinsic model elements, procedure derived on standard extraction procedures for FET device small-signal models was applied. As it is obvious from figure 2, the correspondence between measured and simulated S-parameters is quite good.

III. Conclusion

Removing the package can expand frequency range of ATF-36077 application. In this case elements representing package have to be removed from model. These elements are Lgl, Cgl, Ldl, Cdl. S-parameters obtained oly by simulation for unpackaged transistor are shown in figure 3. Figure also represents the gain obtained (by simulation) from simple transistor amplifier in the case of 50 Ohm source and load resistance. It is obvious that amplification remains high at frequencies up to 40 GHz. That allows to use this transistor in fre quency range much wider than recommended by vendor.

Источник: Материалы Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии»

Ширина — область — пространственный заряд

Cтраница 2

Между областями исток и сток в объеме полупроводника образуется проводящий канал, по которому протекает ток основных носителей. От ширины области пространственного заряда, образованного переходом затвор-канал, зависит сечение канала и величина тока стока. При освещении вблизи перехода создаются электронно-дырочные пары. Под действием электрического поля перехода неосновные носители генерируемых пар переходят в область затвора. Фототек, протекающий через цепь затвора, вызывает на внешнем сопротивлении R3 падение напряжения и изменяет потенциал затвора. [17]

Статические сверхрешетки можно получить, изменяя в процессе роста монокристаллов концентрацию, тип примеси. Если ширина области пространственного заряда меньше толщины слоев, то область пространственного заряда распространяется на всю структуру и электрический потенциал периодически будет меняться вдоль ее оси. Если длина слоев больше периода структуры, возникнет сверхрешетка, в которой параметры модулирующего потенциала определяются концентрацией и природой легирующей примеси. [18]

Поэтому область пространственного заряда не возникает. В объеме полупроводника вблизи поверхности раздела образуется слой, обогащенный электронами Ширина обогащенного слоя существенно меньше ширины области пространственного заряда. Поэтому при любом знаке внешнего приложенного напряжения не возникает энергетического барьера для тока и вольт-амперная характеристика сим-метричца. [19]

Принято считать, что коэффициент ионизации а; аехр ( — Ь / Е), где а и Ъ — постоянные н Е — электрическое поле. Тем не менее с ростом удельного сопротивления материала ( или с уменьшением градиента распределения примесей) ширина области пространственного заряда возрастает и поэтому несколько уменьшается критическое значение электрического поля. В результате рост пробивного напряжения с увеличением удельного сопротивления исходного материала ( или с уменьшением градиента распределения примесей вблизи перехода) ослабляется. [20]

Однако следует иметь в — виду, что под действием света может происходить ионизация значительно более глубоких уровней. При освещении элементов ионизированные глубокие уровни обеспечивают дополнительный объемный заряд, способствующий поддержанию разности потенциалов на переходе, что приводит к уменьшению ширины области пространственного заряда, создаваемого мелкими донорными уров нями, и увеличению измеряемых значений емкости. Характерные черты спектральной зависимости емкости ( см. рис. 4.10) и, в частности, эффекты ее спада и резкого возрастания связаны с ионизацией глубоких уровней и обратным процессом — захватом носителей, которые происходят при воздействии излучения с разной длиной волны. [21]

Поскольку для конкретного образца транзистора уменьшение тока стока достигается за счет расширения р-л-перехода затвора ( уменьшения ширины канала), то следует ожидать возрастания шумов в полевых транзисторах при уменьшении рабочих токов. Отсюда можно заключить, что для снижения шумов при работе в области малых токов необходимо использовать полевые транзисторы с малым напряжением отсечки и резкими р — — переходами с малой шириной области пространственного заряда. [22]

Величина предельного тока процесса анодного растворения германия и-типа определяется поверхностной концентрацией дырок, которая зависит от образования пространственного заряда и от скорости диффузии дырок из глубины полупроводника к его поверхности. При прохождении анодного тока через электрод n — типа происходит обеднение дырками поверхностного слоя по отношению к объему полупроводника на расстоянии порядка диффузионной длины. Ширина области пространственного заряда d мкм, что на несколько порядков меньше диффузионной длины дырок. [23]

Для получения высоких пробивных напряжений ( более 500 в) исходный кремний должен иметь еще более высокое удельное сопротивление. Так как ширина области пространственного заряда для такого материала быстро увеличивается с напряжением, то пластинки кремния должны быть сравнительно толстыми и, следовательно, время жизни носителей заряда в них достаточно большим, чтобы использовать эффект модуляции проводимости. [24]

Установлено, что в случае плоскостного кремниевого диода эта формула вполне точна только для прямого тока, но что обратные токи не насыщаются. Поэтому было сделано предположение [149], что вследствие малого времени жизни неосновных носителей заряда в кремнии обратный ток из-за генерирования носителей ловушками в области пространственного заряда больше тока насыщения неосновных носителей, диффундирующих в эту область. Обратный ток ловушек пропорционален ширине области пространственного заряда. [25]

С увеличением внешнего прямого напряжения уменьшается суммарная напряженность электрического поля в р-л-переходе. С уменьшением напряженности электрического поля уменьшается глубина проникновения этого поля в области полупроводника, прилегающие к металлургическому контакту. Поэтому уменьшается толщина р-л-перехода или ширина области пространственного заряда. [26]

Легирование приводит к уменьшению ширины обедненного слоя, снижению удельного сопротивления CdS и незначительному повышению спектральной чувствительности элементов. Аналогичные результаты получены Луке и др. [107] при исследовании солнечных элементов на основе Cu2S — CdS со слоем легированного сульфида кадмия. Проведенные авторами измерения вольт-фарадных характеристик этих элементов показали, что по сравнению с нелегированными элементами ширина области пространственного заряда уменьшилась в 4 раза, концентрация доноров у границы раздела возросла в 16 раз, а концентрация доноров в объеме GdS повысилась в 50 раз. Отношение обратных токов насыщения легированны и нелегированных элементов приблизительно равно отношению соответствующих значений электрической проводимости слоев. Авторами обнаружено существование зависимости напряжения холостого хода Voc и спектральной чувствительности от уровня легирования. Изменения КПД и Voc элементов при вариациях концентрации примесей объясняются различиями в значениях последовательного и шунтирующего сопротивлений, а также обратного тока насыщения. [27]

В полевом режиме быстродействие ключа определяется временем перезаряда межэлектродных емкостей, и прежде всего входной емкости затвор-исток CGS и переходной емкости затвор-сток CGD — Емкость CGS включает в себя емкость между диффузионными областями управляющего р-п-перехода и емкость между металлизированными дорожками истока и затвора. Емкость Сао связана прежде всего с обедненной областью и прямо пропорциональна площади активной области транзистора и обратно пропорциональна ширине области пространственного заряда сток-исток. Обе емкости уменьшаются с ростом стокового напряжения. [28]

При дальнейшем уменьшении напряжения уровень Ферми в области перехода занимает более низкое положение по сравнению с глубокими энергетическими уровнями. Ионизация этих уровней вызывает дополнительное падение напряжения, но не приводит к расширению области пространственного заряда. При еще более низком напряжении смещения ширина области пространственного заряда изменяется незначительно и график зависимости С-2 от V имеет малый угол наклона. [29]

Вследствие ухода электронов из приконтактного слоя полупроводника этот слой обедняется носителями заряда, и его сопротивление повышается. Ширина области пространственного заряда в полупроводниках составляет единицы микрометра, а в металлах — менее 10 — 4 мкм. Поскольку приконтактный слой полупроводника, обедненный носителями заряда, препятствует прохождению тока через контакт, он является запирающим. Очевидно, электрическое поле внешнего напряжения, совпадающее по направлению с внутренним полем, в случае запирающего слоя увеличивает ширину области пространственного заряда, а противоположно направленное поле уменьшает ее. Таким образом, при образовании обедненного слоя контакт металла с полупроводником приобретает выпрямляющие свойства, а вольтамперная характеристика такого контакта аналогична характеристике обычного р-п перехода. [30]

Страницы: 1 2 3

Buz90 datasheet на русском

Главная

О сайте

Теория

Практика

Контакты

Высказывания:
Hи одно прошедшее проверку подразделение не готово к бою.

Основные параметры BUZ90A полевого транзистора n-канального.

Структура (технология): MOSFET

Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Tj max, °C	Fr (Ton/of)	Ciss tip	Rds
75W	600V	600V	±20V	4A	150°C	30/150nS	1050pF	2

Схемы транзистора BUZ90A

Общий вид транзистора BUZ90A.	Цоколевка транзистора BUZ90A.

Обозначение контактов:
Международное: G – затвор, D – сток, S – исток.
Российское: З – затвор, С – сток, И – исток.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора BUZ90A.

Другие разделы справочника:

BUZ90 MOSFET – описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: BUZ90

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Выходная емкость (Cd): 1050 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

BUZ90 Datasheet (PDF)

1.1. buz90a.pdf Size:175K _siemens

BUZ 90 A SIPMOS � Power Transistor � N channel � Enhancement mode � Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS >1.2. buz90.pdf Size:176K _siemens

BUZ 90 SIPMOS � Power Transistor � N channel � Enhancement mode � Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS >

1.20. buz905-06.pdf Size:40K _magnatec

BUZ90 (Siemens Semiconductor Group)
Power Transistor
No Preview Available !

Click to Download PDF File for PC

BUZ90 (Siemens Semiconductor Group)
Power Transistor
No Preview Available !

MOSFET — Espruino

MOSFET (Полевой транзистор с металлическим оксидом и полупроводником) — это полупроводниковое устройство, которое можно использовать в качестве твердотельного переключателя. Они полезны для управления нагрузками, которые потребляют больше тока или требуют более высокого напряжения, чем может обеспечить вывод GPIO. В выключенном состоянии полевые МОП-транзисторы не проводят ток, в то время как во включенном состоянии они имеют чрезвычайно низкое сопротивление — часто измеряемое в миллиомах. МОП-транзисторы можно использовать только для переключения нагрузок постоянного тока.

Полевые МОП-транзисторы

имеют три контакта: исток, сток и затвор.Исток подключается к земле (или положительному напряжению в p-канальном MOSFET), сток подключается к нагрузке, а затвор подключается к выводу GPIO на Espruino. Напряжение на затворе определяет, может ли ток течь от стока к нагрузке — ток не течет к затвору или от затвора (в отличие от транзистора с биполярным переходом) — это означает, что если затвору разрешено плавать, полевой транзистор может повернуться включены или выключены в ответ на окружающие электрические поля или очень слабые токи.В качестве демонстрации можно подключить полевой МОП-транзистор обычным образом, за исключением того, что ничего не подключить к контакту затвора, а затем коснуться затвора, удерживая либо землю, либо положительное напряжение — даже через сопротивление вашего тела вы можете включать и выключать полевой транзистор! Чтобы гарантировать, что полевой МОП-транзистор остается выключенным, даже если вывод не подключен (например, после сброса Espruino), между затвором и истоком можно разместить понижающий резистор.

Полевые МОП-транзисторы

переключают ток, протекающий только в одном направлении; у них есть диод между истоком и стоком в другом направлении (другими словами, если сток (на N-канальном устройстве) падает ниже напряжения на истоке, ток будет течь от истока к стоку).Этот диод, «основной диод», является следствием производственного процесса. Его не следует путать с диодом, который иногда помещают между стоком и источником питания нагрузки — он отдельный и должен быть включен при возбуждении индуктивной нагрузки.

Если не указано иное, в этом разделе предполагается использование полевого МОП-транзистора с N-канальным расширением.

N-канал против P-канала

В N-канальном MOSFET исток соединен с землей, сток — с нагрузкой, и полевой транзистор включается, когда на затвор подается положительное напряжение.С N-канальными MOSFET проще работать, и они являются наиболее часто используемым типом. Их также проще производить и, следовательно, они доступны по более низкой цене и с более высокими характеристиками, чем полевые МОП-транзисторы с каналом p-типа.

В P-канальном MOSFET источник подключен к положительному напряжению, и полевой транзистор включается, когда напряжение на затворе ниже напряжения источника на определенную величину (Vgs <0). Это означает, что если вы хотите использовать МОП-транзистор с P-каналом для переключения напряжений выше 5 В, вам понадобится другой транзистор (какой-либо), чтобы включать и выключать его.

Выбор полевых МОП-транзисторов

Напряжение затвор-исток (Vgs) Одной из наиболее важных характеристик является напряжение, необходимое для полного включения полевого транзистора. Это не пороговое напряжение — это напряжение, при котором он впервые начинает включаться. Поскольку Espruino может выводить только 3,3 В, для простейшего подключения нам нужна деталь, которая обеспечивает хорошую производительность с приводом затвора 3,3 В. К сожалению, не так много полевых МОП-транзисторов в удобных сквозных корпусах, которые будут работать с 3.Привод ворот 3в. IRF3708PBF — хороший выбор в большом корпусе TO-220 — его пропускная способность по току достаточна практически для любых целей, даже при 3,3 В на затворе. Для более низкого тока возможен вариант 5LN01SP-AC от On Semiconductor; он поставляется в корпусе TO-92 и может выдерживать ток до 100 мА.

В таблицу данных для полевого МОП-транзистора обычно включается график, показывающий свойства в открытом состоянии при различных напряжениях затвора. Ключевая спецификация здесь обычно будет представлена в виде графика зависимости тока стока (Id) от напряжения сток-исток (Vds — это падение напряжения на полевом МОП-транзисторе) с несколькими линиями для разных напряжений затвора.Для примера IRF3708PBF этот график представлен на рисунке 1. Обратите внимание, как при Id 10 ампер падение напряжения (Vds) едва превышает 0,1 В с приводом затвора 3,3 В, а линии для 3,3 В едва различимы. и более высокие напряжения отдельно.

Существует множество низковольтных полевых МОП-транзисторов, доступных в корпусах для поверхностного монтажа с отличными характеристиками, часто по очень низким ценам. Популярный корпус SOT-23 можно припаять к области прототипирования SMD Espruino, как показано на рисунках ниже, или использовать с одной из многих недорогих коммутационных плат, доступных на eBay и у многих поставщиков электроники.

Непрерывный ток Убедитесь, что номинальный постоянный ток детали достаточен для нагрузки — многие детали имеют как пиковый, так и длительный ток, и, естественно, первое часто является основной спецификацией.

Напряжение сток-исток (Vds) Это максимальное напряжение, которое может переключать полевой МОП-транзистор.

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs) Это максимальное напряжение, которое может быть приложено к затвору. Это особенно актуально в случае, когда полевой МОП-транзистор с p-каналом переключает довольно высокое напряжение, когда вы понижаете напряжение с помощью другого транзистора или полевого транзистора, чтобы включить его.

Распиновка

На них показана распиновка типичных МОП-транзисторов TO-220 и SOT-23. Однако ВСЕГДА сверяйтесь с таблицей данных перед тем, как что-либо подключать, на случай, если вы обнаружите, что используете нестандартную деталь.

Подключение

N-канал:

Espruino используется для переключения нагрузки 100 Вт с помощью IRF3708. Обратите внимание на резистор 10 кОм между затвором и истоком. Нагрузка представляет собой светодиодную матрицу мощностью 100 Вт 660 нм, которая потребляет ~ 3,8 А (согласно спецификации) при напряжении 22 В (больше похоже на 85 Вт) — это за гранью изображения (довольно яркое).

Здесь показаны два N-канальных полевых МОП-транзистора в области прототипирования для поверхностного монтажа на Espruino, один в SOT-23 (справа), а другой в SOIC-8 (слева). Обратите внимание, что дорожки между контактными площадками SMD и контактами на Espruino довольно тонкие, поэтому их не следует использовать для токов, намного превышающих ампер.

P-канал:

Здесь показан N-канальный MOSFET, используемый для включения P-канального MOSFET — эта конфигурация полезна, когда вам нужно переключить верхнюю сторону цепи, питаемой чем-то выше 5 вольт — в этом примере предполагается, что VBat Espruino является источником питания. источник.

Схемы

На этих схемах показано несколько общих конфигураций полевых МОП-транзисторов, которые будут использоваться с Espruino. Точные значения резисторов не важны; резистор с более высоким номиналом будет работать нормально (и может быть желательным, когда потребление энергии вызывает особую озабоченность). Как видно ниже, использование полевого МОП-транзистора с P-каналом для переключения напряжений выше 5 В требует более сложной схемы. Это не тот случай, когда используется N-канальный MOSFET для переключения высокого напряжения; поскольку источник заземлен, затвор не должен подниматься до переключаемого напряжения, как это происходит в P-канальном MOSFET, где источником является положительное напряжение.

МОП-транзисторы

и реле

практически не потребляют энергии, в то время как реле потребляют значительную мощность при включении.
могут работать с ШИМ. Реле не могут.
требуется общая земля (или питание для p-канала), в то время как реле полностью изолируют приводимую цепь.
могут переключать только нагрузки постоянного тока, в то время как реле, будучи изолированными, могут также переключать переменный ток.

МОП-транзисторы и биполярные переходные транзисторы

МОП-транзисторы управляются напряжением, а не током.Ток затвора пренебрежимо мал, тогда как базовый ток BJT не пренебрежимо мал.
часто имеют меньшее падение напряжения во включенном состоянии.
включатся сами по себе, если затвору разрешено плавать, для транзисторов BJT требуется ток, поэтому они не будут. МОП-транзисторы
часто бывают более дорогими и исторически более уязвимы к статическим повреждениям.

Режим улучшения и истощения

Большинство используемых полевых МОП-транзисторов представляют собой так называемые устройства расширенного режима, и вышеупомянутая запись предполагает использование полевого МОП-транзистора в расширенном режиме.Опять же, в режиме улучшения MOSFET, когда затвор находится под тем же напряжением, что и источник (Vgs = 0), MOSFET не проводит.

В режиме истощения MOSFET, когда Vgs = 0, MOSFET включен, и на затвор должно быть подано напряжение, чтобы остановить проводимость. Подаваемое напряжение противоположно тому, которое включило бы MOSFET в режиме улучшения, поэтому для N-канального MOSFET в режиме улучшения необходимо приложить отрицательное напряжение, чтобы выключить его.

Покупка

Эта страница автоматически создается на GitHub.Если вы заметите ошибки или у вас есть предложения, сообщите нам об этом.

M: полевой МОП-транзистор

M: МОП-транзистор

3,16 М: МОП-транзистор

3.16.1 Синтаксис

Устройство

M xxxxxxx nd ng ns nb mname { args }
M xxxxxxx nd ng ns nb mname { ширина / длина } { args }
.mosfet label и ng ns nb mname { args }
.mosfet label ng ns nb mname { ширина / длина } { args }

Модель (обязательно)

.модель mname NMOS { args } .model mname PMOS { args }

3.16.2 Цель

МОП-транзистор.

3.16.3 Комментарии

Nd , ng , ns и nb — сток, затвор, исходный и объемный (субстратный) узлы соответственно. Mname — это название модели.

Длина и ширина — длина и ширина нарисованного канала, дюйм микрон. Обратите внимание, что обозначение W / L имеет единицы микрон, но то же самое параметры, в списке аргументов (W и L) указаны единицы измерения.Все остальные размеры указаны в метрах.

Параметр (команда .options) rstray определяет, включены непоследовательные сопротивления. rstray (on) — это По умолчанию. Опыт показал, что эффект последовательного сопротивления часто незначительно, это может значительно ухудшить моделирование время, и это часто увеличивает ошибки округления. rstray — это по умолчанию для совместимости со Spice, и потому что обычно это важно для модели BJT. Norstray (выкл.) Эквивалентен установке все параметры модели rd, rs и rsh равны нулю.

Ввод значения параметра 0 — это не то же самое, что не указывать Это. Такое поведение несовместимо со SPICE. В SPICE значение 0 часто интерпретируется как не указанное, в результате чего вычислить его другим способом. Если вы хотите, чтобы он был рассчитан, не указывайте это.

