S d g сток исток затвор: Полевой транзистор — Википедия

Оценка исправности р-канального устройства

Проверка исправности р-канального полевого транзистора производится таким же образом, что и n-канального. Отличие состоит в том, что в п. 3 к минусу мультиметра надо подключить красный провод, а к плюсу мультиметра – черный провод.

Выводы:

1. Полевые транзисторы типа MOSFET широко используются в технике и радиолюбительской практике.
2. Проверку работоспособности таких транзисторов можно осуществить с помощью мультиметра, следуя определенной методике.
3. Проверка p-канального полевого транзистора мультиметром осуществляется таким же образом, что и n-канального транзистора, за исключением того, что следует изменить полярность подключения проводов мультиметра на обратную.

Видео о том, как проверить полевой транзистор

Что такое полевой транзистор и как его проверить

Добрый день, друзья!

Недавно мы с вами начали плотнее знакомились с тем, как устроено компьютерное «железо». И познакомились одним из его «кирпичиков» — полупроводниковым диодом. Компьютер – это сложная система, состоящая из отдельных частей. Разбирая, как работают эти отдельные части (большие и малые), мы приобретаем знание.

Обретая знание, мы получаем шанс помочь своему железному другу-компьютеру, если он вдруг забарахлит. Мы же ведь в ответе за тех, кого приручили, не правда ли?

Сегодня мы продолжим это интересное дело, и попробуем разобраться, как работает самый, пожалуй, главный «кирпичик» электроники – транзистор. Из всех видов транзисторов (их немало) мы ограничимся сейчас рассмотрением работы полевых транзисторов.

Почему транзистор – полевой?

Слово «транзистор» образовано от двух английских слов translate и resistor, то есть, иными словами, это преобразователь сопротивления.

Среди всего многообразия транзисторов есть и полевые, т.е. такие, которые управляются электрическим полем.

Электрическое поле создается напряжением. Таким образом, полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, управляемый напряжением.

В англоязычной литературе используется термин MOSFET (MOS Field Effect Transistor). Есть другие типы полупроводниковых транзисторов, в частности, биполярные, которые управляются током. При этом на управление затрачивается и некоторая мощность, так как к входным электродам необходимо прикладывать некоторое напряжение.

Канал полевого транзистора может быть открыт только напряжением, без протекания тока через входные электроды (за исключением очень небольшого тока утечки). Т.е. мощность на управление не затрачивается. На практике, однако, полевые транзисторы используются большей частью не в статическом режиме, а переключаются с некоторой частотой.

Конструкция полевого транзистора обуславливает наличие в нем внутренней переходной емкости, через которую при переключении протекает некоторый ток, зависящий от частоты (чем больше частота, тем больше ток). Так что, строго говоря, некоторая мощность на управление все-таки затрачивается.

Где используются полевые транзисторы?

Настоящий уровень технологии позволяет сделать сопротивление открытого канала мощного полевого транзистора (ПТ) достаточно малым – в несколько сотых или тысячных долей Ома!

И это является большим преимуществом, так как при протекании тока даже в десяток ампер рассеиваемая на ПТ мощность не превысит десятых или сотых долей Ватта.

Таким образом, можно отказаться от громоздких радиаторов или сильно уменьшить их размеры.

ПТ широко используются в компьютерных блоках питания и низковольтных импульсных стабилизаторах на материнской плате компьютера.

Из всего многообразия типов ПТ для этих целей используются ПТ с индуцированным каналом.

Как работает полевой транзистор?

ПТ с индуцированным каналом содержит три электрода — исток (source), сток (drain), и затвор (gate). 

Принцип работы ПТ наполовину понятен из графического обозначения и названия электродов.

Канал ПТ – это «водяная труба», в которую втекает «вода» (поток заряженных частиц, образующих электрический ток) через «источник» (исток).

«Вода» вытекает из другого конца «трубы» через «слив» (сток). Затвор – это «кран», который открывает или перекрывает поток. Чтобы «вода» пошла по «трубе», надо создать в ней «давление», т. е. приложить напряжение между стоком и истоком.

Если напряжение не приложено («давления в системе нет»), тока в канале не будет.

Если приложено напряжение, то «открыть кран» можно подачей напряжения на затвор относительно истока.

Чем большее подано напряжение, тем сильнее открыт «кран», больше ток в канале «сток-исток» и меньше сопротивление канала.

В источниках питания ПТ используется в ключевом режиме, т.е. канал или полностью открыт, или полностью закрыт.