Еще одно небольшое отличие от SPICE заключается в том, что Gnucap может опускать некоторые ненужные части модели, которые могут повлиять на некоторые заявленные значения. Это не должно влиять на напряжение или ток. Например, если затвор и слив связаны, Cgs не будет отображаться в модели, поэтому напечатанное значение для Cgdovl и Cgd будет 0, что будет не согласен со SPICE.Это не имеет значения, потому что закороченный конденсатор можно хранить бесплатно.

Реализованы уровни 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 49.

3.16.4 Параметры элемента

Параметры совместимости с Basic Spice

M = x: Множитель устройства. (По умолчанию = 1.) Эквивалентное количество устройств, подключенных параллельно.
L = x: Длина нарисованного канала. (По умолчанию = параметр DEFL из опций. DEFL по умолчанию = 100 мкм)
W = x: Ширина нарисованного канала.(По умолчанию = параметр DEFW из опций. DEFW по умолчанию = 100 мкм)
AD = x: Зона диффузии стока. (По умолчанию = параметр DEFAD из опций. DEFAD по умолчанию = 0)
AS = x: Область распространения источника. (По умолчанию = параметр DEFAS из опций. По умолчанию DEFAS = 0)
PD = x: Периметр водосточного примыкания. (По умолчанию = 0.)
PS = x: Периметр примыкания источников.(По умолчанию = 0.)
NRD = x: Количество квадратов дренажной диффузии. (По умолчанию = 1.)
NRS = x: Количество квадратов рассеивания источника. (По умолчанию = 1.)

3.16.5 Параметры модели

Базовый выбор — требуется для всех моделей

УРОВЕНЬ = x: Индекс модели. (По умолчанию = 1) Выбирает, какую из нескольких моделей использовать. Поддерживаются варианты 1-8, соответствующие Spice 3f5.

Расширенное управление (не в Spice) — все модели

CMODEL = x: Селектор модели емкости (по умолчанию = 1 для уровней 4,5,7. По умолчанию = 2 для уровня 1,2,3. По умолчанию = 3 для уровня 6.) Единственные допустимые значения: 1, 2 и 3. 2 выбирает расчет емкости Мейера, совместимый с Spice 2. 3 выбирает модель Мейера, совместимую со Spice 3. 1 выбирает не использовать модель Мейера.

Биннинг (не в Spice) — все модели

Gnucap поддерживает «биннинг».Вы можете указать любое количество моделей как семья. Эти модели должны иметь параметры выбора WMAX, WMIN, LMAX и LMIN.

Чтобы использовать «биннинг», определите набор моделей с тем же именем, кроме для числового расширения, начинающегося с 1. Модели должны быть пронумерованы последовательно. Например, у вас может быть набор моделей: NM3U.1, NM3U.2, NM3U.3, NM3U.4, NM3U.5, NM3U.6. Для устройства вы должны указать модель NM3U. В первая модель, отвечающая требованиям, что длина между LMIN и LMAX, а ширина между WMIN и WMAX будет использовал.Они будут испытаны в порядке номеров.

Если в нумерации есть пробел, будут использовал. Если вам нужна конкретная модель из набора, отключив биннинг, вы можете указать его полное название.

WMAX = x: Максимальная ширина. (По умолчанию = Infinity.) Максимальная ширина устройства, которое может использоваться с этой моделью.
WMIN = x: Максимальная ширина. (По умолчанию = 0.) Минимальная ширина устройства, которая может быть используется с этой моделью.
LMAX = x: Максимальная длина. (По умолчанию = бесконечность.) Максимальная длина устройства, которое может использоваться с этой моделью.
LMIN = x: Максимальная длина. (По умолчанию = 0.) Минимальная длина устройства, которая может быть используется с этой моделью.

Соединение подложки — все модели

IS = x: Ток насыщения объемного перехода. Если не ввод, он рассчитывается из JS.Если оба введены, выдается предупреждение, и вычисляемый значение (из JS) используется, если AD и AS также Вход. Если ни IS, ни JS не введены, значение по умолчанию 1e-14 используется.
JS = x: Ток насыщения объемного перехода на квадратный метр площади перехода. Может использоваться для расчета IS. Если существует конфликт, выдается предупреждение. изданный.
FC = x: Коэффициент для формулы истощающей емкости прямого смещения.(По умолчанию = 0,5)
PB = x: Потенциал объемного перехода. (По умолчанию = 0,8)
CJ = x: Нижняя емкость объемного перехода при нулевом смещении на квадратный метр перехода область. Если не ввод, но есть NSUB, он вычисляется, в противном случае по умолчанию используется значение 0.
МДж = x: Коэффициент градации дна объемного стыка. (По умолчанию = 0,5)
PBSW = x: Боковая стенка Объемный переходный потенциал.(По умолчанию = PB)
CJSW = x: Емкость боковой стенки объемного перехода при нулевом смещении на метр перехода периметр. (По умолчанию = 0.)
MJSW = x: Коэффициент сортировки боковой стенки объемного стыка. (По умолчанию = 0,33)

Блуждающие провода — все модели

RSH = x: Сопротивление диффузионного листа слива и истока. Если нет ввода, используйте RS и RD напрямую. Если существует конфликт, выдается предупреждение.Сопротивление используется, только если установлена опция rstray.
RD = x: Омическое сопротивление слива (немасштабированное). Если вводится RS, по умолчанию значение RD равно 0. Если оба RD и RS не введены, и RSH является входным, они вычисляются из RSH. Если есть существует конфликт, выдается предупреждение с указанием предпринятых действий, который считается совместимым со SPICE. Сопротивление только используется, если установлена опция rstray.
RS = x: Омическое сопротивление источника (немасштабированное).Если вводится RD, по умолчанию значение RS равно 0. Если оба RD и RS не введены, и RSH является входным, они вычисляются из RSH. Если есть существует конфликт, выдается предупреждение с указанием предпринятых действий, который считается совместимым со SPICE. Сопротивление только используется, если установлена опция rstray.
CBD = x: Емкость перехода B-D при нулевом смещении (немасштабированная). Если CBD не указано, он рассчитывается от CJ.
CBS = x: Емкость перехода B-S при нулевом смещении (немасштабированная).Если CBS не указано, он рассчитывается от CJ.
CGSO = x: Емкость перекрытия затвор-исток на ширину канала. (По умолчанию = 0.)
CGDO = x: Емкость перекрытия затвор-сток на ширину канала. (По умолчанию = 0.)
CGBO = x: Емкость перекрытия затвор-большая часть на длину канала. (По умолчанию = 0.)

Регулировка длины и ширины — все модели

Эти параметры регулируют эффективные габариты устройства.Они рассчитываются следующим образом:

L_eff = L_drawn * LMLT + XL — 2 * (LD + DEL)
W_eff = W_drawn * WMLT + XW — 2 * WD

XL = x: Смещение длины учитывает эффекты маскировки и травления. Альтернативные названия: DL, LDEL. (По умолчанию = 0.)
XW = x: Смещение ширины учитывает эффекты маскировки и травления. Альтернативные названия: DW, WDEL. (По умолчанию = 0.)
LMLT = x: Коэффициент усадки по длине.(По умолчанию = 1.0)
WMLT = x: Коэффициент усадки по ширине. (По умолчанию = 1.0)
DEL = x: Уменьшение длины канала с каждой стороны. (По умолчанию = 0.)
LD = x: Боковое распространение по длине. Альтернативные названия: DLAT, LADT. (По умолчанию = 0.)
WD = x: Распространение ширины. (По умолчанию = 0.)

Принимаются и игнорируются — все модели

KF = x: Коэффициент фликкер-шума.Параметр SPICE принят, но не реализовано.
AF = x: Показатель фликкер-шума. Параметр SPICE принят, но не реализован.

Общие параметры уровня 1,2,3,6

VTO = x: Пороговое напряжение нулевого смещения. Если нет ввода, но есть NSUB, то это вычисляется, в противном случае используется значение по умолчанию 0.
KP = x: Параметр крутизны.Если не введено, рассчитывается UO * COX.
ГАММА = x: Групповой пороговый параметр. Если нет ввода, но есть NSUB, то это вычисляется, в противном случае используется значение по умолчанию 0.
PHI = x: Поверхностный потенциал. Если не ввод, но NSUB есть, он рассчитывается, в противном случае используется значение по умолчанию 0,6. Выдается предупреждение, если расчетное значение меньше 0,1, в этом случае используется 0,1.
LAMBDA = x: Модуляция длины канала.Если не ввод, он рассчитывается динамически. во время моделирования. Если введенное значение больше 0,2, появится предупреждение. выдается, но исправления не вносятся. (принято, но игнорируется для уровня 3)
TOX = x: Толщина оксида. (метры) (по умолчанию = 1e-7)
NSUB = x: Субстратный допинг. (атомов / см ³) Используется при расчете VTO, ГАММА, ФИ и CJ. Если не введено, значения по умолчанию используются.
NSS = x: Плотность состояния поверхности.(атомов / см ²) (По умолчанию = 0.) Используется, с НСУБ в расчете ВТО.
XJ = x: Глубина металлургического стыка. (метры) Используется для расчета короткого канала эффекты. Если нет ввода, не моделируйте эффекты короткого канала, эффективно по умолчанию 0.
UO = x: Подвижность на поверхности. (см ² / В-с) (По умолчанию = 600.)
ДЕЛЬТА = x: Влияние ширины на пороговое напряжение.(По умолчанию = 0.) (Уровень 2 и 3 только.)
TPG = x: Тип материала ворот. (По умолчанию = 1.) +1 напротив подложки
-1 то же, что и подложка
0 Алюминий

Уровень 1

Модель уровня 1 не имеет дополнительных параметров.

Уровень 2

NFS = x: Плотность быстрого поверхностного состояния. (атомов / см ²) Используется при моделировании подпороговые эффекты. Если нет ввода, не моделируйте подпороговое значение эффекты.
VMAX = x: Максимальная скорость дрейфа носителей. (м / с) Используется при расчете vdsat, и лямбда. Если нет, используйте другой метод. VMAX делает не всегда работает, если метод дает сбой, используется альтернативный метод и предупреждение «Теория Баума отклонена» выдается, если ошибка Порог установлен на отладку или хуже.
NEFF = x: Коэффициент общей платы за канал (фиксированный и мобильный). (По умолчанию = 1.) Используется во внутреннем расчете лямбды.
UCRIT = x: Критическое поле для деградации мобильности. (В / см) (по умолчанию = 1e4)
UEXP = x: Критическая экспонента поля в деградации подвижности. Если не введено, не ухудшение мобильности модели, эффективное значение по умолчанию равно 0.
UTRA = x: Коэффициент поперечного поля. Параметр SPICE принят, но не реализовано. Это также не реализовано в большинстве версий SPICE.

Уровень 3

NFS = x: Плотность быстрого поверхностного состояния. (атомов / см ²) То же, что и Уровень 2.
VMAX = x: Максимальная скорость дрейфа носителей. (м / с) Используется при расчете vdsat. Если нет, используйте другой метод.
THETA = x: Модуляция подвижности.
ETA = x: Статическая обратная связь.
КАППА = x: Вектор поля насыщенности.

Уровень 6

KV = x: Коэффициент напряжения насыщения.
NV = x: Коэффициент напряжения насыщения.
KC = x: Коэффициент тока насыщения.
NC = x: Коэффициент тока насыщения.
NVTH = x: Коэффициент порогового напряжения.
PS = x: Сидел. текущая модификация пар.
ГАММА1 = x: Параметр группового порога 1.
SIGMA = x: Эффект статической обратной связи пар.
LAMBDA1 = x: Параметр модуляции длины канала. 1.

Уровень 4, 5, 7, 8 (модели BSIM) Общие комментарии

Модели BSIM имеют дополнительные параметры длины, ширины и зависимость продукта (длина * ширина).Чтобы получить имя, введите префикс Перечисленный параметр с L, W или P соответственно. Spice поддерживает Параметр «P» только для BSIM3, но Gnucap поддерживает его для всех 3 модели. Например, VFB является основным параметром с единицами измерения вольт, также существуют LVFB, WVFB и PVFB. Единицы LVFB и WVFB: Вольт * микрон. Единицы измерения ПВФБ — Вольт * микрон * микрон. В Реальный параметр рассчитывается по формуле P = P ₀ + P _L/ L + P _W/ W + P _{/
( L * W ), где L и W — эффективная длина и ширина в микронах. Параметры здесь не указаны, но они соответствуют отраслевым требованиям.
стандартный, с теми же значениями по умолчанию.
«Уровни» такие же, как у Spice.
4
BSIM 1.
5
BSIM 2.
7
BSIM 3v3.1.
8
BSIM 3v3.3.
49
BSIM 3v3.3.
Следующее зарезервировано для использования в будущем: 9
BSIM-SOI.
10
BSIM 4.
3.16.6 Зонды Эти пробники доступны для всех полевых МОП-транзисторов, но некоторые нет.
имеет смысл со всеми моделями. Это не полный список. Все «рассчитанные параметры» могут быть
исследовал. См. Список в исходном файле d_mos.model.
Все параметры внутренних элементов (Ids, Gmr, Gmf, Yds, Gmbr,
Gmbf, Cgb, Cgd, Cgs, Dsb, Ddb, Rd, Rs) доступны. Чтобы получить к ним доступ,
соедините метки внутреннего элемента с этим устройством,
разделенные точкой.Cgd.M6 — это емкость затвора для стока M6.
Нет доступных зондов для анализа переменного тока, кроме внутреннего
элементы.
VDS
Напряжение сток-исток.
VGS
Напряжение затвор-исток.
VBS
Напряжение накопителя.
VDSINT
Внутреннее напряжение сток-исток.
VGSINT
Внутреннее напряжение затвор-исток.
VBSINT
Внутреннее напряжение накопительного источника.
VGD
Напряжение затвор-сток.
VBD
Напряжение накопительного стока.
VSD
Напряжение исток-сток.
VDM
Напряжение средней точки стока.
VGM
Напряжение затвора средней точки.
VBM
Напряжение средней емкости.
VSM
Напряжение средней точки источника.
VDG
Напряжение сток-затвор.
VBG
Напряжение на затворе.
VSG
Напряжение исток-затвор.
VDB
Напряжение стока-накопителя.
VGB
Напряжение затворного блока.
VSB
Источник-объемное напряжение.
VD
Напряжение сток-земля.
VG
Напряжение затвор-земля.
VB
Напряжение на массу.
VS
Напряжение «источник-земля».
ID
Ток утечки.
IS
Источник тока.
IG
Ток затвора.
IB
Общий ток.
CGSO
Емкость перекрытия затвор-исток.
CGDO
Емкость перекрытия затвор-сток.
CGBO
Емкость перекрытия затвор-объем.
CGSM
Емкость Мейера затвор-исток.
CGDM
Емкость Мейера затвор-сток.
CGBM
Затвор-объемная емкость Мейера.
CGST
Общая емкость затвор-исток.
CGDT
Общая емкость затвор-сток.
CGBT
Общая емкость затвора.
CBD
Емкость перехода объемный сток.
CBS
Емкость перехода объемного источника.
CGATE
Номинальная емкость затвора.
GM
Крутизна.
GDS
Проводимость сток-исток.
GMB
Крутизна эффекта тела.
VDSAT
Напряжение насыщения.
VTH
Пороговое напряжение.
VGST
VGS — VTH.
IDS
Ток утечки-истока, не включая паразитные.
IDSTray
Ток утечки из-за паразитных помех.
P
Питание.
PD
Рассеиваемая мощность. Мощность рассеивается в виде тепла. Это всегда
положительный и не включает источник питания. Он должен быть таким же, как
P, потому что МОП-транзистор не может генерировать энергию.
PS
Источник питания. Сила, исходящая от детали. Это всегда положительно
и не учитывает собственное рассеивание. Это должно быть 0, потому что
MOSFET не может генерировать энергию.
РЕГИОН
Код региона. Числовой код, представляющий регион, в котором он находится.
Действует. Число — это сумма нескольких факторов. Отрицательный
код указывает, что исток и сток поменяны местами.
1 Активно. (Не отрезано.)
2 Не подпороговое.
4 Насыщенный.
10 Источник для большого количества смещен вперед.
20 Отвод к массе смещен вперед.
40 Пробить насквозь.
ПОДРОБКА
1, если устройство находится в подпороговой области, иначе 0. Подпороговое значение означает
Vgs ниже порога. Некоторые модели рассчитывают небольшое количество
подпороговый ток, поэтому ток не может быть нулевым.
ОБРЕЗКА
1, если устройство отключено, иначе 0.Отсечка означает, что ток равен нулю.
Отсечка подразумевает подпороговое значение, но подпороговое значение не подразумевает отсечение.
НАСЫЩЕННЫЙ
1, если устройство находится в области насыщения, иначе 0.
TRIODE
1, если устройство находится в области триода, иначе 0.
SBFWD
1, если переход SB имеет прямое смещение, иначе 0.
DBFWD
1, если переход DB смещен вперед, иначе 0.
REVERSED
1, если устройство перевернуто (слив и исток эффективно
поменяны местами), иначе 0.
3. Соединительный полевой транзистор (JFET)
Соединительный полевой транзистор (JFET)
MOSFET имеет ряд преимуществ по сравнению с соединительным полевым транзистором (JFET). Примечательно, что входное сопротивление MOSFET выше, чем у JFET. По этой причине MOSFET выбирается в пользу JFET для большинства приложений. Тем не менее, JFET по-прежнему используется в ограниченных ситуациях, особенно в аналоговых приложениях.
Мы видели, что полевым МОП-транзисторам с улучшенными характеристиками требуется ненулевое напряжение затвора для формирования проводящего канала.Никакой ток основной несущей не может течь между истоком и стоком без этого приложенного напряжения затвора. Напротив, JFET контролирует проводимость тока основной несущей в существующем канале между двумя омическими контактами. Это достигается за счет изменения эквивалентной емкости устройства.
Хотя мы подошли к JFET без использования результатов, полученных ранее для MOSFET, мы увидим много общего в работе этих двух типов устройств. Эти сходства суммированы в Разделе 6: «Сравнение MOSFET и JFET».
Схема физической структуры JFET показана на рисунке 13. Подобно BJT, JFET представляет собой трехвыводное устройство. В основном он имеет только один переход pn между затвором и каналом, а не два, как в BJT (хотя на рисунке 13 показано два перехода pn , они соединены параллельно, соединяя клеммы затвора вместе. Таким образом, их можно рассматривать как единый стык).
Полевой транзистор с каналом n , показанный на рисунке 14 (a), сконструирован с использованием полосы материала типа n с двумя материалами типа p , рассеянными в полосе, по одному с каждой стороны.JFET с каналом p имеет полосу из материала типа p с двумя материалами типа n , рассеянными в полосе, как показано на рисунке 13 (b). На рисунке 13 также показаны символы схемы.
Чтобы получить представление о работе полевого транзистора, давайте подключим полевой транзистор с каналом и к внешней цепи, как показано на рисунке 14 (а). На сток подается положительное напряжение питания В _DD (аналогично напряжению питания В _CC для BJT), а исток подключается к общему проводу (земле).На затвор подается напряжение питания затвора В _GG (аналогично В _BB для BJT).
Рисунок 13 — Физическая структура JFET
В _DD обеспечивает напряжение сток-исток В _DS , которое вызывает ток стока i _D , протекающий от стока к истоку . Поскольку переход затвор-исток имеет обратное смещение, ток затвора равен нулю. Ток стока i _D , который равен току истока, существует в канале, окруженном затвором типа p .Напряжение затвор-исток v _GS , равное , создает в канале область истощения , что уменьшает ширину канала. Это, в свою очередь, увеличивает сопротивление между стоком и истоком.
Рисунок 14 — n-канальный JFET, подключенный к внешней схеме
Мы рассматриваем работу JFET с v _GS = 0, как показано на рисунке 14 (b). Ток стока, i _D , через канал n от стока к истоку вызывает падение напряжения вдоль канала с более высоким потенциалом на переходе сток-затвор.Это положительное напряжение на переходе сток-затвор смещает в обратном направлении переход pn и создает область истощения, как показано темной заштрихованной областью на Рисунке 14 (b). Когда мы увеличиваем v _DS , ток стока, i _D , также увеличивается, как показано на рисунке 15.
Это действие приводит к большей области истощения и увеличению сопротивления канала между стоком и истоком. По мере дальнейшего увеличения v _DS достигается точка, в которой область истощения отсекает весь канал на краю стока, и ток стока достигает точки насыщения.Если мы увеличим v _DS сверх этой точки, i _D останется относительно постоянным. Значение тока насыщения стока при В _GS = 0 является важным параметром. Это ток насыщения сток-исток , I _DSS . Мы обнаружили, что это кВ _T ² для полевого МОП-транзистора в режиме истощения. Как видно из рисунка 15, увеличение v _DS за пределами этой так называемой точки отсечки канала (- V _P , I _DSS ) вызывает очень небольшое увеличение i _D и i _D -v _DS характеристическая кривая становится почти плоской (т.е.е., i _D остается относительно постоянным при дальнейшем увеличении v _DS ). Напомним, что V _T (теперь обозначенное как V _P ) отрицательно для устройства с n -каналом. Работа за пределами точки отсечки (в области насыщения) достигается, когда напряжение стока, В _DS , больше, чем — В _P (см. Рисунок 15). В качестве примера, скажем, В _P = -4 В, это означает, что напряжение стока, В _DS , должно быть больше или равно — (- 4 В), чтобы JFET оставался в рабочем состоянии. область насыщения (нормальная работа).
Это описание указывает на то, что JFET является устройством обедненного типа. Мы ожидаем, что его характеристики будут аналогичны характеристикам полевых МОП-транзисторов с истощением. Однако есть важное исключение: хотя можно использовать полевой МОП-транзистор обедненного типа в режиме улучшения (применяя положительный сигнал v _GS , если устройство имеет n -канальный), это нецелесообразно в JFET. -типа устройства. На практике максимальное значение v _GS ограничено примерно 0.3 В, поскольку переход pn остается отключенным при этом небольшом прямом напряжении.
Рисунок 15 –– i _D в сравнении с v _DS Характеристика для n -канального JFET ( В _GS = 0 В)
3.1 Изменение напряжения JFET между затвором В предыдущем разделе мы разработали характеристическую кривую i _D -v _DS с V _GS = 0.В этом разделе мы рассматриваем полные характеристики i _D -v _DS для различных значений v _GS . Обратите внимание, что в случае BJT характеристические кривые ( i _C -v _CE ) имеют в качестве параметра i _B . Полевой транзистор — это устройство, управляемое напряжением, управление которым осуществляет v _GS . На рисунке 16 показаны характеристические кривые i _D -v _DS как для n -канала, так и для p -канального JFET.
Рисунок 16- i _D -v _DS характеристические кривые для JFET
По мере увеличения ( v _GS более отрицательный для канала n и более положительный для p — канал) формируется область истощения и достигается отсечка при меньших значениях i _D . Следовательно, для n -канального JFET на Рисунке 16 (a) максимальное значение i _D уменьшается с I _DSS , поскольку v _GS становится более отрицательным.Если v _GS дополнительно уменьшается (более отрицательно), достигается значение v _GS , после которого i _D будет равно нулю независимо от значения v _DS . Это значение В _GS называется В _{GS (ВЫКЛ)} или напряжением отсечки ( В _p ). Значение В _p является отрицательным для n -канального JFET и положительным для p -канального JFET. V _p можно сравнить с V _T для режима истощения MOSFET.
3.2 Передаточные характеристики JFET Передаточная характеристика представляет собой график зависимости тока стока, i _D , от напряжения сток-исток, v _DS , с v _GS равно набору постоянных напряжений ( v _GS = -3V, -2, -1V, 0V на рисунке 16 (a)).Передаточная характеристика почти не зависит от значения v _DS , поскольку после того, как JFET достигает отсечки, i _D остается относительно постоянным при увеличении значений v _DS . Это видно из кривых i _D — v _DS на Рисунке 16, где каждая кривая становится приблизительно плоской для значений v _DS > V _p .
На рисунке 17 мы показываем передаточные характеристики и характеристики i _D -v _DS для n -канального JFET.Мы наносим их на общую ось i _D , чтобы показать, как получить одно из другого. Передаточные характеристики могут быть получены путем расширения кривых i _D -v _DS , как показано пунктирными линиями на рисунке 17. Наиболее полезный метод определения передаточной характеристики в области насыщения заключается в следующем. соотношение (уравнение Шокли):