Честно сказать, принципы действия ПТ гораздо более сложны, он может работать не только в ключевом режиме. Его работа описывается многими заумными формулами, но мы не будем здесь все это описывать, а ограничимся этими простыми аналогиями.

Скажем только, что ПТ могут быть с n-каналом (при этом ток в канале создается отрицательно заряженными частицами) и p-каналом (ток создается положительно заряженными частицами). На графическом изображении у ПТ с n-каналом стрелка направлена внутрь, у ПТ с p-каналом – наружу.

Собственно, «труба» — это кусочек полупроводника (чаще всего – кремния) с примесями химических элементов различного типа, что обуславливает наличие положительных или отрицательных зарядов в канале.

Теперь переходим к практике и поговорим о том,

Как проверить полевой транзистор?

В норме сопротивление между любыми выводами ПТ бесконечно велико.

И, если тестер показывает какое-то небольшое сопротивление, то ПТ, скорее всего, пробит и подлежит замене.

Во многих ПТ имеется встроенный диод между стоком и истоком для защиты канала от обратного напряжения (напряжения обратной полярности).

Таким образом, если поставить «+» тестера (красный щуп, соединенный с «красным» входом тестера) на исток, а «-» (черный щуп, соединенный с черным входом тестера) на сток, то канал будет «звониться», как обычный диод в прямом направлении.

Это справедливо для ПТ с n-каналом. Для ПТ с p-каналом полярность щупов будет обратной.

Как проверить диод с помощью цифрового тестера, описано в соответствующей статье. Т.е. на участке «сток — исток» будет падать напряжение 500-600 мВ.

Если поменять полярность щупов, к диоду будет приложено обратное напряжение, он будет закрыт и тестер это зафиксирует.

Однако исправность защитного диода еще не говорит об исправности транзистора в целом. Более того, если «прозванивать» ПТ, не выпаивая из схемы, то из-за параллельно подключенных цепей не всегда можно сделать однозначный вывод даже об исправности защитного диода.

В таких случаях можно выпаять транзистор, и, используя небольшую схему для тестирования, однозначно ответить на вопрос – исправен ли ПТ или нет.

В исходном состоянии кнопка S1 разомкнута, напряжение на затворе относительно стока равно нулю. ПТ закрыт, и светодиод HL1 не светится.

При замыкании кнопки на резисторе R3 появляется падение напряжения (около 4 В), приложенное между истоком и затвором. ПТ открывается, и светодиод HL1 светится.

Эту схему можно собрать в виде модуля с разъемом для ПТ. Транзисторы в корпусе D2 pack (который предназначен для монтажа на печатную плату) в разъем не вставишь, но можно припаять к его электродам проводники, и уже их вставить в разъем. Для проверки ПТ с p-каналом полярность питания и светодиода нужно изменить на обратную.

Иногда полупроводниковые приборы выходят из строя бурно, с пиротехническими, дымовыми и световыми эффектами.

В этом случае на корпусе образуются дыры, он трескается или разлетается на куски. И можно сделать однозначный вывод об их неисправности, не прибегая к приборам.

В заключение скажем, что буквы MOS в аббревиатуре MOSFET расшифровываются как Metal — Oxide — Semiconductor (металл – оксид – полупроводник). Такова структура ПТ – металлический затвор («кран») отделен от канала из полупроводника слоем диэлектрика (оксида кремния).

Надеюсь, с «трубами», «кранами» и прочей «сантехникой» вы сегодня разобрались.

Однако, теория, как известно, без практики мертва! Надо обязательно поэкспериментировать с полевиками, поковыряться, повозиться с их проверкой, пощупать, так сказать.

Кстати, купить полевые транзисторы можно вот здесь.

Радио для всех — MOSFET, IGBT и Дарлингтона транзисторы

Полевой или FET (field-effect transistor) транзистор. Аналогичен биполярным транзисторам (BJT). Транзисторы FET переключаются по напряжению, а не по току. Ниже приведена табличка обозначения электродов данных транзисторов, похожих по принципу работы.

К основным типам полевых транзисторов относятся:

–         MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)

–         JFET (Junction Field-Effect Transistor)

–         MESFET

–         HEMT

–         MODFET

Наиболее распространенными являются MOSFET и JFET

Транзистор с полевым эффектом представляет собой трехполюсное однополярное полупроводниковое устройство, которое имеет очень схожие характеристики с биполярными, т. е. высокую эффективность, мгновенную работу, надежность и дешевизну и может использоваться в большинстве применений электронных схем для замены эквивалентных биполярных транзисторов (BJT). Полевые транзисторы могут быть сделаны намного меньше, чем эквивалентный BJT-транзистор, а их низкое энергопотребление и рассеиваемая мощность делают их идеальными для использования в интегральных схемах, таких как CMOS-диапазон цифровых логических микросхем. Два основных типа конструкции биполярного транзистора, NPN и PNP , которые в основном описывают физическое расположение полупроводниковых материалов типа P и N-типа, из которых они изготовлены. Это относится и к полевым транзисторам, так как есть также две основные классификации полевого транзистора, называемого полевым транзистором N- канала и полевым транзистором Р-канала . Полевой сконструирован без PN-переходов в пределах основного пути прохождения тока между стоком и истоковыми оконечными устройствами, которые соответствуют функционально коллектору и эмиттеру биполярного транзистора. Путь тока между этими двумя выводами называется «каналом», который может быть выполнен из полупроводникового материала типа «P» или «N». Управление током, протекающим по этому каналу, достигается путем изменения напряжения, приложенного к затвору . Транзистор с полевым эффектом, является «однополярным» устройством, которое зависит только от проводимости электронов (N-канал) или дырок (P-канал). Имеет одно главное преимущество перед BJT, так как их входной импеданс ( Rin ) очень высок (в тысячах Ом), в то время как у BJT сравнительно низок. Этот очень высокий входной импеданс делает их очень чувствительными к сигналам входного напряжения, но цена этой высокой чувствительности также означает, что они могут быть легко повреждены статическим электричеством.

Типичный полевик

Транзистор с полевым эффектом перехода (JFET)

Существует два основных типа полевого транзистора, полевого транзистора с полем перехода или JFET и транзистор с изолированным затвором IGFET , который более широко известен как MOSFET.

Биполярный транзистор соединен с использованием двух PN-переходов в основном канале переноса тока между эмиттером и коллектором. Транзистор с эффектом перехода (JUGFET или JFET) не имеет PN-переходов, но вместо этого имеет узкий кусок полупроводникового материала с высоким удельным сопротивлением, образующий «Канал» либо из кремния типа N, либо из кремния Р-типа, для того чтобы основные носители могли протекать через два омических соединения на обоих концах, которые обычно называются Drain и Source соответственно. Существуют две базовые конфигурации полевого транзистора с полем перехода, N-канальный JFET и P-канал JFET. Канал N-канального JFET легирован донорными примесями, что означает, что течение тока через канал отрицательно (отсюда термин N-канал) в виде электронов. Аналогично, канал Р-канала JFET легирован акцепторными примесями, что означает, что поток тока через канал положителен (отсюда и термин Р-канал) в форме дырок. N-канальные JFET имеют большую проводимость канала (меньшее сопротивление), чем их эквивалентные типы Р-каналов, поскольку электроны обладают большей подвижностью через проводник по сравнению с дырками. Это делает N-канальный JFET более эффективным проводником по сравнению с их аналогами P-каналов. Мы уже говорили ранее, что есть два электрода на обоих концах канала, называются сток и исток . Но внутри этого канала имеется третье электрическое соединение, которое называется затвор, материал типа P или N, образующий PN-переход с основным каналом.

Базовая конструкция для обеих конфигураций JFET.

Полупроводниковый «канал» представляет собой резистивный путь, через который напряжение V _DS вызывает ток I _D , и, таким образом, транзистор с эффектом переходного поля может проводить ток одинаково хорошо в любом направлении. Поскольку канал является резистивным по природе, градиент напряжения, таким образом, формируется по всей длине канала, причем это напряжение становится менее положительным, когда мы идем от клеммы Drain к клемме Source. В результате PN-соединение имеет высокое обратное смещение на клемме Drain и более низкое обратное смещение на клемме Source. Это смещение вызывает формирование «обедненного слоя» в канале и ширина которого увеличивается при смещении. Величина тока, протекающего по каналу между клеммой стоком и истоком, контролируется напряжением, подаваемым на вывод затвор, который является обратным смещением. В N-канальном JFET это напряжение затвора отрицательное, в то время как для JFET P-канала напряжение затвора положительное. Основное различие между JFET и BJT заключается в том, что когда соединение JFET обратно смещается, ток затвора практически равен нулю, тогда как базовый ток BJT всегда имеет некоторое значение, большее нуля.

Характеристические кривые выходного напряжения типичного транзистора FET.

Напряжение V _GS, подаваемое на Gate, контролирует ток, протекающий между Drain и источниками. V _GS относится к напряжению, приложенному между Gate и Source, в то время как V _DS относится к напряжению, приложенному между Drain и Source.