(16)
Следовательно, нам нужно только знать I _DSS и V _p , чтобы определить всю характеристику.В технических паспортах производителей часто указываются эти два параметра, поэтому можно построить передаточную характеристику. V _p в спецификации производителя обозначено как V _{GS (OFF)} . Обратите внимание, что i _D насыщается (т.е. становится постоянным), поскольку v _DS превышает напряжение, необходимое для отсечения канала. Это может быть выражено в виде уравнения для v _{DS, sat} для каждая кривая следующим образом:

(17)
Поскольку v _GS становится более отрицательным, отсечка происходит при меньшие значения v _DS и ток насыщения становится меньше.Полезная область для линейной работы — выше отсечки и ниже напряжения пробоя. В этой области i _D насыщено, и его значение зависит от v _GS в соответствии с уравнением (16) или передаточной характеристикой.
Рисунок 17 — Кривые передаточных характеристик полевого транзистора
Передаточные и характеристические кривые i _D -v _DS для полевого транзистора, показанные на рисунке 17, отличаются от соответствующих кривых для биполярного транзистора.Кривые BJT могут быть представлены как равномерно распределенные для равномерных шагов в базовом токе из-за линейной зависимости между i _C и i _B . JFET и MOSFET не имеют тока, аналогичного току базы, потому что токи затвора равны нулю. Поэтому мы вынуждены показать семейство кривых i _D и v _DS , и эти отношения очень нелинейны.
Второе отличие касается размера и формы омической области характеристических кривых.Напомним, что при использовании BJT мы избегаем нелинейных операций, избегая нижних 5% значений v _CE (т.е. область насыщения ) . Мы видим, что ширина омической области полевого транзистора JFET зависит от напряжения затвор-исток. Омическая область довольно линейна до тех пор, пока колено не окажется близко к защемлению. Эта область называется омической областью , потому что, когда в этой области используется транзистор, он ведет себя как омический резистор, значение которого определяется значением v _GS .По мере уменьшения величины напряжения затвор-исток ширина омической области увеличивается. Мы также отмечаем из рисунка 17, что напряжение пробоя является функцией напряжения затвор-исток. Фактически, чтобы получить достаточно линейное усиление сигнала, мы должны использовать только относительно небольшой участок этих кривых — область линейного действия находится в активной области.
По мере увеличения v _DS от нуля на каждой кривой возникает точка излома, за которой ток стока увеличивается очень мало, поскольку v _DS продолжает увеличиваться.При этом значении напряжения сток-исток происходит отсечка. Значения отсечки обозначены на рисунке 17 и соединены пунктирной кривой, которая отделяет омическую область от активной. Поскольку v _DS продолжает расти после отсечки, достигается точка, в которой напряжение между стоком и истоком становится настолько большим, что происходит лавинный пробой . (Это явление также встречается в диодах и BJT). В точке отказа i _D резко возрастает с незначительным увеличением v _DS .Этот пробой происходит на дренажном конце перехода затвор-канал. Следовательно, когда напряжение сток-затвор, v _DG , превышает напряжение пробоя ( BV _GDS для перехода pn ), происходит лавина [для v _GS = 0 В]. На этом этапе характеристика i _D -v _DS демонстрирует особую форму, показанную в правой части рисунка 17.
Область между напряжением отсечки и лавинным пробоем называется активной областью . рабочая область усилителя, область насыщения или область отсечки . Омическую область (до отсечки) обычно называют областью триода , но иногда ее называют областью, управляемой напряжением . JFET работает в омической области как когда требуется переменный резистор, так и в коммутационных приложениях.
Напряжение пробоя является функцией v _GS , а также v _DS. По мере увеличения величины напряжения между затвором и истоком (более отрицательным для канала n и более положительным для канала p ), напряжение пробоя уменьшается (см. Рисунок 17).При В _GS = В _p ток стока равен нулю (за исключением небольшого тока утечки), а при В _GS = 0 ток стока достигает насыщения при значении

(18)
I _DSS — это ток насыщения сток-исток .
Между отсечкой и пробоем ток стока насыщается и существенно не изменяется в зависимости от v _DS .После прохождения JFET рабочей точки отсечки значение i _D может быть получено из характеристических кривых или из уравнения

(19)
Более точная версия этого уравнения (с учетом небольшой наклон характеристических кривых) выглядит следующим образом:

(20)
λ аналогично λ для полевых МОП-транзисторов и 1/ В _A для BJT. Поскольку λ мало, мы предполагаем, что.Это оправдывает отсутствие второго фактора в уравнении и использование приближения для смещения и анализа больших сигналов.
Ток насыщения сток-исток, I _DSS , является функцией температуры. Влияние температуры на В _p невелико. Однако значение I _DSS уменьшается при повышении температуры, причем уменьшение составляет целых 25% при повышении температуры на 100 ^o. Еще большие вариации встречаются в V _p и I _DSS из-за незначительных изменений в производственном процессе.Это можно увидеть, просмотрев Приложение для 2N3822, где максимальное значение I _DSS составляет 10 мА, а минимальное — 2 мА.
Токи и напряжения в этом разделе представлены для n -канального JFET. Значения для JFET-транзистора p обратны значениям, указанным для канала n .
3.3 Модель слабого сигнала JFET переменного тока Модель слабого сигнала JFET может быть получена с помощью тех же процедур, что и для MOSFET.Модель основана на соотношении Уравнения (20). Если мы рассмотрим только составляющую переменного тока напряжений и токов, мы получим

(21)
Параметры в уравнении (21) задаются частными производными,

(22)
Результирующая модель показана на рисунке 18. Обратите внимание, что модель идентична модели MOSFET, полученной ранее, за исключением того, что значения g _m и r _o вычисляются с использованием разных формул.Фактически формулы идентичны, если V _p заменить на V _T .
Рисунок 18 — Модель малосигнального переменного тока JFET
Для разработки усилителя JFET точка Q для тока смещения постоянного тока может быть определена либо графически, либо с помощью анализа схемы, предполагая режим отсечки для транзистора. Ток смещения dc в точке Q должен составлять от 30% до 70% от I _DSS . Таким образом, точка Q находится в наиболее линейной области характеристических кривых.
Связь между i _D и v _GS может быть нанесена на безразмерный график (то есть нормализованная кривая), как показано на рисунке 20.
Вертикальная ось этого графика — i _D / I _DSS , а горизонтальная ось — v _GS / V _p . Наклон кривой составляет г _м .
Разумной процедурой для определения значения покоя вблизи центра линейной рабочей области является выбор и.Обратите внимание на рисунок 6.20, что это около середины кривой. Далее выбираем. Это дает широкий диапазон значений для v _ds , которые удерживают транзистор в режиме отсечки.
Рисунок 20 — i _D / I _DSS по сравнению с v _GS / V _p
Мы можем найти крутизну в точке Q либо по наклону кривой кривой на рисунке 20 или используя уравнение (22). Если мы используем эту процедуру, параметр крутизны определяется как,

(23)
Помните, что это значение г _м зависит от предположения, что I _D установлено на половину I _DSS и V _GS .0,3 В _p . Эти значения обычно представляют собой хорошую отправную точку для установки значений покоя для JFET.
ПРЕДЫДУЩИЙ- 2. Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор (МОП-транзистор) СЛЕДУЮЩИЙ- 4. Полевой транзистор конфигурации усилителя и смещение полевых транзисторов (полевых транзисторов) [часть 1]
ОПИСАНИЕ:
1. JFET
2. Характеристики и параметры полевого транзистора
3. Смещение JFET
4. Омическая область
5.МОП-транзистор
6. Характеристики и параметры полевого МОП-транзистора
7. Смещение MOSFET
8. БТИЗ
9. Устранение неисправностей
Действия приложения
ЦЕЛЕЙ:
— Обсудите JFET и его отличия от BJT
— Обсуждение, определение и применение характеристик и параметров JFET
— Обсудить и проанализировать смещение JFET
— Обсудите омическую область на характеристической кривой JFET
— Объясните работу полевых МОП-транзисторов
— Обсудить и применить параметры MOSFET
— Описание и анализ схем смещения MOSFET
— Обсудить IGBT
— Диагностика цепей полевых транзисторов
ТЕРМИНОЛОГИЯ:
— JFET
— Слив
— Источник
— Выход
— Напряжение отсечки
— Крутизна
— Омическая область
— полевой МОП-транзистор
— Истощение
— Улучшение
— БТИЗ
ВВЕДЕНИЕ
BJT (транзисторы с биполярным переходом) были рассмотрены в предыдущих разделах.Теперь мы обсудим второй основной тип транзисторов, полевые транзисторы (полевые транзисторы).
транзистор). Полевые транзисторы являются униполярными устройствами, потому что, в отличие от BJT, в которых используются оба
электронный и дырочный ток, они работают только с одним типом носителей заряда.
Двумя основными типами полевых транзисторов являются полевые транзисторы (JFET).
и металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор (MOSFET). В
термин полевой эффект относится к обедненной области, образованной в канале.
полевого транзистора в результате подачи напряжения на один из его выводов (затвор).
Напомним, что BJT — это устройство, управляемое током; то есть базовый ток
контролирует величину тока коллектора. Полевой транзистор отличается. Это управляемый напряжением
устройство, где напряжение между двумя выводами (затвор и исток)
контролирует ток через устройство. Основным преимуществом полевых транзисторов является их
очень высокое входное сопротивление. Из-за их нелинейных характеристик
они, как правило, не так широко используются в усилителях, как BJT, за исключением тех случаев, когда
требуются очень высокие входные сопротивления.Однако предпочтительнее использовать полевые транзисторы.
устройство в низковольтных коммутационных устройствах, потому что они обычно
быстрее, чем BJT при включении и выключении. IGBT обычно используется в
высоковольтные коммутационные приложения.
1. JFET
JFET (соединительный полевой транзистор) — это тип полевого транзистора, который работает
с обратносмещенным pn переходом для управления током в канале. В зависимости от
по своей структуре полевые транзисторы JFET делятся на две категории: n-канальные.
или канал p.
Прочитав этот раздел, вы сможете:
— Обсудите JFET и его отличия от BJT
— Опишите базовую структуру n-канальных и p-канальных полевых транзисторов
— Назовите терминалы? Объясните канал
— Объясните основную работу JFET
— Идентификация условных обозначений JFET
Базовая структура
РИС. 1 (а) показана базовая структура n-канального JFET (полевой эффект перехода
транзистор).К каждому концу n-канала подключены провода; в
сток находится на верхнем конце, а исток — на нижнем. Два р-типа
области рассеиваются в материале n-типа, образуя канал, и оба
Области p-типа подключаются к выводу затвора. Для простоты ворота
свинец показан подключенным только к одной из p областей. P-канальный JFET
показан на фиг. 1 (б).

РИС. 1 Представление базовой структуры двух типов JFET.

РИС. 2 Смещенный n-канальный полевой транзистор.
Основные операции
Чтобы проиллюстрировать работу JFET, на фиг. 2 показаны приложенные напряжения смещения постоянного тока.
к n-канальному устройству. VDD обеспечивает напряжение сток-исток и подает
ток от стока к истоку. VGG устанавливает напряжение обратного смещения между
ворота и источник, как показано.
JFET всегда работает с pn переходом затвор-исток с обратным смещением.Обратное смещение перехода затвор-исток с отрицательным напряжением затвора
образует обедненную область вдоль pn перехода, которая простирается в
n канал и, таким образом, увеличивает его сопротивление, ограничивая канал
ширина.
Ширину канала и, следовательно, сопротивление канала можно регулировать с помощью
изменяя напряжение затвора, тем самым контролируя величину тока стока,
Я БЫ. ИНЖИР. 3 иллюстрирует эту концепцию. Белые области представляют истощение
регион создан обратным смещением.Он шире к сливному концу
канал, потому что напряжение обратного смещения между затвором и стоком
больше, чем между затвором и источником. Мы обсудим JFET
характеристические кривые и некоторые параметры в разделе 2.

РИС. 3 Влияние VGS на ширину канала, сопротивление и ток стока
(VGG = VGS).
(a) JFET смещен на проводимость (b) Большой VGG сужает канал (между
белые области), что увеличивает сопротивление канала и уменьшает
Я БЫ.
(c) Меньше VGG расширяет канал (между белыми областями), который уменьшает
сопротивление канала и увеличивает ID.

РИС. 4 условных обозначения JFET.
Обозначения JFET
Показаны условные обозначения для n-канальных и p-канальных полевых транзисторов.
на фиг. 4.
Обратите внимание, что стрелка на затворе указывает «внутрь» для n канала.
и «out» для канала p.
РАЗДЕЛ 1 ПРОВЕРКА
1.Назовите три терминала JFET.
2. Требуется ли для n-канального JFET положительное или отрицательное значение для VGS?
3. Как регулируется ток стока в полевом транзисторе JFET?

РИС. 5 Кривая характеристики стока JFET для VGS 0, показывающая отсечение
Напряжение.
2. ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ JFET
JFET работает как устройство постоянного тока, управляемое напряжением. Отрезать
и характеристики передачи JFET покрыты в этом
раздел.
После заполнения этого раздела вы сможете:
— Обсуждение, определение и применение характеристик и параметров JFET
— Обсудите кривую дренажной характеристики
— Определите омические, активные и пробивные области кривой
— Определить напряжение отсечки
— Обсудить поломку
— Объясните, как напряжение затвор-исток управляет током стока
— Обсуди напряжение отсечки
— Сравните отсечку и отсечку
— Объясните универсальную передаточную характеристику JFET
— Рассчитайте ток стока, используя уравнение передаточной характеристики
— Интерпретация таблицы данных JFET
— Обсудить прямую крутизну JFET
— Определить крутизну
— Расчет прямой крутизны
— Обсудите входное сопротивление и емкость полевого транзистора
— Определить сопротивление сток-исток переменного тока
Кривая характеристики дренажа
Рассмотрим случай, когда напряжение затвор-исток равно нулю (VGS = 0 В).Это происходит путем замыкания затвора на источник, как на фиг. 5 (а) где
оба заземлены. Когда VDD (и, следовательно, VDS) увеличивается с 0 В, ID будет
пропорционально увеличиваются, как показано на графике фиг. 5 (б) между точками
A и B. В этой области сопротивление канала практически постоянно, потому что
область истощения недостаточно велика, чтобы иметь значительный эффект. Этот
называется омической областью, потому что VDS и ID связаны законом Ома.
(Омическая область обсуждается далее в разделе 4.) В точке B на фиг. 5 (б),
кривая выравнивается и входит в активную область, где ID становится существенно
постоянный. Когда VDS увеличивается от точки B к точке C, напряжение обратного смещения
от затвора к стоку (VGD) образует область истощения, достаточно большую, чтобы смещать
увеличение VDS, таким образом сохраняя ID относительно постоянным.
Напряжение отсечки
Для VGS 0 В значение VDS, при котором ID становится существенно
постоянная (точка B на кривой на фиг.5 (б)) — напряжение отсечки,
ВП. Для данного JFET VP имеет фиксированное значение. Как видите, продолжение
увеличение VDS выше напряжения отсечки дает почти постоянное
ток стока. Это значение тока стока — IDSS (ток стока в источник).
с закороченным вентилем) и всегда указывается в таблицах данных JFET.
IDSS — это максимальный ток стока, который может производить конкретный JFET независимо от
внешней цепи, и он всегда указывается для условия,
ВГС = 0 В.
Разбивка
Как показано на графике на фиг. 5 (б), пробой происходит в точке
C, когда ID начинает очень быстро увеличиваться при дальнейшем увеличении
VDS. Поломка может привести к необратимому повреждению устройства, поэтому JFET
всегда работают ниже пробоя и в активной области (постоянная
текущий) (между точками B и C на графике). Действие JFET, которое
строит кривую дренажной характеристики до точки пробоя для ВГС
0 В проиллюстрировано на фиг.6.
VGS Controls ID
Давайте подключим напряжение смещения VGG от затвора к истоку, как показано на фиг.
7 (а). Поскольку VGS устанавливается на все более отрицательные значения путем регулировки VGG,
создается семейство характеристических кривых стока, как показано на фиг. 7 (б).
Обратите внимание, что ID уменьшается по мере увеличения величины VGS.
отрицательные значения из-за сужения канала.
Также обратите внимание, что при каждом увеличении VGS JFET достигает отсечки
(где начинается постоянный ток) при значениях VDS меньше VP.Термин
напряжение отсечки — это не то же самое, что напряжение отсечки, Vp. Следовательно, сумма
тока стока управляется VGS, как показано на фиг. 8.

РИС. 5 Кривая характеристики стока JFET для VGS 0, показывающая отсечение
Напряжение. _ (b) Характеристики стока (a) JFET с VGS = 0 В и переменной
VDS (VDD)

РИС. 6 Действие JFET, которое создает характеристическую кривую для VGS = 0
V. _

РИС. 7 Отщипывание происходит при более низком VDS, поскольку VGS увеличивается до более отрицательного
значения.

РИС. 8 Идентификатор элементов управления VGS.

РИС. 9 JFET на отсечке.
Напряжение отключения
Значение VGS, которое делает ID приблизительно равным нулю, является напряжением отсечки,
VGS (выключено), как показано на фиг. 8 (г). JFET должен работать между VGS
= 0 В и VGS (выключено). Для этого диапазона напряжений затвор-исток ID будет варьироваться.
от максимума IDSS до минимума почти нуля.
Как вы видели, для n-канального JFET чем больше отрицательный VGS, тем
меньший ID будет в активной области.Когда VGS имеет достаточно большой
отрицательное значение, ID уменьшается до нуля. Этот эффект отсечки вызван
расширение области истощения до точки, где она полностью закрывается
канал, как показано на фиг. 9.
Основная работа p-канального JFET такая же, как и для n-канального
устройства, за исключением того, что для p-канального JFET требуется отрицательный VDD и положительный
VGS, как показано на фиг. 10.
Сравнение напряжения отсечки и напряжения отсечки
Как вы видели, существует разница между напряжениями отсечки и отсечки.Также есть связь. Напряжение отсечки VP равно значению VDS.
при котором ток стока становится постоянным и равным IDSS и всегда
измеряется при VGS = 0 В. Однако отсечение происходит при значениях VDS менее
VP, когда VGS отличен от нуля. Итак, хотя VP является константой, минимальное значение
VDS, при котором ID становится постоянным, меняется в зависимости от VGS.
VGS (выкл.) И VP всегда равны по величине, но противоположны по знаку. А
в таблице данных обычно указывается либо VGS (выкл.), либо VP, но не то и другое одновременно.Тем не мение,
когда вы знаете одно, у вас есть другое. Например, если тогда VP 5 В, как
показанный на фиг. 7 (б). + = VGS (выкл.) = -5В,

РИС. 12 Универсальная передаточная характеристика JFET (n-канальный).
JFET Универсальная передаточная характеристика
Вы узнали, что диапазон значений VGS от нуля до VGS (выкл.) Контролирует
величина тока стока. Для n-канального JFET VGS (выкл.) Отрицателен,
а для p-канального JFET VGS (выкл.) положительный.Поскольку VGS контролирует
ID, соотношение между этими двумя величинами очень важно. ИНЖИР.
12 — общая кривая передаточной характеристики, которая графически иллюстрирует
взаимосвязь между VGS и ID. Эта кривая также известна как крутизна
изгиб.
Обратите внимание, что нижний конец кривой находится в точке на оси VGS.
равно VGS (выключено), а верхний конец кривой находится в точке на ID
ось равна IDSS. Эта кривая показывает, что:
Кривая передаточной характеристики также может быть построена из дренажа.
характеристические кривые путем построения значений ID для взятых значений VGS
из семейства дренажных кривых при отсечке, как показано на фиг.13
для определенного набора кривых. Каждая точка на передаточной характеристике
кривая соответствует конкретным значениям VGS и ID на дренажных кривых.
Например, когда также для этого конкретного JFET, и IDSS = 12 мА. ВГС (выкл.)
= -5В VGS = -2В, ID = 4,32 мА.

РИС. 13 Пример развития передаточной характеристики n-канального JFET
кривая (синяя) от характеристических кривых стока JFET (зеленая).
Кривая передаточной характеристики полевого транзистора выражается приблизительно как

Уравнение 1
С помощью уравнения 1 ID может быть определен для любого VGS, если VGS (выкл.) И IDSS
известны.Эти количества обычно доступны в таблице данных для
данный JFET. Обратите внимание на квадрат в уравнении. Из-за своей формы
параболическая зависимость известна как квадратичный закон, и, следовательно, полевые транзисторы JFET
и полевые МОП-транзисторы часто называют квадратичными устройствами.
Таблица данных типичной серии JFET показана на фиг. 14.

РИС. 14
JFET частичный лист данных. Авторское право Fairchild Semiconductor Corporation.
Прямая крутизна JFET
Прямая крутизна (передаточная проводимость), гм, представляет собой изменение
в токе стока (delta_ID) для заданного изменения напряжения затвор-исток
(delta_VGS) с постоянным напряжением сток-исток.Выражается
как отношение и имеет единицу измерения сименс (S).
г = delta_ID / delta_VGS
Другие общие обозначения этого параметра — gfs и yfs (вперед
допуск трансфера). Как вы увидите в разделе 9, gm — важная
фактор при определении коэффициента усиления по напряжению усилителя на полевых транзисторах.
Поскольку передаточная характеристика полевого транзистора нелинейна, gm
варьируется по значению в зависимости от местоположения на кривой, установленного VGS.В
значение для gm больше в верхней части кривой (около VGS = 0), чем это
находится около дна (около VGS (выключено)), как показано на фиг. 15.

РИС. 15 г варьируется в зависимости от точки смещения (VGS).
В таблице данных обычно указывается значение gm, измеренное при VGS = 0 В (gm0).
Например, в таблице данных для JFET 2N5457 указано минимальное значение gm0
(gfs) (mho — та же единица, что и siemens (S)) с VDS = 15 В.
Учитывая gm0, вы можете рассчитать приблизительное значение gm в любой точке
на кривой передаточной характеристики по следующей формуле:
1000 ммhos

Уравнение 2
Если значение gm0 недоступно, вы можете рассчитать его, используя значения
IDSS и VGS (выкл.).Вертикальные линии указывают абсолютное значение (нет
знак).

Уравнение 3
Входное сопротивление и емкость
Как вы знаете, JFET работает с обратным смещением на переходе затвор-исток,
что делает входное сопротивление на затворе очень высоким. Этот высокий вклад
сопротивление — одно из преимуществ JFET над BJT. (Напомним, что биполярный
Переходный транзистор работает с переходом база-эмиттер с прямым смещением.)
В таблицах данных JFET часто указывается входное сопротивление, задавая значение для
обратный ток затвора, IGSS, при определенном напряжении затвор-исток.В
входное сопротивление затем можно определить с помощью следующего уравнения, где
вертикальные линии указывают абсолютное значение (без знака):
RIN = VGS / IGSS
Например, таблица данных 2N5457 на фиг. 14 перечисляет максимальное значение IGSS, равное -1,0.
нА для VGS = -15 В при 25 ° C. IGSS увеличивается с температурой, поэтому вход
сопротивление снижается.
Входная емкость Ciss является результатом работы JFET с
обратносмещенный pn переход.Напомним, что обратносмещенный pn переход действует
как конденсатор, емкость которого зависит от величины обратного напряжения.
Например, 2N5457 имеет максимальное значение Ciss 7 пФ для VGS = 0.
Сопротивление сток-исток переменного тока
Из кривой характеристики стока вы узнали, что выше отсечки
ток стока относительно постоянен в диапазоне от стока к истоку.
напряжения. Следовательно, большое изменение в VDS приводит только к очень маленькому изменению.
в ID.Соотношение этих изменений и есть сопротивление сток по переменному току к истоку.
аппарата,
r ‘ds
r ’ds = delta_VDS / delta_ID
В таблицах данных этот параметр часто указывается в терминах выходной проводимости,
gos, или выходная проводимость, yos, для VGS = 0 В.
РАЗДЕЛ 2 ПРОВЕРКА
1. Напряжение сток-исток в точке отсечки конкретного
JFET составляет 7 В. Если напряжение затвор-исток равно нулю, что такое VP?
2.VGS определенного n-канального JFET увеличивается отрицательно. Есть ли
ток стока увеличивается или уменьшается?
3. Какое значение должно иметь VGS, чтобы обеспечить отсечку в p-канальном JFET с
а Vp = 3 В?
3. Смещение JFET
Используя некоторые параметры JFET, обсуждавшиеся ранее, вы теперь увидите
как смещать постоянным током JFET. Как и в случае с BJT, цель смещения состоит в том, чтобы
выберите правильное напряжение затвор-исток постоянного тока, чтобы установить желаемое значение
тока стока и, таким образом, правильной точки добротности.Три типа предвзятости — это предвзятость,
смещение делителя напряжения и смещение источника тока.
После заполнения этого раздела вы сможете:
— Обсудить и проанализировать смещение JFET
— Опишите самоискажение
— Расчет токов и напряжений полевого транзистора
— Опишите, как установить точку Q самосмещенного JFET
— Определить смещение средней точки
— Графический анализ самосмещенного JFET
— Обсудить смещение делителя напряжения
— Расчет токов и напряжений полевого транзистора
— Графический анализ полевого транзистора JFET
со смещением делителя напряжения — Обсудить стабильность точки Q
— Опишите смещение источника тока
Самостоятельное смещение
Самосмещение — наиболее распространенный тип смещения полевого транзистора.Напомним, что JFET должен
работать так, чтобы переход затвор-исток всегда был смещен в обратном направлении.
Это условие требует отрицательного VGS для n-канального JFET и положительного
VGS для p-канального JFET. Это может быть достигнуто с помощью устройств самосмещения.
показанный на фиг. 16. Резистор затвора RG не влияет на смещение, потому что
на нем практически отсутствует падение напряжения; и поэтому ворота повторно
напряжение сети 0 В. RG необходимо только для принудительного включения затвора на 0 В и
изолировать сигнал переменного тока от земли в приложениях с усилителями, как вы
увидим позже.

РИС. 16 самосмещенных полевых транзисторов (IS = ID во всех полевых транзисторах).
Для n-канального JFET на фиг. 16 (а), IS вызывает падение напряжения на
RS и делает источник положительным по отношению к земле. Поскольку IS = ID и
VG = 0, тогда VS = IDRS.
Напряжение затвор-исток:
VGS = + IDRS VGS = -IDRS
Таким образом,
Для p-канального JFET, показанного на фиг. 16 (б), ток через RS дает
отрицательное напряжение на источнике, что делает затвор положительным относительно
к источнику.Следовательно, поскольку IS = ID,
В следующем примере n-канальный JFET на фиг. 16 (а) используется для
иллюстрация.
Имейте в виду, что анализ полевого транзистора с р-каналом такой же, за исключением
напряжения противоположной полярности. Напряжение стока относительно земли равно
определяется следующим образом:
VD = VDD —
IDRD Поскольку VS = IDRS, напряжение сток-исток составляет:
VDS = VD — VS = VDD — ID (RD + RS)
VGS = VG — VS = 0 — IDRS = -IDRS
Установка точки Q самосмещенного полевого транзистора
Базовый подход к установлению точки смещения JFET заключается в определении ID
для желаемого значения VGS или наоборот.Затем рассчитайте необходимое значение
RS, используя следующую связь. Вертикальные линии обозначают
абсолютная величина.
RS = | VGS / ID |
Для желаемого значения VGS идентификатор может быть определен одним из двух способов:
от кривой передаточной характеристики для конкретного JFET или более
практически, из уравнения 1 с использованием IDSS и VGS (выключено) из таблицы данных JFET.
Следующие два примера иллюстрируют эти процедуры.
Смещение средней точки
Обычно желательно смещать JFET около середины его передачи.
характеристическая кривая, где ID = IDSS_2.В условиях сигнала средняя точка
смещение обеспечивает максимальное колебание тока стока между IDSS и
0. Для уравнения 1 можно показать, что ID составляет примерно половину от
IDSS при VGS = VGS (выкл.) _3.4. Вывод приведен в разделе «Выводы.
избранных уравнений ».
Итак, выбрав VGS = VGS (off) /3.4, вы должны получить смещение средней точки.
с точки зрения ID.
Чтобы установить напряжение стока в средней точке (VD = VDD / 2), выберите значение RD.
для получения желаемого падения напряжения.Выберите произвольно большой размер RG, чтобы не допустить
нагрузка на каскад в каскадной схеме усилителя. Пример
9 иллюстрирует эти концепции.
Графический анализ самосмещенного полевого транзистора
Вы можете использовать кривую передаточной характеристики полевого транзистора и определенные параметры.
для определения точки Q (ID и VGS) схемы с самосмещением. Схема
показан на фиг. 20 (а), а кривая передаточной характеристики показана на
ИНЖИР. 20 (б).Если кривая недоступна в таблице, вы можете построить
это из уравнения 1 с использованием значений таблицы данных для IDSS и VGS (выкл.).

РИС. 20 Полевой транзистор с самосмещением и его передаточная характеристика.
Для определения точки Q схемы на фиг. 20 (а), самосмещение постоянного тока
Линия нагрузки устанавливается на графике в части (b) следующим образом. Сначала вычислим
VGS, когда ID равен нулю.
VGS = -IDRS = (0) (470 Ом) = 0 В
Устанавливает точку в начале координат на графике (ID 0, VGS 0).Следующий,
вычислить VGS при IDSS. Из кривой на фиг. 20 (б), IDSS = 10 мА.
VGS = -IDRS = — (10 мА) (470 Ом) = -4,7 В
Это устанавливает вторую точку на графике (ID = 10 мА, VGS = -4,7 В).
Теперь с двумя точками можно провести линию нагрузки на передаточной характеристике.
кривая, показанная на фиг. 21. Точка, где линия нагрузки пересекает
Кривая передаточной характеристики представляет собой точку Q схемы, как показано, где
ID = 5,07 мА и VGS = -2.3 В.

РИС. 21 Пересечение линии нагрузки постоянного тока самосмещения и передаточной
характеристическая кривая — Q-точка.
Для повышения стабильности точки Q значение RS в цепи самосмещения
увеличивается и подключается к отрицательному напряжению питания. Это иногда
называется смещением двойного питания.
Смещение делителя напряжения
n-канальный полевой транзистор JFET со смещением делителя напряжения показан на фиг. 23. Напряжение
на истоке JFET должно быть более положительным, чем напряжение на
затвор, чтобы поддерживать обратное смещение в переходе затвор-исток.

РИС. 23 n-канальный полевой транзистор со смещением делителя напряжения (IS ID). _
Источник напряжения:
VS = IDRS
Напряжение затвора устанавливается резисторами R1 и R2, как выражается следующим образом:
уравнение с использованием формулы делителя напряжения:
Напряжение затвор-исток равно, а напряжение источника
Ток стока можно выразить как
Замена VS,
Графический анализ полевого транзистора со смещением делителя напряжения
Подход, аналогичный тому, который используется для самосмещения, может быть использован с делителем напряжения.
смещение для графического определения Q-точки цепи на передаче
характеристическая кривая.
В JFET со смещением делителя напряжения, когда ID = 0, VGS не равно нулю, как в
случай с самосмещением, потому что делитель напряжения выдает напряжение на
затвор не зависит от тока стока. Нагрузка делителя напряжения постоянного тока
линия определяется следующим образом.
Для ID 0,
VS = IDRS = (0) RS = 0 В
VGS = VG — VS = VG — 0V = VG
Следовательно, одна точка на линии имеет ID = 0 и VGS = VG.
Для VGS 0, =
Вторая точка на линии — это ID VG / RS и VGS 0.Обобщенный постоянный ток
Линия нагрузки показана на фиг. 25. Точка пересечения линии нагрузки
кривая передаточной характеристики — это точка Q.

РИС. 25 Общая линия нагрузки постоянного тока (красная) для полевого транзистора с делителем напряжения
предвзятость.
Стабильность точки Q
К сожалению, передаточная характеристика JFET может значительно отличаться.
с одного устройства на другое того же типа. Если, например, 2N5459
JFET заменяется в данной цепи смещения на другой 2N5459, передаточный
характеристическая кривая может сильно варьироваться, как показано на фиг.27 (а). В
В этом случае максимальное значение IDSS составляет 16 мА, а минимальное значение IDSS — 4 мА. Так же,
максимальное напряжение VGS (выключено) составляет -8 В, а минимальное напряжение VGS (выключено) равно -2 В. Это означает
что если у вас есть выбор из 2N5459, и вы выбираете один случайным образом,
он может иметь значения где угодно в этих диапазонах.

РИС. 27 Изменение передаточной характеристики полевых транзисторов 2N5459 и
влияние на Q-точку.
Если линия нагрузки постоянного тока с самосмещением нарисована, как показано на фиг.27 (б),
та же схема, использующая 2N5459, может иметь точку Q в любом месте линии
от Q1, точки минимального смещения, до Q2, точки максимального смещения. Соответственно,
ток стока может быть любым значением между ID1 и ID2, как показано
заштрихованная область. Это означает, что постоянное напряжение на стоке может иметь диапазон
значений в зависимости от ID. Также напряжение затвор-исток может быть любым.
значение между VGS1 и VGS2, как указано.
РИС. 28 иллюстрирует стабильность Q-точки для полевого транзистора с самосмещением и для
JFET со смещением делителя напряжения.При смещении делителя напряжения зависимость
ID в диапазоне Q-точек уменьшается, потому что наклон нагрузки
линия меньше, чем для самосмещения для данного JFET.
Хотя VGS довольно сильно различается как для самосмещения, так и для делителя напряжения
смещение, ID гораздо более стабильно при смещении делителя напряжения.

РИС. 28 Изменение ID между минимальной и максимальной Q-точками
намного меньше для JFET со смещением делителя напряжения, чем для самосмещенного
JFET.
Смещение источника тока
Смещение источника тока — это метод повышения стабильности точки Q
самосмещенный JFET, делая ток стока по существу независимым
ВГС. Это достигается за счет последовательного включения источника постоянного тока.
с источником JFET, как показано на фиг. 29 (а). В этой схеме действует БЮТ.
в качестве источника постоянного тока, потому что его эмиттерный ток существенно
константа, если полевой транзистор также можно использовать в качестве источника постоянного тока.
VEE W VBE.
Поскольку IE = ID,
Как видно на РИС. 29 (б), ID остается постоянным для любой передаточной характеристики
кривая, обозначенная горизонтальной линией нагрузки.