Так как транзистор с эффектом «переходного поля» является устройством с управлением напряжением, «ток протекает в затвор» , то ток источника ( I _S ), вытекающий из устройства, равен току стока, втекающему в него, и поэтому ( I _D = I _S ) ,

Пример кривых характеристик, показанный выше, показывает четыре различные области работы JFET, и они приведены как:

• Омическая область — Когда V _GS = 0 истощающий слой канала очень мал и JFET действует как резистор, управляемый напряжением.
• Область отсечки — это также известно как область пинч-офф — это напряжение затвора, V _GS достаточно, чтобы заставить JFET действовать как разомкнутая цепь, поскольку сопротивление канала находится на максимуме.
• Насыщенность или активная область — JFET становится хорошим проводником и управляется напряжением Gate-Source (V _GS ), в то время как напряжение источника стока (V _DS ) оказывает незначительное влияние или не оказывает никакого эффекта.
• Область пробоя — Напряжение между Drain и Source (V _DS ) достаточно высоко, чтобы вызвать разрушение резистивного канала JFET и прохождение неконтролируемого максимального тока.

Кривые характеристик для транзистора с полевым транзистором с P-каналом являются такими же, как и выше, за исключением того, что ток стока I _D уменьшается с увеличением положительного напряжения на входе-выводе V _GS .

Ток стока равен нулю, когда V _GS = V _P. Для нормальной работы V _GS смещен, чтобы быть где-то между V _P и 0. Тогда мы можем рассчитать ток стока, I _D для любой заданной точки смещения в насыщающей или активной области следующим образом:

Режимы полевых транзисторов

Как и биполярный транзистор, полевой транзистор, являющийся трехконтактным устройством, может иметь три различных режима работы и, следовательно, может быть подключен в схеме в одной из следующих конфигураций.

Конфигурация с общим истоком (CS)

В конфигурации Common Source (аналогично общему эмиттеру), вход применяется к Gate, и его выход берется из Drain, как показано. Это наиболее распространенный режим работы полевого транзистора благодаря его высокому входному импедансу и хорошему усилению напряжения, и поэтому широко используются широко распространенные усилители с общим источником. Режим общего источника соединения FET обычно используется усилителями звуковой частоты, а также с высоким входным импедансом предусилителей и каскадов. Будучи усилительной схемой, выходной сигнал 180 ^° «находится в фазе» с входом.

Конфигурация общий затвор (CG)

В конфигурации Common Gate (по аналогии с общей базой) вход применяется к источнику, и его выход берется из Drain с Gate, подключенным непосредственно к земле (0v), как показано. В этой конфигурации потеря сигнала высокой входной импеданс предыдущего соединения теряется, так как общий затвор имеет низкий входной импеданс, но высокий выходной импеданс. Этот тип конфигурации полевого транзистора может быть использован в высокочастотных цепях или в схемах согласования импеданса, поскольку низкий входной импеданс должен соответствовать высокому выходному импедансу. Выход «синфазный» с входом.

Конфигурация общего стока (CD)

В конфигурации Common Drain (аналогично общему коллектору) вход применяется к Gate, и его выход берется из Source. Конфигурация общего стока или «источник-последователь» имеет высокий входной импеданс, низкий выходной импеданс и почти единичное усиление напряжения, поэтому используется в буферных усилителях. Коэффициент усиления напряжения источника повторителя конфигурации меньше единицы, а выходной сигнал является «синфазным», 0 ^o с входным сигналом. Этот тип конфигурации называется «Common Drain», потому что на дренажном соединении нет сигнала, имеющееся напряжение + V _DD просто обеспечивает смещение. Вывод синфазен со входом.

Усилитель JFET

Как и биполярный транзистор, JFET можно использовать для создания однокаскадных усилительных схем класса A с общим усилителем JFET и характеристиками, очень похожими на схему с общим эмиттером BJT. Основным преимуществом усилителей JFET перед усилителями BJT является их высокое входное сопротивление, которое контролируется резистивной сетью смещения затвора, сформированной R1 и R2, как показано.

Смещение на усилителе JFET

Эта схема усилителя общего источника (CS) смещается в режиме класса «A» с помощью сети делителя напряжения, образованной резисторами R1 и R2 . Напряжение на истоковом резисторе R _S обычно устанавливается равным примерно четвертью V _DD , ( V _DD / 4 ), но может быть любым разумным значением. Требуемое напряжение затвора может быть затем вычислено по этому значению R _S. Так как ток затвора равен нулю, ( I _G = 0 ), мы можем установить требуемое напряжение покоя постоянного тока путем правильного выбора резисторов R1 и R2 . Управление током стока при отрицательном потенциале затвора делает транзистор с эффектом переходного поля полезным в качестве переключателя, и важно, чтобы напряжение затвора никогда не было положительным для N-канального JFET, поскольку ток канала будет протекать к Gate, а не в сток, приводящий к повреждению JFET. Принципы работы для J-канала P-канала такие же, как для N-канального JFET, за исключением того, что полярность напряжений должна быть изменена на противоположную.

Читаем далее по теме

Условные обозначения транзисторов

МОП- транзистор (MOSFET)

Транзистор Дарлингтона

Транзистор IGBT

Биполярный транзистор (BJT)

Полевые транзисторы

3. 10. Полевые транзисторы

Полевые транзисторы, называемые также униполярными или канальными, в отличие от биполярных имеют большое входное сопротивление. Полевые транзисторы подразделяются на полевые транзисторы с управляющим p-n переходом и с изолированным затвором. Полевые транзисторы с изолированным затвором в свою очередь подразделяются на транзисторы со встроенным каналом и транзисторы с индуцированным каналом. Канал в полевых транзисторах может быть  n или p типа. Канал — это область полевого транзистора, через которую протекают основные носители заряда. Величина тока в канале управляется электрическим полем.  Транзисторы, как правило, имеют три вывода. Вывод, от которого в канал приходят основные носители заряда, называется истоком.  Вывод, к которому носители заряда приходят из канала, называется стоком. Вывод, на который подается управляющее напряжение относительно истока или стока, называется затвором. Название транзисторы получили вследствие особенностей работы. Полевыми транзисторы называют потому, что управление током в выходной цепи транзистора осуществляется электрическим полем во входной цепи. Канальными транзисторы называют потому, что ток в выходной цепи транзистора протекает через его канал. Униполярными транзисторы называют потому, что в работе транзистора принимают носители одной полярности. Условные обозначения полевых транзисторов приведены в начале этой главы. В условных обозначениях полевых транзисторов на принципиальных схемах стрелка направлена к каналу n-типа, или от канала p-типа. Индуцированный (наведенный электрическим полем) канал, обозначается пунктиром.

Рассмотрим принцип работы полевого транзистора с управляющим p-n переходом с каналом n-типа (рис. 3.40а). Знаком плюс показана повышенная концентрация носителей заряда. Области истока и стока делаются с повышенной проводимостью для того, чтобы уменьшить бесполезное падение напряжения на них. Повышенной проводимостью обладает и область затвора с целью увеличения запирающего слоя в сторону канала при увеличении управляющего напряжения. В таких транзисторах управляющее напряжение прикладывается к p-n переходу затвор-исток в обратном направлении.

Если увеличивать напряжение между затвором и истоком в указанной полярности, то запирающий слой p-n перехода становится толще и площадь поперечного сечения канала уменьшается. Сопротивление канала постоянному току увеличивается и ток стока становится меньше. Зависимость тока  стока  от напряжения затвор-исток при постоянном напряжении сток-исток называется стокозатворной характеристикой  полевого транзистора. Стоковая характеристика полевого транзистора для схемы включения транзистора с общим истоком – это зависимость тока стока от напряжения сток-исток при постоянном напряжении затвор-исток.

Проставим полярность подключения источников напряжения во входной и выходной цепях полевого транзистора с управляющим p-n переходом с каналом n типа для схемы включения транзистора с общим истоком (рис. 3.41). Мы знаем определения выводов транзистора и то, что p-n переход затвор-исток смещается в обратном направлении. Следовательно, основные носители заряда электроны должны двигаться в соответствии с определением выводов транзистора от истока к стоку, т.е. снизу вверх. Чтобы электроны двигались в таком направлении необходимо в выходной цепи транзистора плюс источника питания подключить к стоку, минус к истоку. Для смещения p-n перехода затвор-исток в обратном направлении необходимо к затвору подключить минус источника, а к истоку плюс. Стокозатворная характеристика полевого транзистора с управляющим p-n переходом с каналом n-типа для схемы включения транзистора с общим истоком приведена на рисунке  3.42а, а стоковые характеристики на рисунке 3.42б.

На рисунке 3.40 б схематично показано устройство полевого транзистора с изолированным затвором со встроенным каналом n-типа. На затвор относительно истока такого транзистора можно подавать управляющее напряжение обеих полярностей. Семейство стоковых характеристик данного транзистора приведено на рисунке 3.43 б, а на рисунке 3.43 а – одна из его стокозатворных характеристик. При подаче на затвор относительно  истока положительного напряжения в канал будут приходить электроны из областей стока, истока и кристалла p-типа и ток в цепи сток-исток будет увеличиваться. Такой режим работы называют режимом обогащения носителей заряда  в канале. При подаче на затвор относительно истока отрицательного напряжения канал транзистора обедняется основными носителями заряда и ток стока уменьшается. Этот режим работы транзистора называется режимом обеднения.