РИС. 29 Смещение источника тока.
РАЗДЕЛ 3 ПРОВЕРКА
1. Должен ли полевой транзистор с р-каналом иметь положительный или отрицательный VGS?
2. В некоторой самосмещенной n-канальной схеме JFET и детерминантном VGS.
3.N-канальный полевой транзистор со смещением делителя напряжения имеет напряжение затвора 3
V и напряжение источника 5 В. Рассчитайте ВГС.
RS = 1,0 кОм. ID = 8 мА
4. ОХМИЧЕСКИЙ РЕГИОН
Омическая область — это участок характеристических кривых полевого транзистора, на котором
Можно применить закон Ома. При правильном смещении в омической области JFET
проявляет свойства переменного сопротивления, где значение сопротивления
контролируется VGS.
После заполнения этого раздела вы сможете:
— Обсудите омическую область на характеристической кривой JFET
— Расчет крутизны и сопротивления сток-исток
— Объясните, как JFET можно использовать в качестве переменного сопротивления
— Обсудить работу JFET с точкой Q в исходной точке
— Расчет крутизны
Омическая область простирается от начала характеристических кривых.
до точки излома (где начинается активная область) кривой VGS = 0
приблизительно параболической формы, как показано на типичном наборе кривых на фиг.30. Характеристические кривые в этой области имеют относительно постоянный
наклон для малых значений ID. Наклон характеристической кривой в
омическая область — это проводимость по постоянному току сток-исток GDS полевого транзистора.
Вспомните из курса основных схем, что сопротивление является обратной величиной.
проводимости.
Таким образом, сопротивление сток-исток по постоянному току равно
.
РИС. 30 Омическая область — это заштрихованная область.
JFET как переменное сопротивление JFET может быть смещен в любом активном
область или омическая область.JFET часто смещены в омической области.
для использования в качестве переменного резистора, управляемого напряжением. Управляющее напряжение
это VGS, и он определяет сопротивление, изменяя точку Q. Предвзято
JFET в омической области, линия нагрузки постоянного тока должна пересекать характеристику
кривая в омической области, как показано на фиг. 31. Сделать это способом
что позволяет VGS управлять RDS, ток насыщения постоянного тока устанавливается для
значение намного меньше, чем IDSS, так что линия нагрузки пересекает большую часть
характеристические кривые в омической области, как
РИС.31 показывает рабочую область, расширенную тремя показанными Q-точками.
(Q0, Q1 и Q2), в зависимости от VGS.

РИС. 31 Линия нагрузки пересекает кривые внутри омической области.
По мере движения вдоль линии нагрузки в омической области на фиг. 31 значение
RDS меняется по мере того, как Q-точка последовательно падает на кривые с разными
склоны. Q-точка перемещается вдоль линии нагрузки, изменяя от VGS = 0 до VGS.
= -2v в этом случае. При этом наклон каждой последующей кривой
меньше предыдущего.Уменьшение наклона соответствует меньшему
ID и более VDS, что подразумевает увеличение RDS. Это изменение сопротивления
может использоваться в ряде приложений, где контроль напряжения
сопротивление полезно.

РИС. 33
Q-точка в исходной точке
В некоторых усилителях вы можете захотеть изменить сопротивление, видимое
сигнал переменного тока, не влияя на смещение постоянного тока, чтобы контролировать усиление. Иногда
вы увидите, что JFET используется в качестве переменного сопротивления в цепи, где оба
ID и VDS установлены на 0, что означает, что точка Q находится в исходной точке.Q-точка в начале координат достигается за счет использования конденсатора в цепи стока.
JFET. Это делает величины постоянного тока VDS = 0 В и ID = 0 мА, так что только
переменными являются VGS и Id, переменный ток стока. В начале у вас есть
ток стока переменного тока, контролируемый VGS. Как вы узнали ранее, крутизна
определяется как изменение тока стока для данного изменения затвор-исток
Напряжение. Итак, ключевым фактором при смещении источника является крутизна.
ИНЖИР.33 показывает характеристические кривые, развернутые в начале координат. Уведомление
что омическая область простирается в третий квадрант.
В начале координат, где VDS = 0 В и ID = 0 мА, формула крутизны,
представленный ранее в этом разделе:
, где gm — крутизна, а gm0 — крутизна для VGS = 0 В. gm0
можно рассчитать по следующему уравнению, которое также было приведено ранее:
РАЗДЕЛ 4 ПРОВЕРКА
1.Для определенной точки Q в омической области ID = 0,3 мА и VDS = 0,6.
V. Каково сопротивление полевого транзистора, когда он смещен в этой точке Q?
2. Как изменяется сопротивление сток-исток при увеличении VGS?
отрицательный?
3. Для полевого транзистора, смещенного в начале координат, gm = 0,850 мс. Определите соответствующие
сопротивление переменному току.
5. МОП-транзистор
MOSFET (полевой транзистор на основе оксида металла, полупроводника) — еще один
категория полевого транзистора.MOSFET, в отличие от JFET,
не имеет структуры pn перехода; вместо этого затвор полевого МОП изолирован.
из канала слоем диоксида кремния (SiO2). Два основных типа
МОП-транзисторов — это усиление (E) и истощение (D). Из двух типов
Расширение MOSFET более широко используется. Потому что поликристаллический кремний
теперь используется в качестве материала ворот вместо металла, эти устройства иногда
так называемые IGFET (полевые транзисторы с изолированным затвором).
После заполнения этого раздела вы сможете:
— Объясните работу полевых МОП-транзисторов
— Обсудите усовершенствованный MOSFET (E-MOSFET)
— Опишите структуру
— Определите символы для n-канальных и p-канальных устройств E-MOSFET
— Обсудите истощение MOSFET (D-MOSFET)
— Опишите структуру
— Обсудить режимы истощения и улучшения
— Определите символы для n-канальных и p-канальных устройств D-MOSFET
— Обсудить силовые полевые МОП-транзисторы
— Описание структуры LDMOSFET
— Описание структуры VMOSFET
— Описание структуры TMOSFET
— Описание двухзатворного полевого МОП-транзистора
— Определите символы для двухзатворных D-MOSFET и E-MOSFET
Расширенный полевой МОП-транзистор (E-MOSFET)
E-MOSFET работает только в режиме улучшения и не имеет истощения.
режим.Конструктивно он отличается от D-MOSFET, о котором идет речь.
во-вторых, в том, что у него нет структурного канала. Обратите внимание на фиг. 34 (а), что
подложка полностью доходит до слоя SiO2. Для n-канального устройства
положительное напряжение затвора выше порогового значения индуцирует канал, создавая
тонкий слой отрицательных зарядов в области подложки, прилегающей к
Слой SiO2, как показано на фиг. 34 (б). Проводимость канала равна
усиливается за счет увеличения напряжения затвор-исток и, таким образом, увеличения
электроны в область канала.Для любого напряжения затвора ниже порога
значение, канала нет.

РИС. 34 Представление основной конструкции и работы E-MOSFET
(n-канальный).
Показаны условные обозначения для n-канальных и p-канальных E-MOSFET.
на фиг. 35. Пунктирные линии символизируют отсутствие физического канала.
Стрелка подложки, направленная внутрь, предназначена для канала n, а направленная наружу
стрелка предназначена для канала p.
Некоторые устройства E-MOSFET имеют отдельное соединение с подложкой.

РИС. 35 условных обозначений схемы E-MOSFET.
MOSFET с истощением (D-MOSFET) Другой тип MOSFET — это MOSFET с истощением.
(D-MOSFET), а на фиг. 36 иллюстрирует его базовую структуру. Слив и
источник диффундируют в материал подложки, а затем соединяются
узкий канал, примыкающий к утепленным воротам. И n-канал, и p-канал
устройства показаны на рисунке. Мы будем использовать n-канальное устройство для описания
основная операция.Работа p-канала такая же, за исключением напряжения
полярности противоположны полярности n-канала.

РИС. 36 Представление базовой структуры D-MOSFET.
D-MOSFET может работать в любом из двух режимов — в режиме истощения.
или режим улучшения — иногда его называют истощением / улучшением
МОП-транзистор.
Поскольку затвор изолирован от канала, положительный или отрицательный
может быть приложено напряжение затвора.N-канальный MOSFET работает в режиме истощения.
режим при подаче отрицательного напряжения затвор-исток и в усилении
режим, когда приложено положительное напряжение затвор-исток. Эти устройства
в основном работал в режиме истощения.
Depletion Mode Визуализируйте затвор как одну пластину конденсатора с параллельными пластинами.
и канал как другая пластина. Изолирующий слой из диоксида кремния
— диэлектрик. При отрицательном напряжении затвора отрицательные заряды на
затвор отталкивает электроны проводимости из канала, оставляя положительный
ионы на их месте.Таким образом, n канал исчерпал часть своего
электронов, тем самым уменьшая проводимость канала. Чем больше отрицательного
напряжение на затворе, тем больше обеднение n-каналом электронами.
При достаточно отрицательном напряжении затвор-исток VGS (выключено) канал
полностью истощен, и ток стока равен нулю. Этот режим истощения
проиллюстрировано на фиг. 37 (а). Как и n-канальный JFET, n-канальный D-MOSFET
проводит ток стока для напряжений затвор-исток между VGS (выключено) и
нуль.Кроме того, D-MOSFET работает при значениях VGS выше нуля.

РИС. 37 Работа n-канального D-MOSFET.
Режим улучшения
При положительном напряжении затвора притягивается больше электронов проводимости.
в канал, тем самым увеличивая (усиливая) проводимость канала,
как показано на фиг. 37 (б).
Символы D-MOSFET Условные обозначения как для n-канала, так и для
MOSFET с истощением p-канала показаны на фиг.38. Подложка, обозначенная
стрелкой, обычно (но не всегда) внутренне подключен к
источник. Иногда используется отдельный штифт для подложки.

РИС. 38 условных обозначений D-MOSFET.
FYI Новый тип полевого транзистора использует ребристую структуру вместо
обычной плоской кремниевой структуры. Это намного меньше, чем
обычные кремниевые транзисторы.
Ребра изготовлены из полупроводникового материала, называемого арсенид индия-галлия.
вместо кремния.Помимо того, что компьютерные чипы стали намного меньше в
Размер FinFET может работать во много раз быстрее, чем обычные полевые транзисторы.
Структуры силовых полевых МОП-транзисторов
Обычные улучшенные полевые МОП-транзисторы имеют длинный тонкий боковой канал.
как показано на структурном виде на фиг. 39. Это приводит к относительно
высокое сопротивление сток-исток и ограничивает E-MOSFET приложениями с низким энергопотреблением.
Когда затвор положительный, канал формируется рядом с затвором между
исток и сток, как показано.
MOSFET с боковым рассеиванием (LDMOSFET) LDMOSFET имеет боковой канал
структура и является типом расширенного MOSFET, разработанного для силовых приложений.
У этого устройства более короткий канал между стоком и истоком, чем у этого устройства.
обычный E-MOSFET. Более короткий канал приводит к более низкому сопротивлению,
что позволяет более высокий ток и напряжение.

РИС. 39 Поперечное сечение стандартной структуры E-MOSFET. Канал
отображается в виде белой области.
РИС. 40 показывает базовую структуру LDMOSFET. Когда ворота положительные,
в p-слое между слаболегированными
источник и русский регион. Между стоком и истоком есть ток
через n областей и индуцированный канал, как указано.

РИС. 40 Поперечное сечение структуры бокового канала LDMOSFET.
VMOSFET МОП-транзистор с V-образной канавкой является еще одним примером обычного E-MOSFET.
разработан для достижения более высокой мощности за счет создания более коротких и широких
канал с меньшим сопротивлением между стоком и истоком с использованием вертикального
структура канала.Более короткие и широкие каналы позволяют использовать более высокие токи
и, следовательно, большее рассеивание мощности. Амплитудно-частотная характеристика также улучшена.
VMOSFET имеет два соединения источника, соединение затвора сверху и
сливное соединение внизу, как показано на фиг. 41. Канал индуцирован
вертикально по обе стороны от V-образного паза между сливом (n +
подложка, где n + означает более высокий уровень легирования, чем) и соединения источника.
Длина канала задается толщиной слоев, которую контролируют.
по плотности легирования и времени диффузии, а не по размерам маски.

РИС. 41 Поперечное сечение структуры вертикального канала VMOSFET.
TMOSFET
Вертикальная структура канала TMOSFET показана на
ИНЖИР. 42.
Структура затвора встроена в слой диоксида кремния, а источник
контакт непрерывен по всей площади поверхности. Сток находится на
Нижний. TMOSFET обеспечивает большую плотность упаковки, чем VMOSFET, при сохранении
преимущество короткого вертикального канала.

РИС. 42 Поперечное сечение структуры вертикального канала TMOSFET.
МОП-транзисторы с двойным затвором
МОП-транзистор с двойным затвором может быть либо обедненного, либо улучшенного типа.
Единственное отличие состоит в том, что он имеет два затвора, как показано на фиг. 43. Как и раньше.
Как уже упоминалось, одним из недостатков полевого транзистора является его высокая входная емкость, которая ограничивает
его использование на более высоких частотах. При использовании устройства с двумя затворами входная емкость
уменьшается, что делает устройство полезным в ВЧ усилителе
Приложения.Еще одно преимущество конструкции с двумя воротами состоит в том, что она
позволяет использовать вход автоматической регулировки усиления (АРУ) в усилителях РЧ.
Другое приложение демонстрируется в Application Activity, где
смещение на втором затворе используется для настройки кривой крутизны.

РИС. 43 Двухзатворные n-канальные символы MOSFET.
РАЗДЕЛ 5 ПРОВЕРКА
1. Назовите два основных типа полевых МОП-транзисторов.
2.Если напряжение затвор-исток в n-канальном E-MOSFET сделать больше
положительный, ток стока увеличивается или уменьшается?
3. Если напряжение затвор-исток в n-канальном полевом МОП-транзисторе с обеднением составляет
более отрицательно, ток стока увеличивается или уменьшается?
продолжение к части 2 >>
Подобные статьи
30N06-TN3-R — UNISONIC | X-ON
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
30N06 Силовой МОП-транзистор
60В, 30А N-КАНАЛ
МОП-транзистор
1 1
ТО-220 ТО-220Ф
ОПИСАНИЕ
UTC 30N06 — это низковольтный силовой полевой МОП-транзистор.
1
1
разработан с лучшими характеристиками, такими как быстрое время переключения,
низкий заряд затвора, низкое сопротивление в открытом состоянии и отличное сходство с лавиной
К-220Ф2
К-220Ф1
характеристики.Этот силовой полевой МОП-транзистор обычно используется в автомобильной промышленности.
применения в источниках питания, высокоэффективные преобразователи постоянного тока в постоянный
и продукты с батарейным питанием.
1
1
ОСОБЕННОСТИ
К-251 К-252
* R = 40м @V = 10 В, I = 15A
DS (ВКЛ) GS D
* Сверхнизкий заряд затвора (обычно 20 нКл)
* Низкая емкость обратной передачи (C = обычно 80 пФ)
RSS
* Возможность быстрого переключения
* Указана энергия лавин
* Улучшена возможность dv / dt
СИМВОЛ
ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА
Назначение выводов номера для заказа
Упаковка пакета
Без свинца Без галогенов 1 2 3
30N06L-TA3-T 30N06G-TA3-T TO-220 G D S Трубка
30N06L-TF1-T 30N06G-TF1-T TO-220F1 G D S Трубка
30N06L-TF2-T 30N06G-TF2-T TO-220F2 G D S Трубка
30N06L-TF3-T 30N06G-TF3-T TO-220F G D S Трубка
30N06L-TM3-T 30N06G-TM3-T TO-251 G D S Трубка
30N06L-TN3-T 30N06G-TN3-T TO-252 G D S Трубка
30N06L-TN3-R 30N06G-TN3-R TO-252 G D S Катушка с лентой
Примечание: Назначение контактов: G: Затвор D: Слив S: Источник
www.unisonic.com.tw 1 из 8
Copyright 2013 Unisonic Technologies Co., Ltd QW-R502-087.H 30N06 Силовой полевой МОП-транзистор
АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ (T = 25C, если не указано иное)
C
ПАРАМЕТР СИМВОЛ РЕЙТИНГИ
Напряжение сток-исток В 60 В
DSS
Напряжение затвор-источник В 20 В
GSS
Т = 25С 30 А
C
Постоянный ток утечки I
D
T = 100C 21,3 А
C
Импульсный ток утечки (Примечание 2) I 120 A
DM
Одиночный импульсный (примечание 3) E 300 мДж
В ВИДЕ
Лавина Энергия
Повторяющийся (Примечание 2) E 8 мДж
AR
К-220 79
ТО-220Ф / ТО-220Ф2
Рассеиваемая мощность P 45 Вт
D
К-220Ф1
ТО-251 / ТО-252 46
Температура перехода T +150 C
J
Рабочая температура T -55 ~ +150 C
OPR
Температура хранения T -55 ~ +150 C
STG
Примечание: 1.Абсолютные максимальные характеристики — это те значения, при превышении которых устройство может быть необратимо повреждено.
Абсолютные максимальные значения — это только оценки нагрузки, и функциональная работа устройства не подразумевается.
2. Рейтинг повторяемости: ширина импульса ограничена температурой перехода.
3. L = 0,66 мГн, I = 30 А, V = 25 В, R = 20, пусковая температура = 25 ° C
Как DD G J
ТЕПЛОВЫЕ ДАННЫЕ
ПАРАМЕТР СИМВОЛ НОМИНАЛЬНАЯ ЕДИНИЦА
К-220 62
ТО-220Ф / ТО-220Ф2
Переход к окружающей среде 62,5 C / W
JA
К-220Ф1
ТО-251 / ТО-252 110
ТО-220 1,9
ТО-220Ф / ТО-220Ф2
Переход к случаю 2.7 C / W
JC
К-220Ф1
ТО-251 / ТО-252 2,85
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2 из 8
www.unisonic.com.tw QW-R502-087.H
Finfet dibl
полностью. Поскольку затвор находится с трех сторон канала в FinFET-транзисторе, затвор имеет лучший электростатический контроль над каналом, что приводит к улучшенным подпороговым токам в FinFET-транзисторах. (Субраманиан, 2006). Снижение барьера, вызванное стоком (DIBL): В коротких каналах исток и сток становятся настолько близкими, что влияют друг на друга.
Воздушные навесы
Аннотация: Комплексное исследование масштабирования отрицательной емкости FinFET (NC-FinFET) проводится с помощью TCAD. Мы показываем, что NC-FinFET можно масштабировать до «узла 2,1 нм» и почти …
Понижение (DIBL) для различных параметров процесса, то есть концентрации легирования (от 1015 / см3 до 1018 / см3), толщины оксида (0,5 нм и 1 нм) и большой высоты (от 10 до 40 нм). ), был представлен для 20-нанометрового треугольного устройства FinFET. Модель градиента плотности, использованная при моделировании конструкции, включает в себя значительное количество эффектов и обеспечивает больше практической среды для моделирования устройств.
Двухколесные аудиомешки
Рис. 3. Изменение DIBL для n-FinFET на основе Si и GaN с использованием различных диэлектриков затвора. La 2 O 3 показал снижение DIBL на 21% для n-FinFET на основе GaN по сравнению с n-FinFET на основе Si. Фактически, значение DIBL для La 2 O 3 весьма заметно и показывает, что он демонстрирует лучшее управление затвором над каналом по сравнению с другими диэлектрическими материалами. Эффект DIBL рассматриваемых FinFET зависит от толщины верхней части тела и имеет тенденцию к увеличению с увеличением ширины верхней части тела.Результаты сравнения двух устройств с разными формами, но с …
FinFET возникает из-за ограничений масштабирования планарных устройств, уменьшения эффекта короткого канала и продолжения масштабирования, предсказанного законом Мура. Разновидностью стандартного устройства FinFET является устройство FinFET с независимым затвором (IG FinFET), в котором два независимо соединенных затвора управляют уникальным каналом. В этой работе независимый
Holly cuttings youtube
По мере уменьшения длины канала барьер φB, который должен преодолевать электрон от источника на его пути к стоку, уменьшается. эффект канала в полевых МОП-транзисторах, первоначально относящийся к снижению порогового напряжения транзистора при более высоких напряжениях стока.29 августа 2013 г. · Двумерные эффекты, обратная поверхность, обратная поверхность, смещение, объемная инверсия, объемный канал носителей кремния, классическое ограничение, определяемое ограничением cm_3, обеднение DG FinFET DG МОП-транзисторы DIBL DICE, обсуждаемые в разделе Sec. / КНИ МОП-транзистор Рисунок, наконец, первый Fossum GS / D, перекрывающий, следовательно, высококвалифицированный … Finfets. 1. «Мы всего лишь развитая порода обезьян на малой планете с очень средней звездой. 2. Анализ архитектуры FinFET и механизм изготовления М.A.Qadeer Департамент электроники и …
Usb-подключенный scsi (устройство, совместимое с uas)
FinFET Concepts Part-I Вот видео, знакомящее с новейшей транзисторной технологией, используемой в процессорах. на случай, если вы пропустили последовательность: — видеопоследовательность 1) эффекты короткого канала 2) концепция FinFET …
Java net sockettimeoutexception чтение тайм-аут межсетевого экрана
• Требования к технологии FinFET выходят за рамки того, что требовалось для предыдущих технологий планарных полевых транзисторов. TEM-изображение истока и стока FinFET.Это поперечное сечение середины одного из ребер. Основные геометрические и электрические параметры nFinFET приведены в Таблице I в сравнении с параметрами, указанными в ITRS для этой технологии. В этой работе источниками изменчивости рассматриваются случайные дискретные легирующие примеси (RDD), шероховатость края затвора (GER) и шероховатость конечной кромки (FER).
NPTEL обеспечивает электронное обучение через различные потоки онлайн-курсов и видео-курсов.
Калькулятор допуска Psilocybe
7 января 2019 г. · DIBL FinFET и NC-FinFET рассчитывается при I D 10 −8 A мкм −1.В. Субраманиан и др. Доказали, что с уменьшением ширины ребра DIBL FinFET-транзисторов улучшается. Как и ожидалось, значение DIBL базовых FinFET-транзисторов с шириной ребра 8 нм, 12 нм, 15 нм и 20 нм составляет 1,025 В / В, 1,125 В / В, 1,15 В / В и 1,45 В / В соответственно. Моделирование FinFET для 10 нм и более — каналов Si, Ge и III-V BSIM-CMG: Промышленный стандарт модели FinFET Проверка: FinFET от 30 до 10 мкм 图 13 为 finfet 与 pdsoi (平面的全耗尽体管, 在平面晶体管中属于技术) 对漏电压感应源势垒下降效应 (dibl) 的控制作比较。显然, finfet 优于 pdsoi。并且, 由于 finfet 在工艺上与 cmos 技术相似, 比较容易实现。
The FinFET устройства имеют значительно более быстрое время переключения и более высокую плотность тока, чем термин FinFET (полевой транзистор с ребрами), введенный в 2001 году Калифорнийским университетом в Беркли…
Xbox one против продаж ps4
FinFET — это транзисторная конструкция, впервые разработанная Ченминг Ху и его коллегами из Калифорнийского университета в Беркли, которая пытается преодолеть наихудшие типы эффекта короткого канала, с которыми сталкиваются глубокие субмикронные транзисторы. , например, опускание барьера, вызванного дренажем (DIBL). Finfet может работать в двух режимах: одинарные и двойные. 14 Характеристики FinFet Lg 15 нм Некоторые значения Пороговое напряжение 0,196 В Наклон подпорога 72 мВ / декада Ток отключения 70 мкА / мкм DIBL 64.67 мВ / В Lg 30нм 15 Приблизительные уравнения постоянного тока вольт-амперной характеристики? Квадратный закон? Один из способов — использовать закон n-й степени для вычисления тока FinFet. 16 FinFet Challenges или …
Снижение барьеров (DIBL). Инструмент моделирования MuGFET использовался для моделирования и сравнения рассматриваемых характеристик на основе переменных размеров канала: длины, ширины и толщины оксида. Результаты показывают, что лучшая производительность InAs-FinFET была достигнута при длине канала =
Ahci bios не установлен hp
图 13 为 finfet 与 pdsoi (平面的全耗尽晶体管, 在体管中属于前沿技术)漏电压感应源势下降效应 (dibl) 的控制作比较。显然, finfet 优于 pdsoi。并且, finfet 在工艺上 cmos 技术相似, 技术上比较容易 температура, и DIBL около 21 -22 мВ / В.Утечка затвора составляет 0,33–1,48 нА / мкм. Эти модели согласуются с отраслевыми тенденциями масштабирования и прогнозом Международной технологической дорожной карты для полупроводников для высокопроизводительных логических устройств, за исключением того, что задержка инвертора больше и кажется более реалистичной, чем ITRS [3].
2n5485 лист данных
2n5485 datasheet Узнайте больше о магнетиках, запросите бесплатные образцы или спросите в нашем центре 2n5484 2n5485 2n5486 — центральный 2n6548 2n6549 — центральный 2n6716 2n6717 2n6718 2n6728 2n6729 2n6730 — центральный 2n985 pn918 — центральный bc8c8c107 bc337 bc — центральный bc337 bc — центральный серия — 2N5485 TO92 / F 2N5700 TO92 / C 2N6123 TO220 / * A 2N7000 TO92 / G 2SJ49 TO3 / 1B 2SK134 TO3 / 1B ZTX651 E-LINE / B ZTX658 E-LINE / B ZTX751 E-LINE / B.2N / SST5484 Series Vishay Siliconix www. 31w вид. Поиск Поиск 2N5485 2N5486 1 2 3 Информацию о приложениях см. В AN102 и AN105. MMBF5486. Достаточное усиление и низкий уровень шума для чувствительных приемников. Вставьте P. 25 В. Напряжение затвора источника. Лист данных 2SK, схема 2SK, лист данных 2SK: TOSHIBA — FET, кремниевый N-канальный переходник (для малошумящего усилителя звука), все данные. лаборатория: неделя 14 мая. 75 Более крупные партии Свяжитесь с отделом продаж Заказ ценообразования Единица данных ТЕХНИЧЕСКИЙ ПАСПОРТ Файл спецификации продукта в разделе Discrete Semiconductors, SC07 декабрь 1997 г. ДИСКРЕТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ 2N5484; 2N5485; 2N5486 N-канальные полевые транзисторы 2N5485 Semiconductors доступны в Mouser Electronics.1 isc N-канальный полевой МОП-транзистор. ehsanjayjay, старый MPF102 — очень, очень неоднозначная часть, в таблице данных указано, что Idss может быть любым от 2 до 20 мА, и ожидать любого напряжения отсечки (отсечки) примерно от -0. MOTOROLAЗакажите этот документ ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКАот 2N5457 / DJFETs общего назначения 2N5457N Истощение канала1 СЛИВ * Предпочтительное устройство Motorola 3GATE2 МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ИСТОЧНИКА 3GATE2 -25V InterFET 2N5484, 2N5485 и 2N5485 рассчитаны на малошумящие конструкции усилителя VF / UF с низким уровнем утечки. 2N54842N54852N5486MMBF5484MMBF5485MMBF5486 ВЧ-усилитель с каналом N bc856t bc857t series — 2N5485: 755 КБ: 14: N-канальный РЧ-усилитель: Fairchild: 479.Срок эксплуатации: 2N5485 2N5485, 2N5485 техническое описание pdf, 2N5485 техническое описание, техническое описание4U. 5us | 2N5680 SI-P 120V 1A 1W Домашняя страница этого сайта Новости полупроводников Компоненты Производители IC Datasheet Каталог: DATASHEETS Поиск в datasheet Электронные схемы: Артикул в электронике Каталог программного обеспечения Электроника: Поиск в Datasheets 2N5485 数据, 2N5485 芯片手册, 2N5485 电路, 2N5485 datasheet, 2N5485 Схема 2N5485, лист данных 2N5485: NJSEMI — N-CHANNEL JFETS, весь лист данных, лист данных, сайт поиска электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.pdf), текстовый файл (.datasheetcatalog. Утечки затвора обычно составляют менее 10 пА при комнатной температуре. 1 2 3 Затвор слива источника SOT23 Вид сверху Затвор источника TO-92 Вид снизу 1 2 3 Сводные параметры продукта 2N5484 Min 2N5485 Min 2N5486 Min Unit BV Купить ON Semiconductor 2N5485 в Avnet Americas. E, 04-июня-01 www. Com. 2N5485 2N5486 1 3 Информацию о приложениях см. В AN102 и AN105. Получено из процесса 90. SD8901CY CLM4122N XSD5000 CLM2815AAU-3. 2N513485iv. , Поиск по перекрестным ссылкам.N-CHANNEL JFETS, 2N5485 数据手册, 2N5485 芯片手册, 2N5485 电路, 2N5485 datasheet, 2N5485 circuit, 2N5485 datasheet: NJSEMI, alldatasheet, datasheet 2N5485 или его SMD эквивалент MMBF5485, кажется, имеет подробное описание. с самым большим количеством информации о производительности RF. 6A 0. MPF102, MPF102 Datasheet, MPF102 JFET N-Channel Transistor Datasheet, купить транзистор MPF102 机前置电路的常见故障是送人引起场效应管 1V2 (2N5485 保护管 1v1 (C
8） e 极为空脚， b 、 c 极作保护二极管用）击穿，造成 Ch2 、 Ch3 中有一个看不见（Y （Y）如图 2 所示；故障轻微时，旋转衰减大幅度跳动时，有些挡位可以看见 BS EN 755-2 PDF — BS EN определяет пределы механических свойств, возникающие в результате испытаний на растяжение, применимые к алюминию и алюминиевым сплавам, подвергнутым экструзии.2n5485 — это кремниевый N-канальный полевой транзистор JFET, разработанный для ВЧ-усилителей и смесителей. CD4007 CMOS пара и инвертор. Но в целом следующие схемы работают, по крайней мере, близко к схемам усиления и имеют одинаковое сопротивление между ними для целей переменного резистора: Это техническое описание было загружено с: www. Диапазон температур хранения 10 мА. 18н50мф. Лист данных транзистора 2N5485, эквивалент 2N5485, спецификации в формате PDF. Путь: okDatasheet> Semiconductor Datasheet> CALOGIC Datasheet> CALOGIC-2.Синяя ссылка означает, что поиск был найден в таблице данных. 0 -1. 2n5485 2n5486 кремниевый n-канальный jfet код вывода: 1) сток 2) исток 3) маркировка затвора: полный номер детали до -92 корпус — механическая схема электрические характеристики: (ta = 25 ° c, если не указано иное) 2n5484 2n5485 2n5486 символ условия испытания min max min max min max единицы nf vds = 15v, vgs = 0, rg = 1m, f = 1. 0 кГц 2N5484 2N5485 2N5486 50 60 75 µmhos µmhos µmhos Re (yos) Выходная проводимость VDS = 15, VGS = 0, f = 100 МГц 2N5484 2N5485 ON Semiconductor, 2N5485 Datasheet.· Высокая скорость переключения. 2N5485 데이터 시트 (HTML) 1 страница — Fairchild Semiconductor: 명: 2N5485: 상세 내용 N-канальный РЧ усилитель: Загрузить 7 страниц: Прокрутка / Масштаб: 100% 2N5485 数据手册, 2N5485 芯片手册, 2N5485 电路, 2N5485 datasheet, 2N5485 datasheet, 2N5485 datasheet circuit, 2N5485 лист данных: FAIRCHILD — N-канальный РЧ усилитель, весь лист данных, лист данных, сайт поиска электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. html 2N5486 N-Channel Transistor Components datasheet pdf data sheet БЕСПЛАТНО из Datasheet4U.pdf Размер: 557 КБ _chongqing_pingwei. 18N50MF 18 А, 500 В N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор FEATURETO-220MF 18 А, 500 В, R = 0. Поиск Поиск Техническое описание U310: N-канальные JFET-транзисторы, U310 PDF Загрузить Vishay Semiconductors, Техническое описание U310 в формате PDF, выводы, техническое описание, эквивалент, схема, перекрестная ссылка, устаревшие технические описания. 2N5245 Лист данных (PDF) 0. 2N5484. Диапазон VGS (выключен) указан так же, как 2n5485, а диапазон IDSS имеет тот же минимум и более высокий максимум (который будет либо хорошим, либо несущественным). 5 VDS = 15V, VGS = 1M VDS = 1k VDS = 1k VDS = 1mA VDS = 1kHz УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЯ ЕДИНИЦ Связанные продукты с тем же техническим описанием NTE451 является наиболее близким к ним аналогом.2N Datasheet, PDF — Alldatasheet Puoi verificare le tue impstazioni visitando: Загляните в свой ящик для мусора или найдите ТВ-блок 2n с техническими данными и отправьте его на переработку. 2N5401-C-T92-B 1 2 3 4 2N5485 Datasheet, 表, PDF — Fairchild Semiconductor. 6a 0. 0%. Входные емкости JFET C 2N5485 데이터 시트 (무료), 2N5485 Datasheet, 2N5485 데이타 시트, 2N5485 PDF, 2N5485 가격 구매, 2N5485 제품 상세 정보. Это устройство будет хорошо работать в диапазоне частот VHF / UHF. VDG VGS IGF TJ, Tstg Напряжение сток-затвор Напряжение затвор-исток Прямой ток затвора.От 3 до −3 2N / SST5485 −0. Технический паспорт pdf. 18N50MF 18 А, 500 В N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор FEATURETO-220MF 18 А, 500 В, R = 0. Aplic. Источник № SFET RF, VHF, UHF, усилители, 2N5485 数据, 2N5485 手册, 2N5485 电路, 2N5485 техническое описание, 2N5485 схема, 2N5485 техническое описание: FAIRCHILD, alldatasheet 2N5484 / 2N5486 / 2N5484 / 2N5486 / pdf Полевой транзистор 2N5485 P-FET, 25 В, 4 мА, вверх <4 В 2N5515 JFETs N Diff. ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА СХЕМА МАРКИРОВКИ 2N 3906 ALYW A = Место сборки L = Партия пластин Y = Год W = Рабочая неделя = Пакет без свинца (Примечание: Microdot может находиться в любом месте) 1 2 3 1 ЛЕНТА С ИЗОГНУТОМ И УПАКОВКА БАРАКОНОВ ПРЯМЫЙ ВВОД BULK PACK 3 TO − 92 CASE 29 STYLE 1 размерный раздел на стр. 3 данного технического описания.[email protected] = 10V / 9ADS (ON) MAX GS Низкий заряд затвора Низкий Ciss Быстрое переключение 100% лавинное тестирование Улучшенные характеристики du / dt Абсолютные максимальные номинальные значения (T = 25, если не указано иное) CP Параметр Обозначение UNIT18N50MF Напряжение водоотвода V 500DSSVGate-Source Напряжение V BS EN 755-2 PDF - BS EN определяет пределы механических свойств, возникающие в результате испытаний на растяжение, применимые к алюминию и алюминиевым сплавам, подвергнутым прессованию. 1. вишай. Выход 2. С тех пор, как Fairchild окончательно прекратил выпуск 2N5457 JFET вместе с рядом других JFET в пакете TO92, цены росли, и на форумах аудио и стомп-боксов росли слухи о подделках.18N50MF 18 А, 500 В N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор FEATURETO-220MF 18 А, 500 В, R = 0. Сообщите менеджеру группы инженерной и технической поддержки при первой возможности, если эту информацию необходимо каким-либо образом изменить. com. Принципиальная схема операционного усилителя с автоматическим усилением Marantz 2230 | Магнитола Marantz 2230 стерео, на винтажешифи. pdf Размер: 357K 2N5485 Datasheet (PDF) 2 страницы - Vishay Siliconix: Part No. 2N5485 데이터 시트 (HTML) 2 страницы - Fairchild Semiconductor: 부품 명: 2N5485: 상세 내용 SFET RF, VHF, UHF, Amplitiers: Download 2 Pages: Прокрутка / Масштаб: 100% сигнал детектора, s - комплексная угловая частота, s¼ jo.0 кГц - 2. com 5 30 ° 20 ° 10 ° 0 ° 350 ° 340 ° 330 ° 150 ° 160 ° 170 ° 180 ° 190 ° 200 ° 210 ° 320 ° 310 ° 300 ° 290 ° 280 ° 270 ° 260 ° 250 ° 240 ° Идентификация в техническом паспорте Определение статуса продукта Предварительная информация Формируется или в разработке Этот технический паспорт содержит проектные спецификации для разработки продукта. 2N5485 Datasheet 2N5485 - Бесплатная загрузка в формате PDF (. Описание - Транзистор 2N5485 10ma 3. Получите lpss и Vasotn из таблицы данных транзистора. Поправки к спецификации. Pdf - Бесплатная загрузка в формате PDF (.com 2 Номер документа: 70246 S-50148 Ред. 2N5485. Найдите лучшие цены на ON Semiconductor 2N5486, сравнив оптовые скидки от 4 дистрибьюторов. 2N5485 МОП-транзистор. Электронные компоненты Datasheets Активные компоненты Транзисторы Fairchild Semiconductor 2n5484_2n5485_2n5486_mmbf5484_mmbf5485_mmbf5486. 2N5486: Trans JFET N-CH 30mA Si 3-Pin TO-92: Технический паспорт: RFQ IRFP250N DATASHEET PDF - IRFPN Transistor Datasheet, эквивалент IRFPN, лист данных в формате PDF. pdf Размер: 357K Купить 2N5485 - On Semiconductor - РЧ полевой транзистор, 10 мА, 350 мВт, TO-92.2N4402 Лист данных. 2N5245N-Channel RF Amplifier Это устройство предназначено для HF / VHF смесителя / усилителя и приложений, где процесс 50 не подходит. отчет должен быть готов через 1 неделю. Таблица данных Дарлингтона 2n может показаться еще одной хорошей альтернативой, но таблица данных Дарлингтона 2n имеет большее падение напряжения между коллектором и эмиттером, так как в них есть два набора потенциалов NPN или PNP 2n на текущем пути. 90 25+ 0 руб. Эквив. ucb uce ueb PAR Box Caixa Pinos Pinout; 2N5485 FET Canal N VHF / UHF: BF256A, B Eur TL / H / 6791–12 TL / H / 6791–13 Переменный аттенюатор 2N3685 действует как резистор с переменным напряжением с RDS (ВКЛ) макс. 800X.2N5484 Datasheet (PDF) 0. 31W VID 2N5567 TRIACS Motorola 200V 10A 2N5568 TRIACS Motorola 400V 10A 2N5571 TRIACS Motorola 200V 15A 2N5572 TRIACS Motorola 400V 15A 2N5582 BJTs NPN Gen. Изучите последние технические спецификации и подтвердите срок службы деталей, сравните их с прошлыми версиями технических данных, сравните их срок службы. Bitsbox Electronic Components 2N5485 JFET [QD143] - N-Channel J-FET 25V N-Channel JFET High Frequency Amplifier, 2N5485 datasheet, 2N5485 circuit, 2N5485 datasheet: CALOGIC, alldatasheet, datasheet, сайт поиска интегральных таблиц электронных компонентов, полупроводников схемы, диоды, симисторы и другие полупроводники.Транзисторный альтернативный ответ на тему. 2N5400 ТЕХНИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ PDF - Усилитель общего назначения 2N PNP. Спецификация: BS EN Rod & Bar. Ответ на просьбу произвести расчеты для вопросов 10, 14, +17 Показать. Ищете техническое описание? Выполните поиск по продукту и загрузите PDF-файл. 1N914 100V 200mA Диод. СТЕРН ПРОСПЕКТ, 20. 40V 10mA 2N5551 SI-N 180V 0. DATOS 2N5485 - Бесплатная загрузка в формате PDF (. 82 100+ $ 0,5 db 2N5485 ON Semiconductor / Fairchild RF JFET Transistors NCh RF Transistor datasheet, inventory, and pricing. 6A 3W 175MHz 2N5591 GO TO BLY 89C 2N5486 | Электронная инженерия | Паспорт электромагнетизма Что ж, не зная, в какой цепи она или ее применение, очень трудно сказать.18н50мф. 2N5485 Лист данных Информация о ценах 1+ $ 0. А как насчет другого? Я заменил другой компонент и стек на транзистор. Это устройство разработано в первую очередь для приложений электронной коммутации, таких как аналоговая коммутация с низким сопротивлением. 2n5485 2n5486 кремниевый n-канальный jfet код вывода: 1) сток 2) исток 3) маркировка затвора: полный номер детали до -92 корпус - механическая схема электрические характеристики: (ta = 25 ° c, если не указано иное) 2n5484 2n5485 2n5486 символ условия испытания min max min max min max единицы nf vds = 15v, vgs = 0, rg = 1m, f = 1.pdf Размер: 557 КБ _chongqing_pingwei. дБ 2N5485 MIN MAX 2. N-канальный РЧ-усилитель. эмиттер 2. Загрузите техническое описание 2N с сайта Central Semiconductor. лаборатория: неделя 30 апреля. Усилитель. 2N5484, 2N5485, 2N5486, SST5484, SST5485, SST5486 Лист данных. 2N5485 N-канальный РЧ-усилитель. 18н50мф. Это устройство предназначено в первую очередь для приложений электронной коммутации, таких как. 2n5038 Таблицы данных и примечания к приложениям. 2n5457re. Название детали Описание Изготовитель; 69121: 2N5485: N-КАНАЛЬНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ: Micro Electronics: 69122: 2N5485: N-канальный ВЧ-усилитель: National Semiconductor 2N5484, 2N5485, 2N5486 Номинальные характеристики N-канала Кремниевый переходный полевой транзистор ¥ Абсолютные максимальные характеристики VHF / UHF усилителя TA = 25 ° C Напряжение источника обратного затвора - 25 В Напряжение стока обратного затвора - 25 В Непрерывное рассеивание мощности устройством 360 мВт Снижение мощности 3.S. Инфракрасный ШИМ-передатчик. Техническое описание 2N5485 (PDF), 4 страницы - Fairchild Semiconductor: Part No. pdf), текстовый файл (. 2N548 Datasheet, Equivalent, Cross Reference Search). 2N3685 JFET будет иметь линейное сопротивление в течение нескольких десятилетий сопротивления, обеспечивая 2N5485: N-КАНАЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ПОЛЕВЫМ ЭФФЕКТОМ: Микроэлектроника: 9: 2N5486: N-КАНАЛЬНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ЭФФЕКТИВНЫМ ДЕЙСТВИЕМ НА ПЕРЕХОДЕ: Микроэлектроника: 10: 2N7000: N-канальный полевой транзистор в режиме расширения: Fairchild Semiconductor: 11: 2N7000: N-канальный полевой транзистор в режиме расширения : National Semiconductor: 12: 2N7000_D26Z Результирующее отрицательное напряжение используется в качестве управляющего напряжения, которое прикладывается к двери] 2N5485 FET Q1.Эквивалент. * Эти 2N5485 N-Channel JFET Components datasheet pdf data sheet БЕСПЛАТНО из Datasheet4U. Номер части. com Datasheets на электронные компоненты. Просмотрите заменители и альтернативы вместе с таблицами данных, запасами, ценами и выполните поиск других продуктов JFET. pdf Размер 2N5486 Transistor Datasheet, 2N5486 Equivalent, PDF Data Sheets. А. 3 - 3 В 2N5485-0. pdf Электронные компоненты, интегральные схемы, полупроводники - таблицы данных и схемы Поиск в Google 2N5484 и эквивалентных или перекрестных ссылок дает следующие результаты: 2N3819 2N5457 2N5486 2SK104 2SK168 2SK17 2SK37 2SK49 2SK55 BF410A / B JF-JF-JETNET 348 обычно используется в элементах управления активацией педали FX (первое, что приходит на ум - классический Ibanez Tube Screamer).pdf Размер: 26K _fairchild_semi. N-канальный JFET Высокочастотный усилитель, 2N5485 データシート, 2N5485 サ - キット, 2N5485 データシート: CALOGIC データシート, 電子部品, 半導体, IC, ダイオード, トライアックのデータシートの検索サイト. BS170 / MMBF170 - Электрические характеристики полевого транзистора в режиме расширения с N-каналом TA = 25 ° C, если не указано иное Примечание: 1. ОПИСАНИЕ BUZ. txt) или читайте онлайн бесплатно. 5 - 2. Если значение дано между двумя диапазонами (мин. И макс.), Найдите среднее значение и запишите его ниже. Этот веб-сайт использует файлы cookie для улучшения 2N5484, 2N5485: Загрузите техническое описание 2N5486 из Calogic: PDF 30 kb: Leaded JFET General Purpose: загрузите техническое описание 2N5486 из Central Semiconductor: pdf 79 kb: N-Channel RF Amplifier: Загрузите техническое описание 2N5486 из Fairchild Semiconductor: pdf 519 kb: N-канальный кремниевый полевой транзистор Другие с тем же файлом для таблицы данных Скачать Fairchild Semiconductor 2n5484 2n5485 2n5486 mmbf5484 mmbf5485 mmbf5486.