Транзисторы характеризуют рядом параметров. Начальный ток стока — это ток стока при напряжении между затвором и истоком равном нулю и напряжении сток исток равном или превышающем напряжение насыщения. Напряжением насыщения называют напряжение сток-исток, начиная с которого ток стока практически не увеличивается при увеличении напряжения сток-исток при заданном напряжении затвор-исток. Ток утечки затвора — это ток затвора между затвором и остальными выводами транзистора, замкнутыми между собой. Обратный ток перехода затвор-исток при разомкнутом выводе стока — это ток в цепи затвор-исток при заданном обратном напряжении между затвором и истоком и разомкнутом выводе стока. Напряжение отсечки полевого транзистора — это напряжение затвор-исток для транзисторов с управляющим p-n переходом и транзисторов с изолированным затвором со встроенным каналом, при котором ток стока достигает заданного значения, обычно 10 мкА.

Пороговое напряжение полевого транзистора — это напряжение затвор-исток для транзисторов с изолированным затвором с индуцированным каналом (рис. 3.40в), при котором ток стока достигает заданного значения (рис. 3.44), обычно 10мкА. При отсутствии напряжения между затвором и истоком ток в цепи сток-исток не протекает, т.к. один из p-n переходов оказывается включенным в обратном направлении. При определенном напряжении затвор-исток в области, прилежащей к затвору, наступает инверсия проводимости и в цепи сток-исток появляется ток.

К предельным параметрам полевых транзисторов относятся: максимальный ток стока; максимально допустимые напряжения между выводами сток-исток, затвор-исток, затвор-сток; максимально допустимая мощность рассеяния; максимальная и минимальная температура окружающей среды.

Страница не найдена | MIT

• Образование
• Исследование
• Инновации
• Прием + помощь
• Студенческая жизнь
• Новости
• Выпускников
• О MIT
• Подробнее ↓
  • Прием + помощь
  • Студенческая жизнь
  • Новости
  • Выпускников
  • О MIT

Предложения или отзывы?

Страница не найдена — Industrial Devices & Solutions

• Политика в отношении файлов cookie
• Потребитель
• Бизнес

• Продукты
• Руководства по применению
• Скачать
• Поддержка дизайна
• Новости
• Свяжитесь с нами

• Конденсаторы
• Резисторы
• Катушки индуктивности
• Решения для управления температурным режимом
• Компоненты ЭМС, защита цепей
• Датчики
• Устройства ввода
• Полупроводники
• Реле, разъемы
• FA Датчики и компоненты
• Моторы, компрессоры
• Промышленные устройства, носители информации
• Пользовательские и модульные устройства
• Завод автоматики, сварочные аппараты
• Промышленные батареи
• Электронные материалы
• Материалы

• Конденсаторы электролитические с проводящим полимером
• Алюминиевые электролитические конденсаторы
• Электрические двухслойные конденсаторы (золотой конденсатор)
• Пленочные конденсаторы

• Чип резисторы
• Другие резисторы

• Силовые индукторы для автомобильной промышленности
• Силовые индукторы для потребителей
• Силовые индукторы многослойного типа
• Катушки повышения напряжения

• Лист термозащиты (Графитовый лист (PGS) / прикладные продукты PGS / NASBIS)
• Термистор NTC (чип)
• Вентилятор охлаждения с уникальным гидродинамическим подшипником
• Материалы печатных плат

• Компоненты ЭМС
• Защита цепей (электростатические разряды, скачки напряжения, предохранители и т. Д.)

• Датчики
• Встроенные датчики
• Датчики для автоматизации производства

• Коммутаторы
• Емкостное чувствительное устройство
• Энкодеры, потенциометры

• Микрокомпьютеры
• Аудио и видео
• Тег NFC и защищенная микросхема
• ИС драйвера светодиодов
• ИС драйвера двигателя
• МОП-транзисторы
• Лазерные диоды
• Датчики изображения
• Радиочастотные устройства
• Силовые устройства

• Реле
• Разъемы

• Датчики для автоматизации производства
• Устройства FA

• Двигатели для FA и промышленного применения
• Двигатели для предприятий / бытовой техники и автомобилей
• Компрессоры
• Насосы постоянного тока