= 25 * 0, если не указано иное) Символ a * Итак, Cto Cm, Cdgo «n NF IDSSI / IDSSZ IVOSI-VQSJ! AlVosi-Vaszl 2N5485 УКВ / УВЧ УСИЛИТЕЛЬ JFET Техническое описание компонентов pdf техническое описание БЕСПЛАТНО из Datasheet4U. Источник: процесс 50. Что такое МОП-усилители. Производитель: Fairchild Semiconductor Категория: Дискретные полупроводники IC AMP RF N-CHAN 25V 10MA TO-92; 2N5484_D74Z. Спецификация транзистора IRFZ44E, эквивалент IRFZ44E, спецификации в формате PDF. Vishay 2N5485_datasheet - N-Channel JFET High Frequency Amplifier CORPORATION 2N5484 - 2N5486 ХАРАКТЕРИСТИКИ 2N5485 datasheet, 2N5485 pdf, datasheet, datasheet, datasheets, catálogo, hoja de datos, pdf, Vishay 2, De Alto Prop.com Datasheet (технический паспорт) поиск интегральных схем (ic), полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды. N-канальный РЧ-усилитель. Журналы должны быть сданы в четверг и пятницу в 17:00 с подготовленными лабораторными работами 6 и 7. Это всегда было рекомендованной / предпочтительной частью из диапазона процессов 50. Предварительное первое производство В этом техническом описании содержатся предварительные данные; дополнительные данные будут опубликованы позже. 2N3906 Лист данных. 5 2N5486 МИН МАКС 2.com ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 2N5484, 2N5485 и 2N5486 представляют собой кремниевые N-канальные полевые транзисторы JFET, предназначенные для ВЧ-усилителя, ток Â ° C ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ: (TA = 25 ° C, если не указано иное) 2N5484 2N5485 СИМВОЛ, -Май 2014 г. N-КАНАЛЬНЫЙ 2N4416 2N4416A КРЕМНИЙ N-КАНАЛЬНЫЙ JFETS КОД ВВОДА: 1) Источник 2) Слив 3) Затвор 4) МАРКИРОВКА: ПОЛНЫЙ НОМЕР ДЕТАЛИ TO-72 КОРПУС - МЕХАНИЧЕСКИЙ ОБЗОР www. ТО-9211. 5 - 2. Лист данных транзистора 2N5484, эквивалент 2N5484, спецификации в формате PDF. 31 Вт VID.2N5459 Datasheet, 2N5459 JFET N-Channel Transistor Datasheet, купить 2N5459 Transistor b 、 c 极作保护二极管用）击穿，造成 Ch2 、 Ch3 中有一个通道基线看不见（Y 偏）如图 2 所示；如果轻微在旋转衰减开关基线大幅度跳动时，有些挡位可以看见 18N50MF Datasheet (PDF) 0. 4. Отличный маленький приемник 1972 года от Marantz Electronic 2N5485: Описание N-канального ВЧ усилителя: Загрузить 14 страниц: Прокрутка / Масштаб: 100%: Производитель Производитель Номер детали: 2N5485 Упаковка / Корпус: TO-92 RoHS: Да Лист данных: Щелкните здесь Технические характеристики Категория продукта: Транзисторы RF JFET Конфигурация: Один транзистор Полярность: N-канальная прямая трансдуктивность gFS (макс. / Мин.): 0.ОСОБЕННОСТИ. 2N5485 쇼핑몰, 곳 2n5485 p-fet 25v 4ma up <4v | 2n5551 si-n 180 В 0,5-4 В 2N5486-2 -6 В 2N5485 25 В, N-канальный высокочастотный усилитель с полевым транзистором. 0 -1. txt) или читайте онлайн бесплатно. IRFZ44E MOSFET N-CH 60V 48A TOAB International Rectifier datasheet pdf data sheet БЕСПЛАТНО из Datasheet (техническое описание) поиск. ц е н т р а л с е м я. Серый цвет ссылки означает, что таблицы данных не найдены, но будут предлагать похожие слова, для которых есть таблицы данных в нашей базе данных 2N7000 Data Sheet. Усилитель высокой частоты.См. Список Студенческая поддержка. 5 2N / SST5486 от −2 до −6 4 −25 4 8 ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРЕИМУЩЕСТВА D Отличное усиление на высоких частотах: Gps 13 дБ (тип.) При 400 МГц - 5485/6 D Очень низкий уровень шума: 2 2N5485. 2N datasheet, 2N pdf, 2N Два варианта JFET, 2N5485 или 2N5458, имеют спецификации, которые включены в раздел «Ссылки». C, 14-апр-97 3 Типичные характеристики (продолжение) 10 0 2 8 6 4 Ток утечки затвора 010 20 5 мА 0. [электронная почта защищена] = 10 В / 9ADS (ВКЛ.) MAX GS Низкий заряд затвора Низкое Ciss Быстрое переключение 100% лавинные испытания Улучшенные характеристики du / dt Абсолютные максимальные характеристики (T = 25, если не указано иное) C Обозначение параметра UNIT18N50MF Напряжение водоотвода, В 500DSSV Напряжение затворного источника, В 2N5485 Высокая частота / общего назначения.2N5485 Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Bulk - Boxed Product (Development Kits) ioaueti, One. Octopart - мировой источник информации о наличии 2N5486, ценах, технических характеристиках и других электронных компонентах. JFET VHF / UHF Amplifiers, 2N5484 datasheet, 2N5484 circuit, 2N5484 data sheet: ONSEMI, alldatasheet, datasheet, Datasheet для электронных компонентов и 2N5485 техническое описание (PDF) 2 страницы - Fairchild Semiconductor: Part No. 2N / Vis -Канальные полевые транзисторы JFET 2N5484 SST5484 2N5485 SST5485 2N5486 SST5486 ОБЗОР ПРОДУКТА Номер детали VGS (выкл.) (В) V (BR) GSS Мин. (В) gfs Мин. (МСм) IDSS Мин. (МА) 2N / SST5484 −0.аннотация: транзистор 2n5485 техническое описание транзистора 2n5485 mmbf5484 mmbf5486 mmbf5485 cbvk741b019 2n5486 2n5485 2n5484 текст: верхняя сторона транзистора находится сверху, стиль d74z (m) первый провод выключен - эмиттер (на упаковке 2N548548 был указан 2N5484kg. на чертеже, возможно, причина в наличии. 5 - 2. Запросите техническое описание для 2N5485. 3 XJ109 SD310DE Semiconductor Components Industries, LLC, 2003 Февраль 2003 г. - Ред. В этой конкретной схеме все, что вам нужно знать, это то, что она используется в качестве выключатель.Каталог электронных компонентов. Это техническое описание содержит окончательные спецификации. pdf Размер: 557 КБ _chongqing_pingwei. 5 дБ (тип.) При 400 МГц 5485/6 D Очень низкие искажения D Высокая изоляция переключателя переменного / постоянного тока. 1. СПРИНГФИЛД, НЬЮ-ДЖЕРСИ 07081 U. 1 мА 100 нА 10 нА 1 нА 100 пА Купите 2N5485-D26Z с увеличенным сроком доставки в тот же день. ХАРАКТЕРИСТИКИ •• До 400 МГц 2N5485 Техническое описание (HTML) 1 страница - Fairchild Semiconductor: увеличить масштаб уменьшить 1/7 страницы. [email protected] = 10V / 9ADS (ON) MAX GS Низкий заряд затвора Низкий Ciss Быстрое переключение 100% лавинное тестирование Улучшенные характеристики du / dt Абсолютные максимальные номинальные значения (T = 25, если не указано иное) CP Параметр Обозначение UNIT18N50MF Напряжение источника водоотвода В 500DSSV Источник шлюза Напряжение V Ответьте на Пожалуйста, сделайте расчеты для вопросов 10, 14, +17 Показать N-Channel RF Amplifier, 2N5485 datasheet, 2N5485 Circuito, 2N5485 datasheet: FAIRCHILD, alldatasheet, datasheet, Busqueda sitio de los Datasheet, los Datasheet Busqueda sitio para los Electronicos Componentesy Semiconductorer и otros Semiconductorer.ТЕЛЕФОН: (973) 376-2922 (212)227-6005 ФАКС: (973) 376-8960 2N5515-2N5524 Dual N-Channel JFET 2n5485 datasheet, pdf; транзистор e13007 pdf; 2n5457 даташит pdf; 2n4856 даташит pdf; c2240 транзистор pdf; irf1310 техническое описание pdf; irf9z30 техническое описание pdf; bf245b 5 G D S J201 J202 Это устройство предназначено в первую очередь для низкоуровневого аудио и общего назначения с источниками сигнала с высоким сопротивлением. 2n5245. 27 мВт / ° C TO — 226AA Размеры корпуса в дюймах (мм) Конфигурация контактов Мы ожидаем, что в ближайшее время мы снова заработаем.3 CLM2810M-5 CWB211CP 2N5485 X2N4341 SD5400CY CWB2214CP XSD5002 XJ110 SST112 J177 CLM4427EP XSD411 CLM2805CZ-5 XCWB308 PAD20 SSTPAD10 CLM2805AZ SSTBD24A XJ110 CLM2805AZ SSTBD24U CL4119 МОП-транзистор. Найдите лучшие цены на ON Semiconductor 2N5485, сравнив оптовые скидки от 1 дистрибьюторов. МОП-транзистор. Каталог электронных компонентов. или Ссылка начинается с. МОП-транзистор. обновления: 6. Таблица данных согласованной пары NJFET 2N3958 с важными моментами. . В таблице данных CJ0 - это значение, указанное при нулевом напряжении смещения.com. 3. Источник 3. Параметры и характеристики. [email protected] = 10V / 9ADS (ON) MAX GS Низкий заряд затвора Низкий Ciss Быстрое переключение 100% лавинное тестирование Улучшенные характеристики du / dt Абсолютные максимальные номинальные значения (T = 25, если не указано иное) CP Параметр Обозначение UNIT18N50MF Напряжение водоотвода V 500DSSVGate-Source Напряжение V BS EN 755-2 PDF - BS EN определяет пределы механических свойств, возникающие в результате испытаний на растяжение, применимые к алюминию и алюминиевым сплавам, подвергнутым прессованию. Закрывать. MB354 400V 35A Мостовой выпрямитель.2. LA Datasheet, Mouser Electronics hat TLS 1. Назначение 15V 300mA 2N5589 SI-N 36V 0. 2N5485 子部. gate 2. base 3. 2N5486: 755 KB JANS1N4621UR-1 техническое описание стабилитрона, диода, стабилизатора напряжения INTERSIL, техническое описание INTERSIL, техническое описание INTERSIL, техническое описание, техническое описание, pdf, страница 2 Техническое описание pdf поисковая система - www. 2N Это устройство предназначено для использования как 2N, Rev A. . Стабилитрон или RC-демпферная схема могут защитить коллектор-эмиттер транзистора или сток-исток силового полевого МОП-транзистора, но простой ограничивающий диод между ними защищает не соответствующие транзисторы, а скорее комплементарный транзистор.2N5551 SI-N / 180V / 0. Загрузите таблицу данных 2N из таблицы данных 2n5485 в Нью-Джерси. Просмотрите спецификации, запасы и цены или найдите другие высокочастотные полевые МОП-транзисторы. 2N5485 Datasheet, 2N5485 PDF, 2N5485 Data Sheet, 2N5485 manual, 2N5485 pdf, 2N5485, datenblatt, Electronics 2N5485, alldatasheet, free, datasheet, Datasheets, данные до −92 (to − 226) 1 Вт корпус 08 29−10 дата выпуска май 2012 г., стиль 1: контакт 1. Что нового Разработайте схему конфигурации самосмещения с общим источником с использованием n-канального полевого транзистора (JFET) 2N5485 со следующими характеристиками.2N5484 ON Semiconductor / Fairchild RF JFET Transistors NCh RF Transistor техническое описание, инвентарь и цены. 4 1 Номер заказа на публикацию: 2N5457 / D 2N5457, 2N5458 Предпочитаемые полевые транзисторы JFET - общее назначение 2N548, техническое описание, перекрестная ссылка, схемы и примечания по применению в формате PDF. Www. 2N5485 ータシート本机电路的常见故障是送人电压过高场效应 1V2 (2N5485）和保护管 1v1 (C9018 ，此管 e 极为， b 、 c 极）) ，造成 Ch2 、 Ch3 中有一个通道基线看不见（Y 偏）如图 2 所示；如果故障，在旋转衰减开关基线大幅度跳动时挡位可以 18N50MF Datasheet (PDF) 0. MMBF5485 2N5485 - это N-канальный усилитель радиочастоты (RF), а 2N5458 - N-канальный усилитель общего назначения (GP).本机前置电路的常见是送人过高引起管 1V2 (2N5485）和保护管 1v1 (C9018 ，此管 e ， b 、 c 极保护）击穿，造成 Ch2 、 Ch3 中有一个通道基线看不见（Y 偏）如图 2 所示；如果故障轻微时，在大跳动时，有些 18N50MF Техническое описание (PDF) 0. s Руководства. 2N5486 Datasheet (PDF) 0. Scribd - крупнейший в мире сайт для чтения и публикации в социальных сетях. Pesquisa: 2N5485 Resultados 1 Referências na base de dados. Частотная характеристика усилителя. Абсолютные максимальные рейтинги * TA = 25 ° C, если не указано иное Символ Параметр Значение Единицы VDG Drain -Gate Voltage 25 V VGS Gate-Source Voltage 2N5485 техническое описание, 2N5485 pdf, 2N5485 техническое описание, техническое описание, техническое описание, pdf 2N5486 http: // onsemi.Номер по каталогу: 2N5486 Производитель: Fairchild Описание: N CHANNEL JFET, -25 В, TO-92 Загрузить паспорт данных Документ: 2N5484 / 5485/5486 / MMBF5484 / 5485/5486 2N5484 2N5485 2N5486 MMBF5484 MMBF5485 MMBF5485 Visdown JFET 25V 2mA техническое описание, инвентарь и цены. 2N5589 SI-N 36V 0. N-канальный РЧ-усилитель. Solo los navegadores совместим с TLS 1. Этот легкий и прочный фонарик с черным светом, изготовленный из авиационного алюминиевого сплава и антиабразивного анодирования поверхности, использует 51 УФ-светодиод, которые на 30% ярче, чем другие источники света, что позволяет обнаруживать большая площадь с более ярким светом.com 7-1 N-канальные полевые транзисторы JFET 2N5484 SST5484 2N5485 SST5485 2N5485 DATASHEET PDF - 2N 2N MMBF MMBF MMBF N-канальный РЧ-усилитель. 0 nA VGS = -20V, VDS = 0 Datasheets for electronics pdf технический паспорт БЕСПЛАТНО из Datasheet4U. каталог данных. © 2004 Fairchild Semiconductor Corporation Rev. txt) или прочтите онлайн бесплатно.Техническое описание транзисторов 2SK, эквивалент 2SK, технические данные в формате PDF. Цены и доступность миллионов электронных компонентов от Digi-Key Electronics. Scribd - крупнейший в мире сайт для чтения и публикации в социальных сетях. Ref. Лабораторная неделя № 6 отсутствует (среднесрочная) 7. 0035 от 0 до + 150 ° C Диапазон рабочих температур. pio тип корпуса to-92 to-72 to-72 to-72 to-72 to-72 to72 to-92 t092 to-92 10-92 to-72 to-72 to-92 to-92 to-92 to-92 to-92 to-92 to-92 to-92 to-92 to-92 to-92 to-92 to-92 to-92 to-92 to-92 to-92 bvqss (v) @ iq min o'a) 25 1 30 1 30 10 30 10 30 1 35 1 Загрузите 2N5486 Datasheet PDF документ Fairchild.. 18N50MF 18 А, 500 В N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор FEATURETO-220MF 18 А, 500 В, R = 0. Домашняя страница этого сайта Новости полупроводников Производители компонентов Каталог технических характеристик микросхем: ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Поиск в технических данных Электронные схемы: Артикул в электронике Каталог программного обеспечения Электроника: поиск в технических данных ТРАНЗИСТОРЫ ЭФФЕКТИВНОГО ПОЛЯ N-КАНАЛА, 2N5485 техническое описание, 2N5485 схема, 2N5485EC , alldatasheet, datasheet, сайт поиска Datasheet для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.2N5485: Описание N-канального ВЧ усилителя: Загрузить 7 страниц: Прокрутка / Масштаб: 100%: Производитель: FAIRCHILD 2N5485 datasheet, 2N5485 datasheets, 2N5485 pdf, 2N5485 схема: FAIRCHILD - SFET RF, VHF, UHF, Amplitiers, alldatasheet Сайт поиска технических данных для 2N5484 2N5485 2N5486 УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЯ БЛОКОВ МИН МАКС МИН МАКС МИН МАКС IGSS Gate Reverse Current-1. Предварительно обновите версию 2n5109 datasheet datasheet, чтобы добавить таблицу данных в браузер для нового доступа к веб-сайту Mouser.Импульсный тест: ширина импульса ≤ 300 мкс, рабочий цикл ≤ 2. pdf Lab 3 изображения (ppt) 2N3904 Data Sheet. Mouser предлагает инвентарь, цены и таблицы данных для 2N5485 Semiconductors. От 1. до + 135oC 2N5485 2N5486 3000 3500 4000 6000 7000 8000 μmhos μmhos μmhos Re (yis) Входная проводимость VDS = 15, VGS = 0, f = 100 МГц 2N5484 VDS = 15, VGS = 0, f = 400 МГц 2N5485 / 2N5486 100 1000 µmhos µmhos gos Выходная проводимость VDS = 15, VGS = 0, f = 1. vishay. 1. G, 24 января 2005 г. 2N5485: N-канальный полевой транзистор 2 с кремниевым переходом N 5485 2N5485: N-канальный полевой транзистор 2 N 5485 2N5485: Описание = полевой транзистор малой мощности ;; Casestyle (TO-) = 18 ;; Geome 2 N 5485 2N5485: Высокочастотный / общего назначения 2 N 5485 2N5485: 2 N 5485 2N5485: 25 В, N-канальный высокочастотный усилитель с полевым транзистором 2 N 5485 Только для справки по конструкции, не протестирован на 100%.5 db 2N5485 - Загрузите бесплатно в формате PDF (. Pdf Размер: 110K _motorola. Txt) или прочтите бесплатно онлайн. 2N5485: N-канальный высокочастотный усилитель JFET: 3: 2N5486: N-канальный высокочастотный усилитель JFET: Выберите название детали, а затем вы можете загрузить техническое описание в разделе Другие с тем же файлом для технического описания: 2N5485, 2N5486: Загрузить техническое описание 2N5484 из Calogic: PDF 30 kb: Leaded JFET General Purpose: Загрузить техническое описание 2N5484 от Central Semiconductor: pdf 79 kb: N-Channel RF Amplifier: Загрузить техническое описание 2N5484 от Fairchild Semiconductor: pdf 519 kb: N-канальный кремниевый переходный полевой транзистор 2N5485 ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ PDF; 2SK3565 ТЕХНИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ PDF; BF487 ТЕХНИЧЕСКИЙ ПАСПОРТ PDF; BF472 ТЕХНИЧЕСКИЙ ПАСПОРТ PDF; ТЕХНИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ C33725 PDF; Поделиться этой записью.com 2 Номер документа: 70246 S-50148 — Rev. 6А / 0. 1. Спецификация: BS EN стержень и стержень. Ответ на вопрос, пожалуйста, сделайте расчеты для вопросов 10, 14, +17. Показать N-канальный высокочастотный усилитель JFET2N5484 - 2N5486 ХАРАКТЕРИСТИКИ •• Работа до 400 МГц •• Экономичная упаковка •• Crss <1. 2n5485 2n5486 2n5668 2 n 5669 2n5670 2n5949 2n5950 2n5951 2 n 5952 2n5953 j300 j304 j305 j308 j309. 25V Загрузите техническое описание 2N5485 из Calogic: PDF 30 кб: Leaded JFET общего назначения: загрузите техническое описание 2N5485 из Central Semiconductor: pdf 79 kb: N-Channel RF Amplifier: загрузите техническое описание 2N5485 из Fairchild Semiconductor: pdf 519 kb: N-канальное поле кремниевого перехода -эффект транзистор Другие с тем же файлом для таблицы: SMP5484 N-Channel JFET High Frequency Amplifier, 2N5485 datasheet, 2N5485 circuit, 2N5485 datasheet: CALOGIC, alldatasheet, datasheet, Datasheet search site for Электронные компоненты и полупроводники, интегральные схемы, диоды симисторы и другие полупроводники.МОП-транзистор. Ток утечки 25 В. Таблица данных IRF, Обзор таблицы данных IRF 2SD2102 В ответ на спрос на более высокую стоимость и повышение производительности для БИС обработки сигналов на рынке цветного телевидения, мы разработали БИС обработки сигналов LA со встроенным микрокомпьютером для цветного телевидения на основе одного пакета концепция. centralsemi. 2n5484 2n5485 2n5486 mmbf5484 mmbf5485 mmbf5486. com Datasheet (технический паспорт) поиск интегральных схем (ic), полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды.0 кГц - 2. 2N лист данных, текст: 2N5484 2N5485 2N5486 КРЕМНИЙ N-КАНАЛЬНЫЙ JFET w w w. LFET подключается между контактом 2 MC3340P, заземленным резистором 1 кОм. Мы приносим свои извинения за доставленные неудобства. D Превосходное усиление на высоких частотах: Gps 13 дБ (тип.) При 400 МГц, 5485/6 D Очень низкий уровень шума: 2. Обозначение типа: 2N548 2N548 Лист данных (PDF) 0. Параметры и характеристики. 5-7ma Motorola TO92: Замечания по применению / Типовой пример использования / Пакет данных: 2N5485-datasheet. Объявления: отчеты по лабораторным работам 6 и 7 должны быть представлены в понедельник.ТЕХНИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ BUZ90 PDF - веб-сайт isc ： isc & iscsemi является зарегистрированным товарным знаком. element14 предлагает специальные цены, отправку в тот же день, быструю доставку, широкий ассортимент, таблицы данных и техническую поддержку. com Datasheet (технический паспорт) поиск интегральных схем (ic), полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды. 1. Просмотрите спецификации, запасы и цены или найдите другие полевые транзисторы RF. 1. Таблица данных NJFET 2N5485. Каталог электронных компонентов. 1. 5 до -8 В и крутизна от 2 до 7.5 - 2. МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ 0pFABSOLUTE (TA = 25oC, если не указано иное), поиск в таблицах данных, на сайте поиска электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов и других полупроводников. 2N5485: Описание N-Channel JFET: Загрузить 8 страниц: Прокрутка / Масштаб: 100%: Maker 2N5457 Datasheet (PDF) 0. pdf), текстовый файл (. Исходный код и подложка 3. Код жизненного цикла детали: Active, Ihs Производитель: NTE ELECTRONICS INC, Reach Compliance Code: неизвестно, Производитель: NTE Electronics Купите 2N5485 с продленным сроком доставки в тот же день.N-канальный JFET. Lab3_2C_2007. com Datasheet (технический паспорт) поиск интегральных схем (ic), полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды. 5) используйте полевой транзистор 2n5485 (см. Даташит и разместите правильно) и два 2n3094 (hfe не проверяйте, любой обслуживает) 6) потенциометр первого шума видео логарифмический, поэтому подходит быстрее, второй Это не так, поэтому настройка должна быть более точной, требуется не более 5 секунд, чтобы оставить его готовым, оба работают с одним и тем же КРЕМНИЕВЫМ ТРАНЗИСТОРОМ NPN СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ.Спецификация: BS EN Rod & Bar 18N50MF Datasheet (PDF) 0. A, январь 2004 г. Абсолютные максимальные характеристики 2N5245 * Ta = 25 ° C, если не указано иное * Эти характеристики являются предельными значениями, превышение которых может ухудшить работоспособность любого полупроводникового прибора. Octopart - мировой источник информации о наличии, ценах, технических характеристиках и других электронных компонентах 2N5485. MMBF5484. Это техническое описание содержит технические характеристики для. report Сравните цену 2N5485 и наличие у официальных и независимых дистрибьюторов электронных компонентов.анод 2N5485 2N5486 MMBF5484 MMBF5485 MMBF5486 N-канальный РЧ-усилитель Это устройство разработано в первую очередь для приложений электронной коммутации, таких как аналоговая коммутация с низким сопротивлением. pdf), текстовый файл (. 1. 2N5485 Технические характеристики. Параметры и характеристики. Scribd - крупнейший в мире сайт для чтения и публикации в социальных сетях. 0 kHz 2N5484 2N5485 2N5486 50 60 75 мкмhos мкмhos Re (yos) Выходная проводимость VDS = 15, VGS = 0, f = 100 МГц 2N5484 Закажите сегодня, отправьте сегодня pdf Размер: 557K _chongqing_pingwei.Прямой ток затвора 30 мА. Параметры и характеристики. Каталог электронных компонентов 2N5485 Datasheet, 2N5485 JFET N Channel High Frequency Transistor Datasheet, купить 2N5485 Транзистор 2N5485 2N5486 3000 3500 4000 6000 7000 8000 µmhos µmhos µmhos Re (yis) Входная проводимость VDS = 15, VGS = 0, f485 = 15, VGS = 0, f = 400 МГц 2N5485 / 2N5486 100 1000 µmhos µmhos gos Выходная проводимость VDS = 15, VGS = 0, f = 1. 007 S Напряжение пробоя затвор-исток: -25 В Максимальное напряжение сток-затвора: 25 V Drain Current (Idss at Vgs Request Vishay 2N5485: online from Elcodis, view and download 2N5485 pdf datasheet, JFETs (Junction Field Effect) Технические характеристики.LA4708 ТЕХНИЧЕСКИЙ ПАСПОРТ PDF - Техническое описание для Лос-Анджелеса, схема для Лос-Анджелеса, техническое описание для Лос-Анджелеса: SANYO - 20 Вт 2-канальный усилитель мощности BTL AF для автомобильных стереосистем, все технические данные, технические данные, технические данные. G, 24 января 2005 г. 2N / SST5484 Series Vishay Siliconix Номер документа: 70246 S-04028 — Rev. 6A 3W 175MHz | 2N5639 N-FET 30V 10mA 310mW 2N5672 SI-N 150V 30A 140W 0. СБОР ИНФОРМАЦИИ ДЛЯ ЗАКАЗА 3 2 BASE 1 EMITTER 2N 390x YWW x = 3 или 4 Y = год WW = рабочая неделя = пакет без свинца (Примечание: Microdot может быть в любом месте) 12 3 1 2 УПАКОВКА ИЗГИБНОЙ ЛЕНТЫ И БАРАПНИКА БАРАПАКОНА ПРЯМОПРОВОДОВАЯ НАБОРНАЯ УПАКОВКА К-92 КОРПУС 29 ТИП 1 Текст: ПАСПОРТ ДИСКРЕТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 2N5484; 2N5485; 2N5486 N-канальные полевые транзисторы, полупроводники Спецификация продукта N-канальные полевые транзисторы ХАРАКТЕРИСТИКИ 2N5484; 2N5485; 2N5486, 2N5485 4 10 мА N-канальных симметричных полевых транзистора с кремниевым переходом в огибающей SOT54 (TO-92), мВт 2N5484-0.7400 4000 BC BD BF BU 2SA 2SC LM STR 1N 2N Два других, вероятно, будут работать, но могут иметь техническое описание 2n5485, если конкретные транзисторы находятся в верхнем конце диапазона VGS. Паразитная емкость C P, шунтирующая болометр, показана на рис. ОПИСАНИЕ ИЗДЕЛИЯ. 2N5485 ータト, 2N5485 商, 機能, 面, を確認してください. От 5 до −4 −25 3 1 −25 3. 2n5484 2n5485 2n5486 mmbf5484 mmbf5485 mmbf5486. раздел размеров на стр. 3 данной спецификации. 2n5484 2n5485 2n5486 mmbf5484 mmbf5485 mmbf5486.Часть, ИРФПН. Емкость при любом прямом напряжении смещения V = Cj0 / sq root (1- В / фи) с фи является встроенным потенциалом перехода. N. ХАРАКТЕРИСТИКИ АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ (TA = 25oC, если не указано иное) Напряжение сток-затвор. Технические характеристики могут быть изменены без предварительного уведомления. 2N5485 Лист данных, 2N5485 PDF, 2N5485 Продукция 部, Rohs, 有無. N-канальный РЧ усилитель, 2N5485 лист данных, схема 2N5485, лист данных 2N5485: FAIRCHILD, весь лист данных, сайт поиска электронных компонентов и SFET RF, УКВ, УВЧ, усилители, лист данных 2N5485, схема 2N5485, лист данных 2N548CH: Аллдаташит, технический паспорт, технический паспорт для электронного 2N5485 Кремниевого N-канального JFET-транзистора УКВ / УВЧ-усилителя Тип TO92 Абсолютные максимальные номинальные характеристики: напряжение сток-затвор, VDG.Электрические характеристики: ТА = 25 ° C, если не указано иное. -CHANNEL JFETS, 2N5485 Скачать PDF, 2N5485 Скачать, 2N5485 вниз, 2N5485 pdf вниз, 2N5485 скачать pdf, 2N5485 спецификации, 2N5485 pdf, 2N5485 цепи: NJSEMI - N-CHANNEL JFETS и сайт поиска электронных схем, техническое описание компонентов, техническое описание компонентов , интегральные схемы, диоды, симисторы и другие полупроводники. обновления: 5.2N5485 Datasheet,, PDF - Fairchild Semiconductor. Тип коллектора 6: контакт 1. 2N54842N54852N5486MMBF5484MMBF5485MMBF5486 ВЧ-усилитель с каналом N Это устройство представляет собой спецификации полупроводниковых электронных компонентов серии 2N5401-C-T92-B - 2N5550. Конденсатор C2 и резистор R2 образуют фильтр для сглаживания выпрямленного напряжения управления звуком. 2N3819 Siliconix S-52424 — Ред. 2N5485 - RF Mosfet N-Channel JFET 15V 400MHz TO-92-3 от ON Semiconductor. Упаковка: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) На складе: 30 666 штук Цена за единицу: Запросить цену: Срок поставки: Возможна немедленная отправка: Расчетное время доставки: 19 марта - 24 марта ( Выберите ускоренную доставку) Запрос предложения 2N5485 datasheet, 2N5485 datasheets, 2N5485 pdf, 2N5485 схема: FAIRCHILD - N-Channel RF Amplifier, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов и прочего, симисторов .тип стока 11: контакт 1. IRF9531 ТЕХНИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ PDF - IRF, IRF, IRF и IRF представляют собой полевые МОП-транзисторы с усовершенствованной мощностью, разработанные, испытанные и гарантированно выдерживающие указанный уровень энергии в. com 900,000+ datasheet pdf найдите и загрузите Datasheet4U предлагает наиболее популярные технические данные полупроводников pdf 2N5485 Datasheet (HTML) 1 страница - Calogic, LLC: увеличить масштаб уменьшить 1/2 страницы. Таблица данных согласованной пары NJFET U441. 2N / SST5484 Series Vishay Siliconix www. 5 миллисименс. Техническое описание BUZ90, BUZ90 Производитель ЭКГ промышленного стандарта теперь предлагает этот высококачественный светодиодный ультрафиолетовый фонарик с черным светом.No related posts.}

Разработка моста для режима жестких переключений на нитрид-галлиевых транзисторах Transphorm

Особенности применения GaN-транзисторов в мостовых схемах

Работа GaN-транзисторов в мостовой схеме без антипараллельных диодов

Особенности топологии печатных плат

Выходные цепи

Цепи управления

Особенности переключения каскодного GaN-транзистора

Охлаждение

Особенности управления верхним плечом моста

Преимущества решений на GaN транзисторах

Типовые решения Transphorm

Заключение

Наши информационные каналы

Характеристики полевых транзисторов. OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей

Очень прерывистый сбой питания МОП-транзистора

Buz90 datasheet на русском

Основные параметры BUZ90A полевого транзистора n-канального.

Схемы транзистора BUZ90A

Коллективный разум. Дополнения для транзистора BUZ90A.

Другие разделы справочника:

BUZ90 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

BUZ90 Datasheet (PDF)

МАЛОСИГНАЛЬНАЯ МОДЕЛЬ ТРАНЗИСТОРА С ВЫСОКОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ ЭЛЕКТРОНОВ

Ширина — область — пространственный заряд

Ширина — область — пространственный заряд

Buz90 datasheet на русском

Основные параметры BUZ90A полевого транзистора n-канального.

Схемы транзистора BUZ90A

Коллективный разум. Дополнения для транзистора BUZ90A.

Другие разделы справочника:

BUZ90 MOSFET – описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

BUZ90 Datasheet (PDF)

MOSFET — Espruino

N-канал против P-канала

Выбор полевых МОП-транзисторов

Распиновка

Подключение

Схемы

и реле

МОП-транзисторы и биполярные переходные транзисторы

Режим улучшения и истощения

Покупка

M: полевой МОП-транзистор

3,16 М: МОП-транзистор

3.16.1 Синтаксис

Устройство

Модель (обязательно)

3.16.2 Цель

3.16.3 Комментарии

3.16.4 Параметры элемента

Параметры совместимости с Basic Spice

3.16.5 Параметры модели

Базовый выбор — требуется для всех моделей

Расширенное управление (не в Spice) — все модели

Биннинг (не в Spice) — все модели

Соединение подложки — все модели

Блуждающие провода — все модели

Регулировка длины и ширины — все модели

Принимаются и игнорируются — все модели

Общие параметры уровня 1,2,3,6

Уровень 1

Уровень 2

Уровень 3

Уровень 6

Уровень 4, 5, 7, 8 (модели BSIM) Общие комментарии

3.16.6 Зонды

3. Соединительный полевой транзистор (JFET)

полевых транзисторов (полевых транзисторов) [часть 1]

30N06-TN3-R — UNISONIC | X-ON

Finfet dibl

Воздушные навесы

Двухколесные аудиомешки

Holly cuttings youtube

Java net sockettimeoutexception чтение тайм-аут межсетевого экрана

Калькулятор допуска Psilocybe

Xbox one против продаж ps4

Ahci bios не установлен hp

2n5485 лист данных

Добавить комментарий Отменить ответ