• Носители записи

• Оптические компоненты
• Пользовательские устройства
• Модульные устройства

• FA
• Сварочные аппараты, промышленные роботы
• Устройства FA

• Вторичные батареи (аккумуляторы)
• Первичные батареи

• Материалы печатных плат
• Герметичные полупроводниковые материалы, клеи
• Пластиковая формовочная смесь
• Продвинутые фильмы

• Монокристалл оксида цинка пана-тетра
• Смола Pana-Tetra Compound
• Пленка для предотвращения электрификации Pana-Tetra
• «AMTECLEAN A» Чистящее средство для литьевых машин
• «AMTECLEAN Z» Неорганическое противомикробное средство

• Проводящие полимерные алюминиевые электролитические конденсаторы (SP-Cap)
• Твердотельные конденсаторы из токопроводящего полимера и тантала (POSCAP)
• Проводящие полимерные алюминиевые твердотельные конденсаторы (OS-CON)
• Гибридные алюминиевые электролитические конденсаторы с проводящим полимером

• Проводящие полимерные алюминиевые твердотельные конденсаторы (OS-CON)
• Гибридные алюминиевые электролитические конденсаторы с проводящим полимером
• Алюминиевые электролитические конденсаторы (поверхностного монтажа)
• Алюминиевые электролитические конденсаторы (с радиальными выводами)

• Двухслойные электрические конденсаторы (намотанного типа)

• Пленочные конденсаторы (для электронного оборудования)
• Пленочные конденсаторы (для двигателей переменного тока)
• Пленочные конденсаторы (автомобильные, промышленные и инфраструктурные)

• Прецизионные чип-резисторы
• Чувствительные по току резисторы
• Чип-резисторы малой и большой мощности
• Антисульфурные чип-резисторы
• Чип-резисторы общего назначения
• Сетевой резистор

• Резисторы с выводами
• Аттенюатор

• Силовые индукторы для автомобильной промышленности

• Силовые индукторы для потребителей

• Силовые индукторы многослойного типа

• Катушки повышения напряжения

• Лист термозащиты (Графитовый лист (PGS) / прикладные продукты PGS / NASBIS)

• Термистор NTC (чип)

• Вентилятор охлаждения с уникальным гидродинамическим подшипником

• Материалы монтажных плат для светодиодных светильников / силовых модулей «ECOOL» серии

• Фильтры синфазных помех
• Пленка для защиты от электромагнитных волн

• Подавитель ЭСР
• Варистор микросхемы
• Поглотители перенапряжения
• Предохранители

• Датчик MR
• Инерционный датчик 6DoF для автомобилей (датчик 6в1)
• Гироскопические датчики
• Датчики температуры (автомобильные)
• Датчики положения

• Инфракрасный датчик Grid-EYE
• Датчики давления PS-A (встроенная схема усиления и температурной компенсации)
• Датчики давления PS
• Датчики давления PF
• Датчик пыли (PM)
• Камера TOF
• Датчик движения PIR PaPIRs

• Волоконно-оптические датчики
• Световые завесы / компоненты безопасности
• Датчики площади
• Фотоэлектрические датчики / лазерные датчики
• Микро-фотоэлектрические датчики
• Индуктивные датчики приближения
• Датчики давления / датчики расхода
• Датчики измерения
• Датчики особого назначения
• Опции датчика
• Системы сохранения проволоки

• Детекторные переключатели
• Кнопочные переключатели
• Тактильные переключатели (переключатели Light Touch)
• Кулисные переключатели питания
• Переключатели уплотнительного типа
• Выключатели без уплотнения
• Сенсорные панели
• Концевые выключатели
• Переключатели мгновенного действия
• Выключатели обнаружения падения
• Выключатели блокировки

• Емкостный датчик силы

• Энкодеры
• Автомобильные кодеры
• Потенциометры поворотные
• Автомобильные поворотные потенциометры

• 32-битное управление инвертором MN103H
• 32-битное управление инвертором MN103S
• 32-битная система с низким энергопотреблением MN103L
• 8 бит с низким энергопотреблением MN101E
• 8 бит с низким энергопотреблением MN101C
• 8-битное сверхнизкое энергопотребление MN101L
• MCU Arm® Cortex®-M7 MN1M7
• Arm® Cortex®-M0 + MCU MN1M0

• БИС с человеко-машинным интерфейсом
• Аудио интегрированные БИС

• БИС тегов NFC
• Модули тегов NFC
• Безопасная IC

• ИС драйвера светодиодов для освещения
• ИС драйвера светодиодов для развлечений
• ИС драйвера светодиодов для освещения

• ИС драйвера шагового двигателя
• ИС драйвера трехфазного бесщеточного двигателя постоянного тока
• ИС драйвера однофазного бесщеточного двигателя постоянного тока
• ИС драйвера двигателя постоянного тока с щеткой
• Микросхемы драйвера объектива для видеокамеры и камеры

• МОП-транзисторы для защиты литий-ионных батарей
• МОП-транзисторы общего назначения
• МОП-транзисторы для балансировки автомобильных ячеек
• МОП-транзисторы для автомобильной схемы переключения
• Другие полевые МОП-транзисторы

• Красный и инфракрасный (ИК) двухволновые лазерные диоды
• Красные лазерные диоды
• Инфракрасные лазерные диоды

• Датчики изображения для безопасности, промышленности и медицины
• Датчики изображения для вещания и цифровые фотоаппараты

• Малошумящие усилители (LNA)

• Преобразователь переменного тока в постоянный / ИС источника питания (IPD)
• Регулятор DC-DC для автомобилей, AV и промышленности
• ИС контроля батареи

• PhotoMOS
• Силовые реле (более 2 А)
• Реле безопасности
• Твердотельные реле (SSR)
• Сигнальные реле (2 А или меньше)
• СВЧ-устройства (СВЧ реле / ​​коаксиальные переключатели)
• Автомобильные реле
• Реле отключения постоянного тока большой емкости
• Устройство сопряжения PhotoIC
• Интерфейсный терминал

• Разъем узкого шага для платы к FPC
• Коннектор с узким шагом между платами
• Сильноточные соединители
• Разъемы FPC / FFC
• Активные оптические соединители
• MIPTEC 3D Упаковочные устройства

• Волоконно-оптические датчики
• Световые завесы / компоненты безопасности
• Датчики площади
• Фотоэлектрические датчики / лазерные датчики
• Микро-фотоэлектрические датчики
• Индуктивные датчики приближения
• Датчики давления / датчики расхода
• Датчики измерения
• Датчики особого назначения
• Опции датчика
• Системы сохранения проволоки

• Устройства статического управления
• Решения для управления энергопотреблением
• Программируемые контроллеры / интерфейсный терминал
• Человеко-машинный интерфейс
• Системы машинного зрения
• Системы УФ-отверждения
• Лазерные маркеры / считыватели 2D-кода
• Таймеры / счетчики / компоненты FA

• Серводвигатели переменного тока
• Бесщеточные двигатели
• Компактные мотор-редукторы переменного тока
• Сервоприводы переменного тока
• Бесщеточный усилитель
• Компактные редукторные регуляторы скорости переменного тока
• Опция (двигатели для FA и промышленного применения)
• Головка шестерни

• Двигатели для кондиционирования воздуха
• Двигатели для пылесосов
• Двигатели для холодильников
• Автомобильные двигатели

• Поршневые компрессоры (фиксированная скорость)
• Поршневые компрессоры (регулируемая скорость)
• Роторные компрессоры (фиксированная скорость)
• Роторные компрессоры (с переменной скоростью)
• Спиральные компрессоры

• Насосы постоянного тока

• Карты памяти SD
• Blu-ray Disc ™

• Асферические стеклянные линзы

• Чип-кольцо

• Ультразвуковой датчик расхода газа

• Системы, связанные с установкой электронных компонентов
• элементов решения
• Системы, связанные с устройствами
• Системы, связанные с дисплеем
• измерительная система
• Окончательная сборка, испытание и упаковка

• Аппараты для дуговой сварки
• Промышленные роботы

• Устройства статического управления
• Решения для управления энергопотреблением
Программируемые контроллеры
• / интерфейсный терминал
• Человеко-машинный интерфейс
• Системы машинного зрения
• Системы УФ-отверждения
• Лазерные маркеры / считыватели 2D-кода
• Таймеры / счетчики / компоненты FA

• Литий-ионные батареи
• Никель-металлогидридные батареи
• Ni-Cd аккумуляторы (Cadnica)
• Литиевые аккумуляторные батареи в форме монет
• Литий-ионные батареи со штырьками
• Свинцово-кислотные батареи с клапаном регулирования
• Аккумулятор VRLA для EV

• Литиевые батареи
• Цинк-угольные и щелочные батареи

Описание.TO-220F FDPF серии. Обозначение Параметр FDP26N40 FDPF26N40 Единицы В Напряжение сток-источник DSS 400 В Напряжение затвора GSS к источнику ± 30 В

Характеристики. I-PAK FQU серии

00V LOGIC N-канальный полевой МОП-транзистор Общее описание Эти N-канальные силовые полевые транзисторы с улучшенным режимом работы производятся с использованием запатентованной Fairchild технологии планарных полосок DMOS.Этот продвинутый